Efficient Power Conversion（EPC）は、掃除機、ロボット、3次元セキュリティ・カメラ、3次元センシングなどの飛行時間（ToF）型 Lidar用途向けに、15 Aのパルス電流能力を備えた80 Vのレーザー・ドライバICの EPC21701を製品化しました。
EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月17日、ロボット、監視システム、掃除機で使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバや3.3 Vの論理レベル入力を備えた80 V、40 AのFETをワン・チップにモノリシック化したレーザー・ドライバ「EPC21701」を製品化したと発表しました。これは、ジェスチャ認識、飛行時間 （ToF）測定、ロボット・ビジョン、産業用の安全確保のためのLidarシステムに合わせて設計されています。
レーザー・ドライバのEPC21701は、5 Vの供給電圧を使って、3.3 Vの論理で制御されます。50 MHzを超える非常に高い周波数と最小2 nsの超短パルスが可能なので、最大15 Aのレーザー駆動電流を変調できます。電圧スイッチング時間は1 ns以下で、入力から出力までの遅延時間は3.6 ns以下です。EPC21701は、EPC独自のGaN IC技術を使って、わずか1.7 mm×1.0 mm×0.68 mmのチップスケールのBGAパッケージに、ドライバとGaN FETをワン・チップに封止したICです。ウエハー・レベルのパッケージは、小型、低インダクタンスなので、レーザー・システムとの相性が非常に良くなっています。この小さな形状と複数の機能の集積化によって、全体的なソリューションは、同等のマルチチップのディスクリート実装と比べて、プリント回路基板（PCB）上で 36%小型になります。
80 VのEPC21701は、40 V、15 AのEPC21601、および40 V、10 AのEPC21603のオプションと合わせて、チップスケール・パッケージ（CSP）のToFドライバ ICファミリーを補完する製品です。
ワン・チップに集積されたデバイスは、設計、レイアウト、組み立てが容易で、プリント回路基板上のスペースを節約し、効率を高め、コストを削減します。この製品ファミリーによって、エンド・ユーザーのより幅広い用途でToFソリューションを迅速に採用し、ユビキタス性を高めることができます。
「この新しい GaN集積回路のファミリーは、飛行時間型Lidarシステムのサイズとコストを削減すると同時に、性能を劇的に向上させます。GaN FETとドライバをワン・チップに集積することで、非常に強力で高速なICが生まれ、サイズとコストが削減され、民生用および産業用のアプリケーションを広く採用しやすくなります。EPC21701によって、ファミリーを80 Vおよび 15 A に拡張し、さらに100 Vおよび 125 Aに拡張する予定です」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語りました。
開発基板
開発基板のEPC9172は、eToF™レーザー・ドライバ ICのEPC21701を備えており、主に短い大電流パルスでレーザー・ダイオードを駆動することを目的としています。2 ns以下の最小パルス幅、15 Aのピーク電流、および 40 Vのバス電圧定格といった能力があります。
米国での参考価格と入手方法
eToFレーザー駆動ICのEPC21701の単価は、1000個購入時に1.95米ドルです。
開発基板EPC9172の単価は、420.00ドルです。
EPC21701と EPC9172は、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入でき、即座に配送されます。
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索にあります。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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