ニュース

新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する

米EPC SpaceがGaNを大気圏の端へ

米EPC SpaceがGaNを大気圏の端へ

GaNを最後のフロンティアに持ち込むため、米EPC Spaceは、宇宙ベースのアプリケーションにおける大電流スイッチング向けに2種類の新しい耐放射線GaNトランジスタを製品化しました。商用衛星の数が増え続けるにつれて、設計者は、電流処理が改善された宇宙対応パワー・エレクトロニクスのためのより多くのオプションを必要としています。

米オンライン・サイトAll About Circuits
2023年9月
記事を読む

続きを読む

モノリシックGaN集積化によって、サイズとコストを削減し、性能を向上

モノリシックGaN集積化によって、サイズとコストを削減し、性能を向上

15 V~350 Vの範囲の窒化ガリウム(GaN)ヘテロ接合電界効果パワー・トランジスタは、電力変換、モーター駆動、Lidar(光による検出と距離の測定)用パルス光などの用途において、効率、サイズ、速度、コストで、シリコンに比べて大きな利点をもたらすことが示されています。GaNの集積化によって、多くの高周波用途に多くのシステム上の利点がもたらされます。GaNの集積化は、まだ始まったばかりですが、時間の経過と共にその利点は確実に拡大します。

独Bodo’s Power Systems
2023年9月
記事を読む

続きを読む

GaN HEMTパッケージによって、宇宙の電力用途におけるデバイスの並列接続が改善

GaN HEMTパッケージによって、宇宙の電力用途におけるデバイスの並列接続が改善

より多くの処理電力で、より複雑な負荷が、軌道上または深宇宙ミッションに配置されると、場合によっては、2つ以上のパワー・スイッチを並列にする必要があります。 ただし、FSMD-A/B/C/Dなどの従来のパワー・デバイス・パッケージと、そのI/Oパッドの準備では、性能を意識した方法で、これらのデバイスの並列接続を実現することが困難です。これらのパッケージ上のゲートとソースの検出パッドは、並列接続されると、ドレインとソースの接続、またはゲートとソースの検出パッドのパッケージ間での最も高効率/最短の相互接続を阻害することになります。したがって、並列構成では、最適化されたドレイン-ソース間負荷回路の性能とゲート-ソース間の検出駆動ループの性能の間には常に妥協点が存在します。この記事では、FSMD-GディスクリートHEMTパッケージを紹介し、GaN HEMTを並列接続するときに、I/Oパッドの再構成によって、これらの制限をどのように克服するかについて説明します。

米How2Power誌
2023年9月
記事を読む

続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FET が5130 W/立方インチのベンチマーク電力密度を実現、人工知能と高度なコンピューティング用途を強化へ

Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FET が5130 W/立方インチのベンチマーク電力密度を実現、人工知能と高度なコンピューティング用途を強化へ

EPC9159は、17.5 mm×22.8 mmと超小型の実装面積に収めた1 kW、48 V/12 VのLLC コンバータで、最先端の電力密度5130 W/立方インチを実現します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月12日、高密度の48 Vサーバー電源やDC-DCコンバータ向けに設計した48 V / 12 VのLLCコンバータ「EPC9159」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、17.5 mm×22.8 mmと小さな実装面積で電力密度 5130 W/立方インチが得られ、1 kWの電力を供給できます。これは、1次側回路と2次側回路の両方で高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム(GaN)・パワー・スイッチを採用することによって実現しています。

続きを読む

太陽光発電用マイクロインバータやパワー・オプティマイザにおけるGaNデバイスの寿命予測

太陽光発電用マイクロインバータやパワー・オプティマイザにおけるGaNデバイスの寿命予測

マイクロインバータとパワー・オプティマイザは、エネルギーの効率と変換を最大化するために、最新のソーラー・パネルで広く採用されています。このような回路構成と実装には通常、最低25年の耐用年数が必要ですが、これは市場での採用にとって重要な課題となっています。低電圧窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイス(VDSの定格<200 V)は有望なソリューションであり、ますます多くの太陽光発電メーカーによって、広く使われています。

この記事では、GaNトランジスタの本質的な基礎となる疲労メカニズムを調査するために、故障するまでのテストのアプローチを採用し、適用しています。この調査によって、太陽光発電用途におけるさまざまなミッション・プロファイルの固有の要求の下で寿命を正確に予測できる物理ベースの寿命モデルの開発が可能になります。

米How2Power誌
2023年8月
記事を読む

続きを読む

並列接続されたeGaN FETを使った3 kW、2相、3レベルの高効率コンバータ

並列接続されたeGaN FETを使った3 kW、2相、3レベルの高効率コンバータ

再生可能エネルギー革命と交通機関の電化が進むにつれて、住宅用エネルギー貯蔵システムの必要性が高まっています。ソーラー・パネルなどの再生可能電源から生成されたエネルギーを蓄電池に充電するには通常、高効率のDC-DCコンバータが必要です。窒化ガリウム(GaN)FETの高速スイッチング速度と低オン抵抗RDS(on)によって、DC-DCコンバータ内の消費電力が削減され、エネルギーの節約に貢献します。この記事では、100~250 Vから40~60 Vへの高効率DC-DCコンバータを設計する方法を説明します。

英Power Electronics Europe誌
2023年5月
記事を読む

続きを読む

車載エレクトロニクスにおける低電圧配電の進化 – ICEからMHEV、BEVまで

車載エレクトロニクスにおける低電圧配電の進化 – ICEからMHEV、BEVまで

車載エレクトロニクスは、過去30年間に、いくつかの進化の時代を経てきました。大部分が機械式またはエンジン駆動システムを備えた純粋な内燃機関(ICE)から、電気的機能が追加されたマイルドハイブリッド(MHEV)へ、そして完全なバッテリー電気自動車(BEV)へという進化です。これら3つの時代のそれぞれで、アーキテクチャ、さらには電力を変換および分配するための基本的な半導体部品が変化しました。この記事では、この進化について議論し、おそらく、さらなる進化の方向性について、いくつか推測をします。

米Power Systems Design誌
2023年8月
記事を読む

続きを読む

米アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)の宇宙用VersalアダプティブSoC(System on Chip)向けのGaNベースの電源管理ソリューション

米アドバンスト・マイクロ・デバイセズ(AMD)の宇宙用VersalアダプティブSoC(System on Chip)向けのGaNベースの電源管理ソリューション

この記事では、ルネサス エレクトロニクスは、コアのISLVERSALDEMO2Zリファレンス・デザインでディスクリートGaNベースの電源を使うことで、宇宙航空電子工学システムのパワー・マネージメント(電源管理)にどのような利点がもたらされるかを説明しています。

米Power Electronics News誌
2023年7月
記事を読む

続きを読む

低電圧で形状が小型のGaN FETの正確な特性評価

低電圧で形状が小型のGaN FETの正確な特性評価

低電圧GaN FETはサイズを小型化し、冷却要件を最小限に抑え、効率を向上させています。

低電圧GaN FET(すなわち100 V)は、多くの従来のSiベース・パワーMOSFETのアプリケーションのサイズを小型化し、冷却要件を最小限に抑え、効率を向上させています。この記事では、これらのデバイスの動的性能の再現性と信頼性の高い特性評価に対する課題について説明します。カスタマイズされたGaNの治具とテスト基板の慎重かつ細心の機械的および電気的設計によって、これらの課題の多くを克服でき、パワー・コンバータ設計で、これらの新しいWBGデバイスを、確信を持って使えるようになります。

米Power Electronics News誌
2023年7月
記事を読む

続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、40 Vの耐放射線 GaN FETを2品種製品化、要求の厳しい宇宙用途向けの新しい性能基準を実現へ

Efficient Power Conversion(EPC)、40 Vの耐放射線 GaN FETを2品種製品化、要求の厳しい宇宙用途向けの新しい性能基準を実現へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、電力変換ソリューション向けの放射線耐性のある(耐放射線)窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、定格62 Aおよび 250 Aの 2種の新しい耐圧40 Vのデバイスを製品化しました。宇宙およびその他の高信頼性の厳しい用途に対応します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は7月18日、定格40 Vの耐放射線(Rad Hard)GaN FET を2品種製品化したと発表しました。「EPC7001」は、実装面積が7 mm2と小さく、耐圧40 V、オン抵抗4 mΩ、パルス電流250 Aの耐放射線GaN FETです。「EPC7002」は、40 V、14.5 mΩ、パルス電流62 Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は1.87 mm2と非常に小型です。いずれのデバイスも、ドレイン-ソース間電圧VDSが最大ブレークダウン定格の100%のとき、総線量定格は1000K Rad(Si) 以上で、LET(線エネルギー付与)に対するSEE(シングル・イベント効果)耐性は 83.7 MeV/mg/cm2です。これらの新しいデバイスは、他の耐放射線ファミリーと同様に、チップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版は、米EPC Space.から入手できます。

続きを読む

繰り返し過電圧スイッチング下でのGaN HEMTのRDS(on)のその場特性評価と寿命予測

繰り返し過電圧スイッチング下でのGaN HEMTのRDS(on)のその場特性評価と寿命予測

過渡電圧オーバーシュートは、高スルーレートのスイッチング条件下でのGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)でよく見られる現象です。このようなストレス下での動的パラメータの不安定性は、GaNのアプリケーションにとって重要な懸念事項です。この調査では、最大数10億スイッチング・サイクルに及ぶ繰り返し電圧オーバーシュート下でのGaN HEMTの動的オン抵抗(RDS(on))の変化を初めて正確に特徴付けました。動的RDS(on)の増加が、過電圧スイッチング時の主要なデバイス劣化であることが分かりました。このような結果は、アクティブ温度制御と正確なその現場RDS(on)のモニタリングを備えた高周波、繰り返し、非クランプの誘導スイッチング(UIS:unclamped inductive switching)テストから得られました。動的RDS(on)ドリフトとピーク過電圧を相関付ける物理ベースのモデルが提案され、実験データとの良好な一致が得られました。このモデルはさらに、GaN HEMTの寿命を予測するために使いました。100 kHz、120 Vのスパイク下でスイッチングした100 V定格のGaN HEMTの場合、このモデルは、25年間の連続動作にわたって、動的RDS(on)シフトが10%以下であると予測しています。この調査は、GaN HEMTの過電圧スイッチングの信頼性に関する主要な懸念に対処し、電子トラップのメカニズムについての新たな洞察を提供します。

IEEE Xplore
Ruizhe Zhang、Ricardo Garcia、Robert Strittmatter、Yuhao zhang、Shengke Zhange
記事を読む(IEEEの購読が必要です)

続きを読む

EPC、最先端の窒化ガリウム・パワー・デバイスの継続供給を確約

EPC、最先端の窒化ガリウム・パワー・デバイスの継続供給を確約

2023年7月3日、中国商務省は、今年8月からガリウムやゲルマニウムなどの金属資源の輸出に一定の制限を設けると発表しました。EPCのウエハー技術は、「GaNオン・シリコン」ですが、各デバイスに含まれるガリウムの量は微量です。入手可能なガリウムの供給源は世界中に多くあり、EPCの必要量は比較的少ないため、短期または長期の供給中断はないとみています。

続きを読む

モノリシックGaN集積化によって、サイズとコストを削減し、性能を向上

モノリシックGaN集積化によって、サイズとコストを削減し、性能を向上

15 V~350 Vの範囲の窒化ガリウム(GaN)ヘテロ接合電界効果パワー・トランジスタは、電力変換、モーター駆動、Lidar(光による検出と距離の測定)用パルス光などの用途において、効率、サイズ、速度、コストで、シリコンに比べて大きな利点をもたらすことが示されています。GaNの集積化によって、多くの高周波用途に多くのシステム上の利点がもたらされます。GaNの集積化は、まだ始まったばかりですが、時間の経過と共にその利点は確実に拡大します。

独Bodo’s Power Systems
2023年6月
記事を読む

続きを読む

GaNの電力変換ソリューションが次世代アプリケーションに向かう

GaNの電力変換ソリューションが次世代アプリケーションに向かう

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のFETとICのリーダーであるEPCは、ドイツのニュルンベルクで開催されたPCIM Europe 2023でGaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介しました。同社の創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、パワー業界と、GaNデバイスがパワー業界に与えている影響について話を聞きました。

米Electronic Design誌
2023年5月
ビデオを見る

続きを読む

ポッドキャスト:耐放射線および新しい宇宙用途におけるGaNの信頼性におけるEPCの進歩

ポッドキャスト:耐放射線および新しい宇宙用途におけるGaNの信頼性におけるEPCの進歩

Spirit:Behind the Screenのこのエピソードでは、米Spirit ElectronicsのCEO(最高経営責任者)のMarti McCurdyが、EPCのCEOのAlex Lidow(アレックス・リドウ)およびマーケティング・ディレクタのRenee YawgerとGaNの進歩について話します。彼らは、EPCのフェーズ15の信頼性レポートに詳述されている広範なテスト、故障モード、デバイス寿命だけでなく、強い放射線下でのGaNの性能についても議論しています。GaNの可能性は、まだ探求されておらず、新しいハーフブリッジ・ドライバ、ローサイド・ドライバ、フルパワー段などの新しいEPC製品が次々と製品化されているため、GaNは、特に新宇宙や商業宇宙の用途に役立ちます。

Spirit: Behind the Screen
ポッドキャストを聞く

続きを読む

Efficient Power Conversion、新たに出現したGaN技術の特許保護を求めてITCで競合する中国のInnoscienceを提訴

Efficient Power Conversion、新たに出現したGaN技術の特許保護を求めてITCで競合する中国のInnoscienceを提訴

シリコンに代わる次世代技術にスポットライトを当てる事件

(カリフォルニア州エルセグンド) - 窒化ガリウム(GaN)技術の世界的リーダーであるEfficient Power Conversion Corporation(EPC)は本日、自社の基本的な特許ポートフォリオのうち4件の特許に関して、中国のInnoscience(Zhuhai) Technology Company, Ltd.、および、その関連会社(Innoscienceと総称)に対する告訴状を連邦裁判所と米国際貿易委員会(ITC)に提出しました。これらの特許は、EPC独自のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー半導体デバイスの設計および製造プロセスの中核をカバーしています。これらの特許には、GaNベースのパワー・デバイスを、研究プロジェクトから、シリコン・ベースのトランジスタに代わる大量生産可能な大量生産製品へ、および、より高効率、より小型、より低コストのGaNデバイスを備えた集積回路へと発展されることを可能にしたイノベーションが含まれています。

続きを読む

DC-DC変換やBLDCモーター駆動のアプリケーションで次世代モノリシック集積GaNハーフブリッジ・パワー段を使うことによる性能上の利点

DC-DC変換やBLDCモーター駆動のアプリケーションで次世代モノリシック集積GaNハーフブリッジ・パワー段を使うことによる性能上の利点

GaNのモノリシック集積化は、さまざまな機能を備えたハーフブリッジのゲート・ドライバなど、複雑な回路が実現できるまでに成熟しました。この記事では、モノリシック・ハーフブリッジ集積回路の恩恵を受けるDC-DC変換やBLDCモーター駆動のアプリケーション例について説明します。

米Power Electronics News誌
2023年5月
記事を読む

続きを読む
RSS
245678910Last