Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、この製品ファミリーに5番目の耐放射線デバイスを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月30日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7004」を製品化すると発表しました。EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm²と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7004、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019、EPC7018は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、現在市場に出回っている100 Vの耐放射線トランジスタの中で最もオン抵抗が小さい100 Vのデバイスを製品化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月14日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7018」を製品化すると発表しました。EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm²と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7018、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019は、市販のeGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、技術者が製品サポートを受けたり、質問したり、GaN技術の利用に関するアイデアを共有したりするためのフォーラムを立ち上げました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月8日、技術者が製品と設計サポートにアクセスし、窒化ガリウム（GaN）・ベースのパワー技術の利用に関するアイデアを共有するための環境として、ユーザー・コミュニティ「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表しました。このフォーラムは、技術者、技術系学生、および、すべてのGaNの支援者のために立ち上げられ、ユーザーがGaN関連の質問を送信し、ユーザー・コミュニティとアイデアを共有する機会を提供します。質問は、トピック分野、トップ・トピック、最新の投稿で検索できます。ユーザーは、質問を送信するだけでなく、投稿の「共有」リンクを介してフォーラム内から過去の質問と回答を共有できます。

このPCIMインタビューでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、EPCによって開発されたGaN FETとICが、自律性やその他の視覚ベースのシステムを可能にする高解像度Lidar（光による検出と距離の測定）に必要な短いパルス幅をどのように実現するかを説明します。

米Electronic Design誌
2022年5月
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エピソード5では、ホストのDr. Sanjay Guptaと、ゲストのEfficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が対談し、GaNが無線充電の未来をどのように前進させているかを探ります。ワイヤレス・パワーの成熟と採用が進むにつれて、この業界は、性能、効率、ユーザー体験を向上させるソリューションを必要としています。窒化ガリウムは、従来のシリコンで実現できるよりも大電力のアプリケーションを可能にするために不可欠であり、ラップトップ、ドローン、ロボット、電動工具、電動自転車、産業機器など、複数の機器やより多様な機器を充電するための扉を開きます。GaNトランジスタを採用した無線充電回路も、同じ電力レベルを処理できるシリコン・デバイスよりも1/5〜1/10へと小型になっています。

ワイヤレス・パワー技術推進団体AirFuelアライアンス
2022年5月
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GaNベースのインバータのリファレンス・デザインEPC9173は、モーター・システムのサイズ、性能、範囲、精度、トルクを向上させるため、設計を簡素化して製品の市場投入までの時間を短縮します。このインバータのサイズが非常に小さいため、モーターのハウジングに統合でき、EMI（電磁干渉）雑音が最小になり、密度が最大になり、重さが最小になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月2日、ゲート駆動回路の機能が組み込まれたeGaN^® IC のEPC23101と、オン抵抗3.3 mΩのフローティング・パワーGaN FETを使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9173」の製品化を発表しました。EPC9173は、20 V〜85 Vの入力電源電圧で動作し、最大ピーク電流50 A_pk（電流の実効値35 A_RMS）を供給できます。この電圧範囲と電力レベルによって、このソリューションは、電動自転車、電動キックボード、シティ・カー、ドローン、ロボットなど、さまざまなモーター駆動用途に最適です。

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.1 mΩのGaN FETであるEPC2066を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月25日、GaN FETの「EPC2066」（オン抵抗の標準値0.8 mΩ、耐圧40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。

ルーマニアのEasy Engineering誌は、EPCのマーケティング部門ディレクタのRenee Yawgerに、GaN採用の現状とGaN技術の将来についてインタビューしました。

EルーマニアのEasy Engineering誌
2022年5月
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Sensitronは、Efficient Power Conversion（EPC）の350 VのeGaN^® FETであるEPC2050を使ったGaNハーフブリッジ・モジュールSPG025N035P1Bを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月17日、米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET （EPC2050）に置き換えることで、ソリューションのサイズを60％小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。サイズとコストの削減は、最新世代のGaNパワー・モジュールを設計する際のSensitronの重要な関心事でした。同社のSPG025N035P1Bは、ゲート駆動回路を搭載した350 V、20 Aの高電力密度GaNハーフブリッジであり、浮遊インダクタンスと500 kHzでのスイッチング特性が最適化されています。この定格20 Aのモジュールは、3 kW以上の制御に使えます。超小型軽量の高電力密度パッケージ（1.10インチ×0.70インチ×0.14インチ、1インチは2.54 cm）での同社独自の上面冷却技術によって、最適な熱特性が得られています。SPG025N035P1Bは、商業、産業、航空宇宙用のアプリケーション向けに設計されました。

EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月10日、GaN FET の「EPC2071 」（オン抵抗の標準値1.7 mΩ、耐圧100 V）を発売したと発表しました。これによって、既製の低電圧窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大します。

新しい技術が採用の転換点を過ぎたことを知る1つの方法は、現状を支持する声によるものです。より保守的な声は、転換点で発生する急速な軌道修正を考えると、新しい設計の不十分な決定につながる可能性がある古い情報を引用する傾向があります。GaNパワー・デバイスの世界では、過去2年間に転換点が発生し、新しいGaNベースの設計の割合が前年比で2倍になり、従来のMOSFET設計は、微調整されたために重大な供給不足、柔軟性の低いサプライ・チェーンに直面し始めました。一方、GaNデバイスは、古いシリコン・ファウンドリーを利用した比較的新しく柔軟なサプライ・チェーンのため、ほとんどの主要な販売代理店に在庫がありますが、これらのファウンドリーに新しく活気のある未来をもたらします。この記事では、記事や会議でまだ見られる一般的な誤解のいくつかに対処します。これらは通常、現状の支持者によって提示されています。

独Bodo’s Power Systems
2022年5月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm²と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。

英Electronic Specifier誌
2022年5月
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EPCのGaNのエキスパートたちが、PCIM Europe 2022に参加し、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなど、多くの業界にわたって、電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを実施します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月26日、EPCのチームが、5月10〜12日にドイツのニュルンベルクで開催されるPCIM Europe 2022で、窒化ガリウム（GaN）技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました（以下の詳細なスケジュールを参照）。加えて、最新のeGaN^® FETとICを、ホール9、スタンド113でさまざまなユーザーの最終製品をデモします。

このビデオでは、Alex Lidow（アレックス・リドウ）が、自身のキャリア、家族、大学生活、博士課程についての考えを語ります。もちろん、エネルギーのトレンド、パワー・エレクトロニクスのエコシステムの準備できているGaNへの移行についても語ります。そして次の週末には最高級のワインをお楽しみください！

米Power Electronics News誌
2022年4月22日
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Efficient Power ConversionのEPC2050は、エンハンスメント・モードのGaNパワー・トランジスタです。350 Vを超えるドレイン-ソース間電圧、55 mΩのドレイン-ソース間オン抵抗、1.3 Vのゲートしきい値電圧を備えています。

米オンライン・ニュースeverything PE
2022年4月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、車載品質のトランジスタと集積回路のファミリーに最新の製品を追加し、ロボット、ドローン、3次元センシング、自動運転車などの飛行時間（ToF）型Lidar（光による検出と距離の測定）用途向けに高性能で小型のソリューションを提供します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月20日、定格100 V、オン抵抗58 mΩ、パルス電流20 Aの共通ソースのデュアル窒化ガリウムFET「EPC2221」を発売したと発表しました。EPC2221は、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機向けのLidar（光による検出と距離の測定）システムで使えます。

この記事では、6.7 MHzで動作する120 VDC入力を備えた2相DC/DC GaNコンバータを紹介します。120 VDCは、国際宇宙ステーション（ISS）の2次電力システムの標準電圧レベルです。米Tell-i Technologiesの新しく開発されたSDK基板は、GaN FETの高電力密度と超高速スイッチングを使って、通常のスイッチング速度を超えるために2つのフェーズを使います。ISSなどのシステムで使われている標準の120 Vバス電圧をサポートするマルチフェーズ構成によって、インタリーブ・コンバータは3 MHz、5 MHz、および卓越した6.87 MHzで効果的なスイッチングを実現できます。最適で小型なレイアウトは、ゲート駆動回路とパワー・ループを小さくするために、4個のGaNトランジスタEPC2019と2個のゲート・ドライバLMG1210を使って実現しています。

米Power Electronics News誌
2022年4月
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EPC2050は、パワー・システム設計者向けに、耐圧350 V、最大オン抵抗80 mΩ、ピーク電流26 Aのパワー・トランジスタを非常に小さなチップスケール・パッケージに収めています。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明に最適です。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月7日、最大オン抵抗が80 mΩでパルス出力電流が26 Aの耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売したと発表しました。EPC2050の面積は、わずか1.95 mm×1.95 mmです。この小さな面積によって、同等のシリコン・ソリューションの面積の1/10でパワー・ソリューションが実現できます。

Efficient Power Conversionによる窒化ガリウム技術に基づく最新のePower™集積回路は、産業用ドローン、電動自転車、電動キックボード、電動工具などのモーター駆動アプリケーションに革命をもたらしています。

独Bodo’s Power Systems
2022年4月
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