EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月10日、GaN FET の「EPC2071 」（オン抵抗の標準値1.7 mΩ、耐圧100 V）を発売したと発表しました。これによって、既製の低電圧窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大します。

EPC2071は、新しいサーバーや人工知能（AI）向けに、48 V〜54 V入力のDC-DCなど、高電力密度化に対する厳しい要件があるアプリケーションに最適です。ゲート電荷Q_Gとゲート-ドレイン間電荷Q_GD、および、逆回復損失ゼロによって、1 MHz以上の高周波動作と最先端の電力密度を実現し、わずか10.2 mm²の超小型面積で高効率が得られます。

EPC2071は、電動自転車、電動キックボード、ロボット、ドローン、電動工具などのBLDCモーター駆動に最適です。EPC2071は、同じオン抵抗R_DS(on)のシリコンMOSFETと比べて、サイズが1/3、ゲート電荷は1/4であり、デッドタイムを500 nsから20 nsへと短くできます。これによって、モーターとインバータを合わせた効率を最適化でき、 音響雑音を低減できます。

EPC2071は、EPCの以前の第4世代製品ファミリー（EPC2021、EPC2022、EPC2206）のフットプリントと互換性があります。第5世代の面積×R_DS(on)に対する改良によって、EPC2071は、26％小さいサイズで前世代品と同じオン抵抗が得られます。

「EPC2071は、40 V～60 V入力から、12 V～5 V出力へのLLC DC-DCコンバータの1次側の理想的なスイッチになります。この100 Vのデバイスは、前世代の100 VのGaN FETと比べて、性能が向上しコストが削減されているため、設計者は効率と電力密度を経済的に向上させることができます。これらの部品は、通信機器やサーバーの電源、および、太陽光発電の用途にも適しています。EPC2071は、同等のシリコン・デバイスよりも安価で、在庫を用意しています」と共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン基板のEPC9174は、48 V入力、12 V出力、1.2 kWのLLCコンバータです。1次側フルブリッジ向けのEPC2071を搭載しています。EPC9174は、22.9 mm×58.4 mm×10 mmと小型（電力密度1472 W/立方インチ：1インチは2.54 cm）で、スイッチング周波数1 MHz、出力電力1.2 kWを実現できます。ピーク効率は、550 Wで97.3％、全負荷効率は12 V、100 A出力で96.3％が得られます。

米国での参考価格と入手方法

eGaN FETのEPC2071の単価は、1000個／リールで3.81米ドルです。

開発基板のEPC9174の単価は498.00ドルです。

EPC2071とデモ・ボードのEPC9174は、いずれも米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入でき、即座に配送されます。

シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCの GaNパワー・ベンチのクロスリファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスリファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索にあります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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