この記事では、BOM（部品表）の部品点数が少なく、設計者がシリコンFETを使うときと同じ簡単な方法で同期整流型バック（降圧型）・コンバータを設計できるようにし、48 Vのパワー・システムで優れた性能を実現できるGaN FET互換のアナログ・コントローラを紹介します。

米Power Electronics News誌
2021年4月
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GaNトランジスタとICは、入力フィルタの電解コンデンサを排除できるので、モーター駆動用途の電力密度を高めることができます。GaNの優れたスイッチング動作は、デッドタイムを取り除き、不整合な正弦波の電圧波形と電流波形が供給されても、よりスムーズで静かな動作を実現することに役立ちます。

独Bodo’s Power Systems
2021年4月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、ePower™StageICのEPC2152が2020年のElektra Award for Semiconductor Product of the Year（Analogue）を受賞したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月30日、当社のePower™ StageのEPC2152 集積回路（IC）が、Semiconductor Product of the Yearのアナログ部門でElektra Award 2020を受賞したと発表しました。この受賞は、3月25日に、英Electronics Weekly誌が主催するバーチャル授賞式で発表されました。これらの権威ある年次賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を表彰するために19年以上にわたって実施されています。審査は、業界の専門家からなる独立した偏りのない、多様で知識豊富なパネルによって行われます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、ロボット、ドローン、3次元センシング、ゲーム、自動運転車などの飛行時間（ToF）型Lidar（光による検出と距離の測定）アプリケーション向けに、より高性能でより小さなソリューション・サイズを実現できる新しい窒化ガリウム（GaN）集積回路（IC）の製品ファミリーを拡張したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月23日、ロボット、ドローン、拡張現実、ゲームのアプリケーションで使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバと、低電圧差動信号（LVDS）論理レベル入力を備えた40 V、10 AのFETを集積したワン・チップのレーザー・ドライバを製品化しました。

GaN技術は急速に発展しており、新世代のより高効率、より小型、より低コストの集積回路のプラットフォームとなる新世代のディスクリート・デバイスが頻繁に製品化されています。GaN集積回路は、製品をより小さく、より速く、より高効率にし、設計を容易にします。

米Power Systems Design誌
2021年3月（36ページ）
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窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、10年以上生産されており、性能とコストの改善だけでなく、GaN技術が電力変換市場に影響を与える最も重要なことは、同じ基板上に複数のデバイスを集積できる固有の属性にあります。これによって、モノリシック電源システムを単一チップ上において、より簡単、より高効率、かつ、より費用対効果の高い方法で設計できるようになります。

米Power Electronics News誌
2021年1月
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EPC9150に搭載した超高速遷移eGaN^® FETであるEPC2034Cは、最大220 Aの大電流パルスと3n s以下のパルス幅を可能にするので、Lidar（光による検出と距離の測定）システムは、より遠くを、より速く、より良く見えるようになります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月16日、200 Vで大電流のパルス・レーザー・ダイオードのドライバ向けデモ・ボード「EPC9150」を製品化したと発表しました。自動運転車用途の3次元マップを作成するために使われるLidar（光による検出と距離の測定）システムでは、対象物検出の速度と精度が重要です。この基板で実証されているように、eGaN FET であるEPC2034Cの高速遷移能力は、同等のMOSFETよりも最大10倍高速に、レーザー・ダイオード、VCSEL（垂直共振器面発光レーザー）、LED（発光ダイオード）を駆動するパワー・パルスを提供し、面積、エネルギー、コストを削減できます。したがって、Lidarシステムの価格だけでなく、精度、解像度、処理速度など、全体的な性能が向上します。

レーザー・ドライバIC製品の新しいファミリーによって、幅広いエンド・ユーザー・アプリケーションで、ToFソリューションの採用が加速され、普及が促進されます。

米オンライン・ニュースHow2Power
2021年3月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、高解像度Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに最適化された逆ゲート・クランプ・ダイオードを搭載した耐圧65 Vの窒化ガリウム・トランジスタEPC2219を製品化し、車載品質規格AEC Q101認定の製品ファミリーを拡張します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月2日、自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar（光による検出と距離の測定）システム向けに設計され、車載品質規格AEC Q101認定を取得した耐圧65 Vの「EPC2219」を製品化したと発表しました。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、フィールドでの実際の動作、またはAECやJEDECの規格に従ってテストしたとき、優れた熱機械的信頼性を示しています。これは、「パッケージ」の本質的な単純さ、すなわち、ワイヤー・ボンド、異種材料、成形材料を使っていないからです。最近、寿命予測を実験的に求めるために、アンダーフィル製品の広範な調査が実施されました。このセクションの最後にある有限要素解析では、実験結果を説明し、主要な材料特性に基づいてアンダーフィルを選択するためのガイドラインを提示します。

独Bodo’s Power Systems
2021年3月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、ロボット、ドローン、3次元センシング、自動運転車など、飛行時間（ToF）型Lidar用途向けに、より高性能で、より小型なソリューションを提供する新しい窒化ガリウム（GaN）集積回路（IC）製品ファミリーの最初の製品を発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月23日、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機で使われる飛行時間ToF（time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバと、3.3 Vの論理レベル入力を備えた40 V、10 AのFETをワン・チップに集積化したレーザー・ドライバを製品化したと発表しました 。

EPCのePower™ Stage集積回路のEPC2152が、今年のElektra Awardsのアナログ部門のSemiconductor Product of the Yearのファイナリストに選ばれました。これらの権威ある年間賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を称え表彰するもので、19年以上にわたって実施されています。

企業は、個々の分野にエントリーするよう求められ、自社の製品がいかに革新的であるか、意図されたアプリケーションに既存の製品よりも、いかにうまく対応するか、そして、さらなるアプリケーションや市場をどのように開拓できるかを実証しなければなりません。審査は、業界の専門家から成る独立した偏りのない、多様で豊富な知識を持つ識者によって行われます。現在のCOVIDの制約によって、今年のElektra Awardsのセレモニーは、3月25日にバーチャルで開催され、受賞者はイベント中に発表されます。

EPCのEPC2152は、高密度アプリケーションや、イーモビリティ、ドローン、ロボットのモーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された80 V、12.5 Aのパワー段ICです。EPC2152は、より高い性能と、より小さなソリューション・サイズを提供し、EPC独自のGaN IC技術を使って、ドライバとeGaN FETのハーフブリッジ・パワー段をワン・チップにしています。ハーフブリッジとして構成されたeGaNの出力FETと共に、入力論理インタフェース、レベル・シフト、ブートストラップ充電、ゲート駆動バッファの各回路がモノリシック・チップに集積されています。これによって、わずか3.9 mm✕2.6 mm✕0.63 mm（10 mm²）と小型のチップスケールLGA封止のデバイスが得られています。

Elektra Awards候補者リスト
2021年2月
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米オンライン・ニュースサイトHow2Powerの先月のSafety＆Complianceコラム「WBG Semiconductorsでは、モーター駆動用途で安全性とEMI（電磁干渉）雑音の課題を提起します」 [1] において、Kevin Parmenter氏は、モーター駆動用途の大市場におけるパワー半導体であるSiC、および、それほど広まってはいませんがGaNの利用の難しさについていくつかの主張をしました。この解説は、そのコラムへの回答であり、GaNが低電圧の統合されたモーターにおいて、ゲームを変えるものになる可能性があることを示しています。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2021年2月
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窒化ガリウム（GaN）デバイスは、小さな形状で高性能を提供し、効率を高め、48 Vの電力変換用途のシステム・コストを削減します。それらは、高密度コンピューティングや多くの新しい自動車用パワー・システムの設計に大量に採用されています。

英Electronic Specifier誌
2021年2月
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ルネサス エレクトロニクスのデュアル同期整流型GaNバック・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaN^® FETの組み合わせによって、シリコンと同じBOM（部品表）サイズとコストで高い電力密度と効率が実現できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月9日、わずか33 mm✕22.9 mm✕9 mm（1.3✕0.9✕0.35インチ）と小さな1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9157」を製品化しました。このデモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95％を超える効率を実現できます。

このポッドキャストでは、Alex LidowとMarti McCurdy氏が、窒化ガリウム（GaN）・デバイスの改善におけるEPCの故障までテストする方法について議論します。Alexによると、故障するまでテストすることによって、EPCは、故障の原因となるストレス源を正確に取り除き、GaNデバイスの信頼性を商用デバイスの10〜100倍、さらには宇宙用途の100倍にまで向上させることができました。

AlexとMartiは以下について話しました：

（1:30）なぜ故障するまでテストするのか
（4:14）故障データとストレス源から学ぶ
（11:38）安全動作領域
（14:30）機械的ストレス源
（17:45）EPC Space

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この記事では、特にチップスケール・パッケージ（CSP）において、電力密度の増加によって熱管理が引き起こす課題について説明します。ただし、見過ごされがちなのは、CSPのeGaN^®のパワーFETと集積回路は、ヒートシンクを取り付けるという簡単な方法で標準的なプリント回路基板に実装すると、優れた熱特性が得られることです。シミュレーションは、実験的検証によってサポートされており、さまざまなパラメータと熱流経路の影響を調べて、性能対コストの設計に関するガイダンスを提供します。

独Bodo’s Power Systems
2021年2月
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この記事では、GaNベースのソリューションとデジタル制御を組み合わせることで、超薄型ノート・パソコンやハイエンドのゲーム・システムなど、高密度コンピューティングのアプリケーションの効率を高め、サイズを縮小し、システム・コストを削減する方法について説明します。コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、および、その他の民生用電子機器システムが過去10年間で、より薄く、より大電力になるにつれて、限られたスペースからより大きな電力を引き出すと同時に、より薄いソリューションという課題に対処する必要性が高まっています。この課題に対処するために、ノート・パソコンまたは超薄型ディスプレイ内に収まるように設計された超薄型の48 V入力、20V出力の電源ソリューション向けのさまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成の比較優位を調べます。

米Power Electronics News誌
2021年1月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、これまでの11本のレポートの広範な知識に加えて、フェーズ12の信頼性レポートを公開します。このレポートによって、EPCは、eGaN^®デバイスにおける2260億時間のフィールド経験と、シリコン・パワー・デバイスでは比類のない丈夫さを実証します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月21日、フェーズ12の信頼性レポートを公表し、卓越したフィールド信頼性の記録を達成するために使われた戦略を文書化したと発表しました。eGaNデバイスは、11年以上にわたって大量生産されており、2260億時間以上の運用で非常に高い信頼性を実証しており、そのほとんどは、厳しい運用条件のアプリケーションをいくつかを挙げると、自動車、高速通信LTEの基地局、衛星などがあります。

米MPS（Monolithic Power Systems）のコントローラとEPCの超効率eGaN^® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのLLC DC-DC変換において、1700 W / 立方インチと最高クラスの電力密度を実現可能にします。