Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧100 V、オン抵抗3.8 mΩのGaN FETであるEPC2306 を発売し、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用オプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、 D級オーディオなどの高電力密度用途向けに高性能で小型なソリューション・サイズを提供へ。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月8日、耐圧100 Vの「EPC2306」を発売したと発表しました。熱的に強化されたQFNパッケージの市販のGaN FETの選択肢を拡大します。高密度コンピューティング用途で使う48 VのDC-DC変換、イーモビリティやロボット向けの48 VのBLDCモーター駆動回路、太陽光発電用 オプティマイザとマイクロインバータ、D級オーディオなどに向けて設計しています。
GaN FETのEPC2306は、オン抵抗が、わずか3.8 mΩと非常に小さく、非常に小さい ゲート電荷QG、ゲート-ドレイン間電荷QGD、出力電荷QOSSを提供し、導通損失とスイッチング損失を低減します。このデバイスは、上部が露出した熱的に強化されたQFNパッケージを採用し、実装面積は、わずか3 mm×5 mmであり、最高の電力密度の用途向けに、非常に小さなソリューション・サイズを実現できます。
EPC2306は、以前に発売した耐圧100 V、オン抵抗1.8 mΩのEPC2302とフットプリントの互換性があります。フットプリントに互換性のある 2種類のデバイスがあることによって、オン抵抗と価格のトレードオフを行って、同じプリント回路基板のフットプリントで異なる型番を採用できるので、効率またはコストのソリューションを最適化できます。
「EPC2306は、性能を犠牲にすることなく、100 VのGaNの利点と、組み立てが容易な QFNパッケージを組み合わせています。当社のパッケージ封止のGaN FETファミリーを使えば、イーモビリティやドローン向けの軽量のバッテリー駆動BLDCモーター 駆動回路、データセンター、データ通信、人工知能、および、その他の産業用や民生用のアプリケーション向けの48 V入力の高効率DC-DCコンバータを構成できます」と共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。
開発基板
開発基板EPC90145は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流45 Aで、GaN FETのEPC2306を搭載したハーフブリッジです。この基板の目的は、評価プロセスを単純化して、製品の市場投入までの時間を短縮することです。この面積 2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング性能を実現するように設計されており、簡単に評価できるようにすべての重要な部品を搭載しています。
米国での参考価格と入手方法
EPC2306の1000個購入時の単価は3.08米ドルです。
開発基板のEPC90145 の単価は200.00ドルです。
すべてのデバイスと基板は、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入でき、即座に配送されます
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCの GaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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