Sensitronは、Efficient Power Conversion（EPC）の350 VのeGaN^® FETであるEPC2050を使ったGaNハーフブリッジ・モジュールSPG025N035P1Bを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月17日、米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET （EPC2050）に置き換えることで、ソリューションのサイズを60％小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。サイズとコストの削減は、最新世代のGaNパワー・モジュールを設計する際のSensitronの重要な関心事でした。同社のSPG025N035P1Bは、ゲート駆動回路を搭載した350 V、20 Aの高電力密度GaNハーフブリッジであり、浮遊インダクタンスと500 kHzでのスイッチング特性が最適化されています。この定格20 Aのモジュールは、3 kW以上の制御に使えます。超小型軽量の高電力密度パッケージ（1.10インチ×0.70インチ×0.14インチ、1インチは2.54 cm）での同社独自の上面冷却技術によって、最適な熱特性が得られています。SPG025N035P1Bは、商業、産業、航空宇宙用のアプリケーション向けに設計されました。

このモジュールSPG025N035P1BはEPC2050を使っています。このデバイスは、最大オン抵抗RDS(on)が80 mΩでピーク電流26 A、定格350 VのGaN FETで、わずか1.95 mm×1.95 mmの非常に小さなチップスケール・パッケージに収めました。EPC2050は、スイッチング損失が小さいため、Sensitronに高効率ソリューションに貢献し、サイズが非常に小さいために高電力密度ソリューションを可能にします。EPC2050は、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明にも最適です。

Sensitronのニュー・ビジネス・デベロップメント部門ディレクタのRichard Locarniは、「EPCと協力できることをうれしく思います。超小型GaN FETであるEPC2050を使うことで、350 Vのハーフブリッジ・モジュールをより高い効率に設計でき、代替シリコン・ソリューションの1/3のサイズで、非常に高電力密度のアプリケーションを実現できます」とコメントしています。

EPCのCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、「このアプリケーションは、GaNがもたらす真の利点の優れた例です。当社はSensitronと緊密に協力して、モジュールの電力密度要件の設計上の課題に対応することに最適なGaN FETを見つけました」と述べています。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion：

Renee Yawger　電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]

Sensitronについて

Sensitron Semiconductorは、防衛、航空宇宙、宇宙、医療の市場向けの高信頼性パワー電子部品ソリューションの大手メーカーです。同社は、50年以上にわたって高信頼性市場にサービスを提供しており、スイッチング電源、AC-DC整流、1次側および2次側の電力分配、モーター制御、過渡電圧スパイク保護、および、カスタム・アプリケーション向けに、耐久性が高く、軽量で、費用対効果の高いソリューションを備えた製品設計に関する専門知識を実証してきました。このソリューションには、インバータ、パワー・モジュール、モーター制御などの電力変換やモーター制御のアプリケーションにおけるワイド・バンドギャップのSiCとGaNのモジュールの採用が含まれます。Sensitronの本社は米国ニューヨーク州ホーポージです。

ウエブサイトをご覧ください：https：//www.sensitron.com

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報道関