Efficient Power Conversion（EPC）は、定格200 V、オン抵抗10 mΩのEPC2307を発売し、定格100 V、150 V、200 Vの 6種の GaNトランジスタのファミリーを完成させました。これによって、DC-DC変換、AC/DCのスイッチング電源と充電器、ソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高い性能、より小さなソリューション・サイズ、および設計の容易さを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月31日、定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。

48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで、48V/12Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計の調査

英ニュース・サイトElectronics Today
2023年1月
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エレクトロニクスの国際展示会Electronica 2022のこのパネル・ディスカッションでは、複数のアプリケーション環境におけるSiCとGaNの利点と課題、および、大量生産能力と価格など広範な採用のために克服すべき最後の障壁について説明します。

米Power Electronics News誌
2023年1月
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EPCは、車載品質の規格AEC-Q101認定のGaN FETである耐圧80 VのEPC2252を発売し、車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、および低インダクタンスのモーター駆動に向けたシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月24日、実装面積1.5 mm×1.5 mmで、パルス電流75 A、耐圧80 V、オン抵抗1.1 mΩの「EPC2252」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。自動運転や、その他のADAS（先進運転支援システム）の用途、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、低インダクタンス・モーターの駆動に使う車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）用シリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスをパワー・システム設計者に提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、レーザーの飛行時間（time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）向けに、80 V、15 Aのパルス・レーザー・ドライバICを製品化しました。

英Electronics Weekly紙
2023年1月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、掃除機、ロボット、3次元セキュリティ・カメラ、3次元センシングなどの飛行時間（ToF）型 Lidar用途向けに、15 Aのパルス電流能力を備えた80 Vのレーザー・ドライバICの EPC21701を製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月17日、ロボット、監視システム、掃除機で使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバや3.3 Vの論理レベル入力を備えた80 V、40 AのFETをワン・チップにモノリシック化したレーザー・ドライバ「EPC21701」を製品化したと発表しました。これは、ジェスチャ認識、飛行時間 （ToF）測定、ロボット・ビジョン、産業用の安全確保のためのLidarシステムに合わせて設計されています。

EPCと台湾Richtekは、昇降圧コントローラRT6190と、EPCのGaN FETであるEPC2204を使って、効率98%以上を実現するリファレンス・デザインを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月12日、台湾のRichtek Technologyと協力して、12 V～24 Vの入力電圧を5 V～20 Vの安定化した出力電圧に変換し、5 Aの最大連続電流、および6.5 Aの最大電流を供給できる4スイッチの双方向昇降圧（バック・ブースト）コントローラのリファレンス・デザイン基板を製品化したと発表しました。Richtekの新しいRT6190コントローラとEPCの超高効率 GaN FET であるEPC2204を組み合わせることで、高電力密度用途向けの従来のソリューションと比べて、ソリューションのサイズを20%以上小型化できます。このソリューションは、20 Vおよび12 Vの出力電圧で98%を超える効率を実現し、連続電流5 Aのとき、20 V入力、5 V出力の場合は15℃以下、12 V入力、20 V出力の場合は55℃以下の最高温度上昇でヒートシンクなしで動作できます。

世界をリードするアナログIC設計会社である台湾のRichtek Technologyは、窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・マネージメント（電源管理）技術の大手プロバイダであるEPCと協力して、高速充電用途向けの新しいリファレンス・デザインを製品化し、高い電力密度と最大効率98%を実現しました。

台湾の電子業界向け日刊紙DigiTimes
2023年1月
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電力変換技術は、バイポーラからMOSへの移行以来、最初の地殻変動を経験しています。もちろん、その変化は、ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスの急速な普及によるものです。現時点では、GaNは単なる特殊技術ではありません；これは、数10億米ドル規模の市場である30 Vから650 Vまでの範囲の用途において、シリコンMOSFETの広範な代替品です。

米Power Electronics News誌
2022年12月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用のオプティマイザやマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズと低コストを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月14日、表面が露出し、実装面積が3 mm×5 mmと小さい熱的に強化されたQFNパッケージに収めた耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売したと発表しました。

従来のトランジスタのスケーリングの継続的な進歩にもかかわらず、半導体産業は、変曲点に達しています。より速く、より小さく、よりスマートで、エネルギー効率の高いチップに対する需要は、新しい設計と製造のパラダイムを必要としています。この電子ブックには、技術と市場の専門家である半導体調査会社の英Future HorizonsのMalcolm Penn；ルネサスエレクトロニクスのTim BurgessとBernd Westhoff；市場調査会社の仏Yole GroupのJean-Christophe Eloy；ベルギーの研究機関imecのLuc Van den hove；Yole GroupのYole IntelligenceのEzgi Dogmus、Poshun Chiu、Taha Ayari；Efficient Power Conversion のAlex Lidow（アレックス・リドウ）；米ノースカロライナ州立大学の研究機関PowerAmericaのVictor Veliadis；市場調査会社の英IDTechExのRichard CollinsとYu-Han Chang；研究機関の仏CEA-LetiのJean-René Lèquepeysからの寄稿が収められています。

米EETimes誌
2022年12月
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コンピューティングやデータセンターにおける計算能力の増大と電子機器の小型化によって、48 Vの電力の供給や変換システムに対する圧力がますます高まっています。高効率で電力密度の高いコンバータによって、システム・レベルでの電力損失を削減すると同時に、形状を小型化することができます。これに関連して、GaN技術と組み合わせたLLC共振回路構成は、複数の例で実証されているように、優れた性能を実現することに成功しています。 この記事では、eGaN^® FETを使った48 Vから12 VへのLLCコンバータで、4 kW／立方インチを超える電力密度を達成するための主要な設計パラメータと部品を示します。

米Power Electronics News誌

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EPCは、80 Vの車載品質AEC-Q101認定の新しい GaN FETを2品種発売し、自動車の48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、インフォテインメント、自動運転用Lidar向けのシリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月8日、面積が2.5 mm×1.5 mmでパルス電流125 Aを供給できる耐圧80 V、オン抵抗6 mΩの「EPC2204A」、および 面積3.5 mm×1.95 mmでパルス電流231 Aを供給する80 V、3.2 mΩ の「EPC2218A」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。48 Vと12 Vの間の変換用の車載用DC-DC、インフォテインメント、自動運転用Lidar（光による検出と距離の測定）向けのシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、台湾のヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター（VIS）と協力して 8インチ・ウエハーの処理能力を拡大することによって、窒化ガリウム電力変換における市場のリーダーシップを強化します。

E窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETと集積回路（IC）の世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月6日、専用 ICファウンドリー ・サービスの大手プロバイダである台湾ヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター VIS）と、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体を生産するための複数年の生産契約をしたと共同発表しました。EPCは、VISの8インチ（200 mm）・ウエハーの処理能力を利用して、EPCの高性能GaNのトランジスタと集積回路の製造能力を大幅に拡大します。製造は2023年初頭に開始されます。

Guy MoxeyとEPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）の対談で、GaNと、米ウルフスピードの炭化ケイ素が私たちの生活をどのように変えているか、そして、これらの技術の未来が私たちをどこに連れて行ってくれるかを探ります。

米ウルフスピード
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このホワイト・ペーパーでは、電気マイクロモビリティの分野におけるモーター駆動用途向けの最新世代の低電圧（最大80 V）窒化ガリウム（GaN）・デバイスの用途について説明します。電力が1500 Wの軽い電動牽引（電動キックボードなど）向けの2レベル・インバータ構成が検討されています。インバータのレッグの各スイッチに2個のGaN FETを並列接続した実験用基板を用意しました。デバイス固有のパラメータの広がりと、回路とプリント回路基板の両方の漏れインダクタンスによる過渡状態と定常状態の両方での電流配分への影響を評価しました。この論文では、いくつかのシミュレーションを実行し、説明します。さらに、インバータの実験基板を使って、さまざまな負荷条件での相の電圧と電流を評価しました。最後に、温度制限対相電流の変動を評価しました。

IEEE 2022 AEIT International Annual Conference (AEIT)
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注：このサイトで完全な論文にアクセスするには、IEEEのメンバーシップが必要です。

electronica 2022のこのインタビューで、Alex Lidowは米EE Times誌のこの50年間の技術について、さらに、この業界の次の課題や、GaNの成長について語っています。「GaNによって上書きされるMOSFETが支配的な650 V以下について」。

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GaNパワー・デバイスは、さまざまな形態の放射線に曝されたときに、耐放射線のMOSFETよりも丈夫なので、宇宙での電力変換用途に最適な選択肢となるはずです。GaN の電気的および熱的な性能は、宇宙環境での優れた動作も実証しています。このポッドキャストでは、米EPC Spaceの最高経営責任者（CEO）であるBel Lazarが、宇宙産業におけるGaNの重要性を分析します。同社のCEOとしての役割に加えて、同氏は現在、Efficient Power Conversion（EPC）のCOO（最高執行責任者）も務めています。

米EETimes誌
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この記事で、EPCは、第6世代GaN FETの性能の向上と、その結果として得られるデバイスが前世代のデバイスと同じオン抵抗RDS(on)を半分のチップ・サイズで実現する方法について説明します。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2022年11月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩのGaN FETであるEPC2619を製品化しました。このデバイスは、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小さく、DC-DC変換、モーター駆動、12 Vから20 Vへの同期整流などの高電力密度用途向けに、従来の MOSFETよりも高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月15日、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩの「EPC2619」を製品化したと発売しました。このデバイスは、当社の前世代の製品と比べて、2倍の電力密度が得られる新世代eGaNデバイスの主要製品です。