EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月30日、最新のハイエンドのマルチチャネル・パワー・アンプMaxxシリーズを設計するときの独イノソニックスの大きな懸案だった待機時の消費電力と全体的な効率の改善に対処したと発表しました。従来のシリコンFETから、EPCのeGaN FETである EPC2059に変更することで、待機時の損失を35％削減し、オン抵抗を下げて、全電力効率を5％向上させました。

EPC2059は、オン抵抗6.8 mΩ、耐圧170 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）・トランジスタで、ハイエンド・アンプの用途に対して優れたオーディオ性能を提供します。EPC2059の低オン抵抗と低容量によって、高効率化が可能になり、開ループ・インピーダンスが低下するので、過渡相互変調歪み（T-IMD）を低減できます。さらに、高速スイッチング能力と逆回復電荷ゼロによって、出力の直線性が良くなり、クロスオーバー歪みが低減され、全高調波歪み（THD）が小さくなります。

窒化ガリウム（GaN）・パワー半導体は、宇宙用途の過酷な放射線環境における革新を可能にします。

英Electronics Weekly誌
2021年9月
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半導体を放射線の影響から絶縁するために特定の製造プロセスとパッケージングが必要なシリコンとは異なり、GaNデバイスは、その物理的特性と構造によって、宇宙放射線によって引き起こされる損傷に対して大きな耐性があります。EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）とのインタビューで、Power Electronic News誌は、宇宙用途向けのGaNの特徴を発見しました。

米Power Electronics News誌
2021年9月
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EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.6 mΩのeGaN^® FETであるEPC2069 を製品化し、高性能が要求され、スペースに制約のあるアプリケーション向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月21日、eGaN FETの「EPC2069」（標準値1.6 mΩ、40 V）を製品化し、既製品の低耐圧窒化ガリウム・トランジスタの性能を高めたと発表しました。

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、その他の民生用電子機器の各システムは、より薄くなり、さらに強力になりました。この結果、市場は、より高い電力密度を備えたより薄い電源ソリューションに対する需要を増やし続けています。この記事では、定格250 Wの超薄型48 V入力、20 V出力に対して、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を採用することの実現可能性を検証します。さまざまな非絶縁型構成の長所と短所、および回路構成がコンバータの損失の大部分を占める２つの部品であるパワー・トランジスタと磁気部品、特にコイルの選択に、どのように影響するかを検証します。この記事では、コイルの損失、コイルのサイズ、およびEMI（電磁干渉）雑音への影響を含む設計のトレードオフを決める要因の調査など、これらの用途向けの薄いコイルを設計するときの課題の詳細な分析も行います。この作業では、超薄型のマルチレベル・コンバータ構成を選択し、構築し、テストしました。このコンバータから得られた実験結果は、98％を超えるピーク効率をもたらす動作設定と部品選択をさらに洗練するために使いました。

Michael de Rooij、 EPC
Quentin Laidebeur、独ウルト・エレクトロニクス

IEEE Power Electronics Magazine誌
2021年9月
（申し込みが必要です）
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データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。

米Power Systems Design誌
2021年9月
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Bodo Arlt氏は、EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidowにインタビューし、GaNの採用とアプリケーションの増加に伴い、この進化する技術の次の大きな市場であると彼が信じていることについて話し合う機会を得ました。

独Bodo’s Power Systems
2021年9月
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独Bodo’s Power Systemsが主催するGaN業界のエキスパートとのラウンド・テーブル。以下のゲストが参加します：

1. Alex Lidow（アレックス・リドウ）、Efficient Power ConversionのCEOで共同創立者
2. Doug Bailey、米パワー・インテグレーションズのマーケティング・アンド・アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
3. Dilder Chowdhury、オランダNexperiaのストラテジック・マーケティング、パワーGaN技術部門ディレクタ
4. Tom Ribarich、アイルランドNavitas Semiconductorのストラテジック・マーケティング部門シニア・ディレクタ

窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、これらの材料の電子を価電子帯から伝導帯にシフトするために必要なエネルギーに基づいて、ワイド・バンドギャップ（WBG）半導体と呼ばれます。SiCは約3.2 eV、GaNは約3.4 eVですが、シリコンでは、わずか1.1 eVです。WBGの特性によって、適用可能なブレークダウン電圧が高くなり、一部のアプリケーションでは最大1700 Vに達することがあります。5月に開催された今年のデジタルのみのPCIMヨーロッパでは、いくつかの企業がGaNとSiCの最新のイノベーションを示し、WBG技術の方向性についての洞察を提供しました。

米EE Times誌の欧州版
2021年7月
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宇宙用途の技術は、2021年の重要な部分であり、したがって、放射線耐性のある部品がさらに前面に出てきています。最近、2つの新しいFETが登場しましたが、それらはこの宇宙に何をもたらすのか？

米オンライン・ニュースAll About Circuits
2021年6月
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今回の新世代のeGaN^® FETは、小型なBLDCモーター駆動回路と費用対効果の高い高解像度の飛行時間ToF（Time of Flight）に対するイーモビリティ、配送、物流ロボット、ドローンの各市場の新しいニーズに対応します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月15日、「EPC2065」と「EPC2054」の製品化によって、市販品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを削減すると同時に性能を向上させたと発表しました。

Efficient Power Conversion (EPC) は、要求が厳しい宇宙船や、その他の高信頼性環境での電力変換ソリューション向けに、放射線耐性（耐放射線性）を強化した窒化ガリウム（GaN）製品の新しいファミリーを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月8日、放射線耐性を強化した窒化ガリウムのトランジスタと集積回路の新しいファミリーの製品化を発表しました。GaN ベースのパワー・デバイスは、より高いブレークダウン強度、より高速なスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、シリコン・ベースのデバイスを大幅に凌駕します。抵抗とゲート電荷が小さいため、電源のスイッチング周波数を高くできるので、厳しい宇宙船ミッション向けのより高い電力密度、より高い効率、より小型軽量な回路を実現できます。窒化ガリウムは、本質的に放射線耐性があるので、GaN ベースのデバイスは、宇宙用途向けの信頼性が高く高性能なパワー・トランジスタの選択肢になります。

Efficient Power Conversion（EPC）は、最新のエンハンスメント・ モード窒化ガリウム・ ベースの FETとICを展示し、GaN 技術の優れた性能が、高電力密度コンピューティング、自動車、イーモビリティ、ロボットへの電力供給をどのように変革しているかを示します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月3日、EPC のチームが、6 月 14 ～ 17 日に開催される パワー・エレクトロニクスの会で、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、および出展者ウエビナを実施すると発表しました。さらに、このイベントのバーチャル展示会に参加し、eGaN技術を素早く採用しているユーザーの最終製品に使われている最新のeGaN^® FETとICを展示します。

GaNトランジスタとIC は、モーター駆動用途の電力密度を高められます。最適なレイアウト手法によって、レッグ・シャントや同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形ときれいな電流再構成信号が得られます。

独Bodo’s Power Systems
2021年6月
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EPC9149は、1/8ブリック・サイズで1/4ブリックの電力を供給し、1 MHzでスイッチングするeGaN^® FETを使って、優れた電力密度を実現し、1 kWの電力を供給します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月25日、変換比4対1の直流変圧器として動作する1 kW対応の48 V入力、12 V出力のLLCコンバータ「EPC9149」を発売しました。このデモ・ボードは、GaN FET である100 VのEPC2218と40 VのEPC2024を搭載しています。

EPC9137は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータで、マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型なソリューション・サイズで、1.5 kWを供給でき、効率97％が得られます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月11日、非常に小さな実装面積で、効率97％で動作する1.5 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9137」を製品化しました。このデモ・ボードの設計は、スケーラブルです。つまり、2つのコンバータを並列接続して3 kWにしたり、3つのコンバータを並列にして4.5 kWにしたりすることができます。この基板は、100 VのeGaN^® FETであるEPC2206を4個搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を搭載したモジュールによって制御されます。

GaNパワー半導体のメーカーは、パワー・エレクトロニクス機器の展示会PCIM Europeで、100 V～650 Vのデバイスの最新製品を展示しました。PCIM Europeでは、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）などのワイド・バンドギャップ（WGG）半導体の利点と使用例についていくつかのプレゼンテーションを実施しました。EPC、米GaN Systems、独インフィニオン テクノロジーズ、オランダのNexperia、スイスのSTマイクロエレクトロニクスなどのメーカーは、今週、GaNパワー半導体のいくつかの新しいファミリーを発表しました。

米オンライン・ニュースElectronic Products
2021年5月
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ePower™ StageのEPC2152は、デモ・ボードEPC9146で実証されているように、高性能で低コストのBLDCモーターを利用した高性能で小型のソリューションを可能にします。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月4日、400 Wのモーター駆動用デモ・ボード「EPC9146」を製品化しました。この電源基板EPC9146は、3つの独立に制御できるハーフブリッジ回路を備え、ゲート・ドライバが集積されたモノリシックePower™ StageのEPC2152を搭載し、最大デバイス電圧は80 V、最大出力電流は15 A（10 A_RMS）です。インバータ基板の面積は、わずか81 mm✕75 mmで、出力電力400 Wで効率98.4％以上が得られます。

最近、Efficient Power Conversion（EPC）は、eGaN^® FETをデータシートの制限を超える一連のテストを実施し、さまざまな過大ストレス電圧と過大ストレス電流の影響を定量化しました。この結果はここで初めて公開されます。

独Bodo’s Power Systemss
2021年5月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、欧州のパワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2021 Digital Daysで、同社の最新のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのFETとICを紹介し、GaN技術の優れた性能が自動車、コンピューティング、ロボットの電力供給をどのように変革しているかを示します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月13日、5月3日～7日に開催される欧州のパワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2021 Digital Daysで、当社のチームが、2件の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、出展者ウエビナを計画し、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関するパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。この展示会のバーチャル展示会にも参加し、eGaN^®技術を素早く採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示します。