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Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETを使った150 ARMSのモーター駆動用リファレンス・デザインを製品化、イーモビリティ、フォークリフト、大電力ドローンに最高の性能を提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETを使った150 ARMSのモーター駆動用リファレンス・デザインを製品化、イーモビリティ、フォークリフト、大電力ドローンに最高の性能を提供へ

GaNベース・インバータのリファレンス・デザインEPC9186は、大電力用途のモーター・システムの性能、範囲、精度、トルクを強化します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月9日、eGaN® FETのEPC2302を使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9186」を製品化したと発表しました。EPC9186は、14 Vから80 Vまでの幅広い入力直流電圧をサポートしています。EPC9186の大電力能力は、電動キックボード、小型電気自動車、農業機械、フォークリフト、大電力ドローンなどのアプリケーションに使えます。

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太陽光発電用途におけるeGaNデバイスの信頼性と寿命の正確な評価のための故障するまでテストするという方法論

太陽光発電用途におけるeGaNデバイスの信頼性と寿命の正確な評価のための故障するまでテストするという方法論

最新のソーラー・パネルには、より高い電力密度と、より長い動作寿命が求められています。パワー・オプティマイザや、マイクロインバータを内蔵したパネルなどの太陽光発電用途では、ソーラーのユーザー数が増加していることが一般的な傾向になりつつあります。ここでは、低電圧GaNパワー・デバイス(ドレイン-ソース間電圧VDS<200 V)が広く使われています。

独Bodo’s Power Systems
2023年5月
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BLDCモーター駆動向けに成長するGaNのエコシステム

BLDCモーター駆動向けに成長するGaNのエコシステム

窒化ガリウム(GaN)のトランジスタとICは、BLDCインバータの要求を満たすために最適な特性を備えています。GaNの優れたスイッチング能力によって、デッドタイムを取り除き、PWM(パルス幅変調)周波数を高くすることで、比類のない正弦波の電圧波形と電流波形が得られ、より高いシステム効率でよりスムーズで静かな動作を実現できます。

米Power Systems Design誌
2023年5月
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Efficient Power Conversion(EPC)、当社のGaN FETと米アナログ・デバイセズのコントローラを使って、安定化DC-DCコンバータで最高の電力密度を実現へ

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のGaN FETと米アナログ・デバイセズのコントローラを使って、安定化DC-DCコンバータで最高の電力密度を実現へ

EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを発表し、効率96.5%以上を達成しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月2日、デュアル出力の同期整流型バック(降圧型)・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9158」を製品化したと発表しました。この基板は、スイッチング周波数500 kHzで動作し、48 V~54 Vの入力電圧を、安定化された12 V出力に変換し、1相当たり最大25 A、または、合計連続電流50 Aを供給できます。EPCの超効率GaN FETと、米アナログ・デバイセズの新しい同期整流型GaNバック・コントローラLTC7890との組み合わせによって、高電力密度用途向けの小さなフットプリントで、非常に高効率なソリューションを構成できます。このソリューションは、48 V入力、12 V出力、連続電流50 Aで、効率96.5%を達成しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、当社のGaNのエキスパートたちがPCIM Europe 2023で最新世代のパワー半導体を展示すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のGaNのエキスパートたちがPCIM Europe 2023で最新世代のパワー半導体を展示すると発表

EPCのGaNのエキスパートたちは、PCIM Europe 2023に参加し、さまざまな実際のアプリケーションで最新世代のGaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月25日、5月9日~11日にドイツのニュルンベルグで開催されるPCIM Europe 2023で、GaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介します(以下の詳細なスケジュールを参照してください)。さらに、展示ホール9、スタンド318で、多種多様なユーザーの最終製品に使われている最新のeGaN® FETとICをデモします。

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EEcosystemポッドキャスト:Alex Lidow博士:パワーMOSFETの背後にある心とGaN の台頭

EEcosystemポッドキャスト:Alex Lidow博士:パワーMOSFETの背後にある心とGaN の台頭

米オンライン・サービスEEcosystemのポッドキャストのこのエピソードでは、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)博士がゲストとして登場します。このエピソードでは、Alexについてもっと知り、MOSFETとGaNの台頭について学びます。MOSFETは、どのようにして急速に成長したのか? GaNの採用を牽引している技術とその理由。GaNの採用に対する潜在的な障害についても説明します。さらに多くの質問は、進行するにつれて答えられます! 詳細については、このエピソードを聞いてください

2023年4月
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高効率なバッテリー駆動BLDCモーター推進システムにGaNパワー段を統合する方法

高効率なバッテリー駆動BLDCモーター推進システムにGaNパワー段を統合する方法

この記事では、GaNベースのパワー段の利点について説明し、ハーフブリッジ構成で実装されたEPCのサンプル・デバイスを紹介します。関連する開発キットを使ってプロジェクトを迅速に開始する方法を説明します。その過程で、設計者はBLDCモーターのパラメータを測定し、米マイクロチップ・テクノロジーのmotorBench開発スイートを使って、最小限のプログラミング作業でセンサーレス・フィールド・オリエンテーション制御(FOC)によって動作させる方法を学びます。

米Digi-Key Electronics
2023年4月
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Efficient Power Conversion(EPC)、GaNトランジスタが要求の厳しい宇宙用途に最新の耐放射線技術をもたらすと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNトランジスタが要求の厳しい宇宙用途に最新の耐放射線技術をもたらすと発表

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格100 Vと200 Vの 2種の新しいデバイスを製品化しました。これによって、電力変換ソリューション向けの耐放射線(Rad-hard)窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張したので、多数の過酷な宇宙用途や、その他の高信頼性用途に対応できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月11日、2種の新しい耐放射線GaN FETを製品化したと発表しました。1つは「EPC7020」で、定格200 V、オン抵抗11 mΩ、パルス電流170 Aの耐放射線GaN FETであり、面積が12 mm2と小型です。もう1つの「EPC7003」は、100 V、30 mΩ、パルス電流42 Aの耐放射線GaN FETで、面積は1.87 mm2と超小型です。いずれのデバイスも、総線量の定格が1000K Rad(Si)以上で、定格ブレークダウンの最大100%のドレイン-ソース間電圧VDSで 83.7 MeV/mg/cm2の LET(Linear Energy Transfer)に対するSEE(シングル・イベント効果)耐性があります。これらの新しいデバイスは、このほかの耐放射線(Rad Hard)ファミリーのEPC7019, EPC7014EPC7004EPC7018EPC7007と共に、商用eGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版はEPC Spaceから入手できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、GaNの信頼性に関するフェーズ15のレポートを公開、実際のアプリケーションでのGaNデバイスの寿命を予測

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNの信頼性に関するフェーズ15のレポートを公開、実際のアプリケーションでのGaNデバイスの寿命を予測

Efficient Power Conversion(EPC)は、フェーズ15の信頼性レポートを公開し、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースを追加します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月4日、フェーズ 15の信頼性レポートを公開したと発表しました。これは、故障するまでテストするという方法論を使った継続的な作業を文書化し、太陽光発電のオプティマイザLidar(光による検出と距離の測定)用センサーDC-DCコンバータなどの実際のアプリケーションに対する特定の信頼性の指標と予測を追加しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICは電力密度を高め、電力需給全体にわたって設計を簡素化すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICは電力密度を高め、電力需給全体にわたって設計を簡素化すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)は、フットプリントの互換性があるePower™ Stage IC のファミリーを拡張して、電力密度を高め、DC-DC用途、モーター駆動、D級オーディオ・アンプのさまざまな電力要件に対応する設計を簡素化します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月21日、定格が15 Aの「EPC23104」と25 Aの「EPC23103」の 2種の新しい耐圧100 Vのパワー段 ICを製品化したと発表しました。この2種のデバイスは、EPCが提供する100 V、35 Aのパワー段ICであるEPC23102のシリーズに加わります。

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GaN ePower™ IC搭載パワー・ステアリング

GaN ePower™ IC搭載パワー・ステアリング

電動パワー・ステアリング(EPS)では、油圧システムが必要な場合にのみ運転者を支援する電気モーターに置き換えられています。デジタル・アシスタンス・コントロールは、運転状況に合わせてオンラインで変更できます。ただし、考慮すべき設計上の制約がいくつかあります。1つは、運転者がタイヤからの感覚的なフィードバックを逃したくないということです。特に、トラックなどの大型車両の場合はそうです。その他の制約は、特に無人搬送車の場合、安全規則によって決定されます。これらの制約によって、効率的で正確な冗長システムを採用する必要があります。窒化ガリウム技術は、これらすべての分野で設計者を支援します。

米Power Electronics News誌
2023年3月
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Efficient Power Conversion(EPC)、中国Shargeが大電力 USB PD規格充電器に当社のGaN FETを選択したと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、中国Shargeが大電力 USB PD規格充電器に当社のGaN FETを選択したと発表

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月15日、中国のSHARGE Technology(SHARGE)と協力して、電力表示画面を備えた67 W のUSB PD 充電器を設計したと発表しました。このRetro 67急速充電器は、EPCの100 VのGaN FETであるEPC2218を採用しています。このデバイスは、面積が3.5 mm×1.95 mmと小さく、パルス電流231 Aを供給することができ、USB PD規格の急速充電器向けのシリコン MOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

EPC2218は、SHARGEのすべてのGaN急速充電器に、より高い効率、最先端の電力密度、より低いシステム・コストを提供します。

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GaN世代の電力変換用パワー・パッケージング

GaN世代の電力変換用パワー・パッケージング

2010年3月にGaNオン・シリコンのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタが発売されて以来、シリコン・ベースのパワーMOSFETの採用と置き換えに向けて、ゆっくりですが単調なシフトがありました。最初の採用は、Lidar(光による検出と距離の測定)、ハイエンドのオーディオ・アンプ、ロボット、車両のヘッドランプ、高性能DC-DCコンバータなどのアプリケーションのリスクを冒す先見の明のある人々によってもたらされました。電力変換用のGaNの拡大が初期の採用者たちを以外にも広がるためには、WLCP(ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ)よりも使いやすい形を開発する必要がありました。ただし、この形にするためには、小型、低オン抵抗RDS(on)、高速、優れた熱伝導率、および低コストという重要な属性を維持する必要がありました。言い換えれば、最良のパッケージは、技術的に可能な最小容量のパッケージということになります。PQFNを入力してください・・・

独Bodo’s Power Systems
2023年3月
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48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで48 V/12 Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計

48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで48 V/12 Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計

政府による気候変動対策の強化に伴って、自動車メーカーは、早急に新しい技術を活用して、内燃エンジンから電気駆動の自動車に切り替えることで対応しようとしています。この記事では、効率96%を達成し、48 Vのマイルドハイブリッド・システムを対象としたGaN FETを使った2 kW、2相で、48 V/12 Vの間の双方向コンバータの設計を紹介します。

米PSD North America誌
2023年3月
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EPC(Efficient Power Conversion Corporation)、APEC 2023で当社のGaNのエキスパートたちと会って、最新世代のパワー半導体が複数の業界にわたってどのように最高クラスの電力密度を提供しているかをご確認ください

EPC(Efficient Power Conversion Corporation)、APEC 2023で当社のGaNのエキスパートたちと会って、最新世代のパワー半導体が複数の業界にわたってどのように最高クラスの電力密度を提供しているかをご確認ください

EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、さまざまな実世界のアプリケーションにおける最新世代の GaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月7日、3月19日~23日に米国フロリダ州オーランドで開催される IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC 2023)のプレミア・パワー・エレクトロニクス・カンファレンスで複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました(以下の詳細なスケジュールを参照)。さらに、Orange County Convention Centerのブース番号732で、高電力密度コンピューティングイーモビリティロボット太陽光発電、バッテリー充電など、多くのアプリケーションにおける最新世代のeGaN® FETとICをデモします。市場で入手可能なGaNパワー半導体の最も幅広いポートフォリオである「Wall of GaN」を見るために、お立ち寄りください。

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Efficient Power Conversion(EPC)、GaNの集積化パワー段を製品化、高電力密度、低背のUSB PD 3.1規格充電器ソリューションに最適

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNの集積化パワー段を製品化、高電力密度、低背のUSB PD 3.1規格充電器ソリューションに最適

EPCは、マルチポート充電器向けの新しいUSB PD 3.1規格の厳しい要求や、28 V~48 V入力、12 Vまたは20 V出力のマザー・ボード搭載DC-DC変換に対応する高電力密度、低背のDC-DCコンバータ向けに、eGaN® ICベースのリファレンス・デザインEPC9177を製品化しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月28日、スイッチング周波数720 kHzで動作するデジタル制御された単一出力の同期整流型バック(降圧)・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9177」を製品化したと発表しました。48 V、36 V、28 Vの入力電圧を、安定化した12 V出力に変換し、最大20Aの連続出力電流を供給できます。

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EPCが第6世代のeGaNを発表

EPCが第6世代のeGaNを発表

Efficient Power Conversion(EPC)が製品化した新しい第6世代のデバイスは、同等のシリコンMOSFETの1/5と小型で、前世代のeGaNデバイスの2倍強力です。ビデオでCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)に聞きました。

エレクトロイクス・ニュース・サイトの独Electroniknet.de
2022年11月29日
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Efficient Power Conversion(EPC)、高効率と設計の柔軟性を実現する定格200 V、オン抵抗10 mΩのGaN FETを発売、フットプリント互換QFNパッケージのデバイス・ファミリーを拡大へ

Efficient Power Conversion(EPC)、高効率と設計の柔軟性を実現する定格200 V、オン抵抗10 mΩのGaN FETを発売、フットプリント互換QFNパッケージのデバイス・ファミリーを拡大へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格200 V、オン抵抗10 mΩのEPC2307を発売し、定格100 V、150 V、200 Vの 6種の GaNトランジスタのファミリーを完成させました。これによって、DC-DC変換、AC/DCのスイッチング電源と充電器、ソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高い性能、より小さなソリューション・サイズ、および設計の容易さを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は1月31日、定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。

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複数のアプリケーション環境におけるSICとGaNの展望と課題に関するパネル・ディスカッション

複数のアプリケーション環境におけるSICとGaNの展望と課題に関するパネル・ディスカッション

エレクトロニクスの国際展示会Electronica 2022のこのパネル・ディスカッションでは、複数のアプリケーション環境におけるSiCとGaNの利点と課題、および、大量生産能力と価格など広範な採用のために克服すべき最後の障壁について説明します。

米Power Electronics News誌
2023年1月
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