Efficient Power Conversion（EPC）は、定格200 V、オン抵抗10 mΩのEPC2307を発売し、定格100 V、150 V、200 Vの 6種の GaNトランジスタのファミリーを完成させました。これによって、DC-DC変換、AC/DCのスイッチング電源と充電器、ソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高い性能、より小さなソリューション・サイズ、および設計の容易さを提供します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月31日、定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。
EPC2307は、以前に製品化した100 V、1.8 mΩのEPC2302、100 V、3.8 mΩのEPC2306、150 V、3 mΩのEPC2305、150 V、6 mΩのEPC2308、および200 V、5 mΩのEPC2304とフットプリントの互換性があるため、設計者はオン抵抗RDS(on)と価格のトレードオフを行って、同じプリント回路基板に、別の型番の製品を採用することで、効率またはコストのソリューションを最適化できます。
このデバイスは、上面が露出した熱的に強化されたQFNパッケージが特徴です。熱抵抗が非常に小さいため、ヒートシンクやヒート・スプレッダを介した放熱が改善され、優れた熱特性が得られます。端子側面にメッキ処理を施したウェッタブル・フランクによってアセンブリが単純化され、フットプリントの互換性によって、仕様変更に対する設計の柔軟性が提供され、製品の市場投入までの時間が短縮されます。
このファミリーのデバイスは、モーターとインバータのシステム効率を高める非常に短いデッドタイム、磁気損失を低減するための低い電流リップル、精度向上のための低いトルク・リップル、低コストのためのフィルタリングの軽減など、モーター駆動の設計にいくつかの利点をもたらします。
DC-DC変換用途では、これらのデバイスは、ハードスイッチング設計とソフトスイッチング設計の両方で、最大5倍の電力密度、優れた放熱、およびシステム・コストの削減を実現できます。さらに、リンギングとオーバーシュートの両方が大幅に低減されているので、EMI（電磁干渉）雑音が改善されます。
「フットプリントに互換性があり、組み立てが容易なデバイスであるこのファミリーの継続的な拡大によって、製品の市場投入までの時間を遅らせることなく、設計を迅速に最適化する柔軟性を得ることができます。このデバイス・ファミリーは、小型・軽量なモーター駆動回路、より高効率で小型なDC-DCコンバータ、および高効率のソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータに最適です」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語りました。
開発基板
開発基板のEPC90150は、GaN FETのEPC2307を搭載したハーフブリッジです。この基板の目的は、評価プロセスを単純化し、製品の市場投入までの時間を短縮することです。面積が2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）のこの基板は、最適なスイッチング性能を実現するように設計されており、簡単に評価できるように、すべての重要な部品を搭載しています。
米国での参考価格と入手方法
EPC2307の1000個購入時の単価は、3.54米ドルです。
開発基板EPC90150の単価は、200.00ドルです。
このデバイスと基板は、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入でき、即座に配送されます。
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索にあります。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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