新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する
GaNトランジスタが提供するスイッチング速度の向上には、優れた測定技術と、高速波形の重要な詳細を把握するための優れた技術が必要です。この記事では、高性能GaNトランジスタを正確に評価するために、ユーザーの要求と測定技術のための測定装置を活用する方法を中心に説明します。さらに、非接地基準の波形で使うための高い帯域幅の差動プローブも評価します。
米ニュース・サイトEDN Network
By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
記事を読む
続きを読む
最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。
続きを読む
ハードスイッチ、ソフトスイッチ、高周波といった電力変換など、さまざまなアプリケーションにおいて、eGaN FETとシリコンMOSFETとの比較がいくつか実施されています。これらの比較は、シリコンMOSFETを上回る高効率と高電力密度が得られるというeGaN FETの優位性を示しています。ここでは、同期整流器（SR）のアプリケーションへのeGaN FETの利用、およびデッドタイム管理の重要性に焦点を当てます。eGaN FETは、低オン抵抗RDS(on)で低電荷というメリットだけでなく、同期整流器におけるデッドタイムによる損失を劇的に低減できることを示します。
米Power Systems Design誌
By: John Glaser博士、David Reusch博士、Efficient Power Conversion
2016年6月13日
記事を読む
続きを読む
EPC社の新しい開発基板は、バック（降圧型）・コンバータ、またはZVSのD級アンプのいずれかに構成することができ、eGaN FETの同期ブートストラップで強化されたゲート駆動を利用して高周波での損失の低減を実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年3月30日、開発基板3品種（EPC9066、EPC9067、EPC9068）を製品化しました。いずれもバック（降圧型）・コンバータ、またはZVS（ゼロ電圧スイッチング）のD級アンプとして構成できます。これらの基板は、電源システムの設計者が、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価する方法を提供するので、設計者は、自分の製品を迅速に量産に移行することができます。今回の3種の基板はすべて、最高15 MHzまでの高周波動作時の効率を高めるために、逆回復電荷（QRR）がゼロの同期ブートストラップ整流器で強化されたゲート・ドライバを備えていることが特徴です。各基板は、バック型やZVSのD級アンプの構成において、最大で2.7 Aの出力電流を供給することができます。損失の低減は、全電流範囲にわたって実現されます。
続きを読む
eGaN® FETのEPC2027は、立ち上がり時間が4 nsと高速の耐圧450 Vのパワー・トランジスタで、高周波のDC-DCコンバータや医療用診断装置の用途に最適です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年1月14日、より高い効率と電力密度を実現するために高速スイッチングが要求される用途での使用に最適な耐圧450 Vのノーマリオフ（エンハンスメント・モード）のパワー・トランジスタ「EPC2027」を発売しました。超高速DC-DCコンバータ、医療用診断装置、太陽光発電用インバータ、LED（発光ダイオード）照明など、高電圧、高速スイッチングによって特性が強化される用途に最適です。
続きを読む
「GaNの利用法」シリーズのこの回では、鍵となるスイッチングの性能指数FOM（figure of merit）を大幅に改善し、高周波電力変換においてパワーMOFETとの特性の差を広げることで、ムーアの法則が生き続けていることをeGaN FETの新しいファミリーで説明します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年10月
続きを読む
9月3日のIEEE PELSで、Johan Strydom博士は、包絡線追跡の用途で要求されるシステム帯域幅の要件を満たすために、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの寄与について議論するウェビナを実施します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年8月21日、包絡線追跡のパワー回路設計への窒化ガリウム・トランジスタの応用を担当するEPC社の専門家が、IEEE Power Electronics Society（PELS）が主催する9月3日の1時間（午前11:00～12:00（EDT））のウェビナを実施すると発表しました。
続きを読む
この記事では、10 MHzでスイッチングするハード・スイッチングのバック（降圧型）・コンバータの結果を示し、コンバータの損失の内訳を説明します。eGaN® FETを使って、現在利用可能な並ぶもののない高周波特性を実証し、より高いスイッチング周波数へ押し上げるための現在の制約にも焦点を当てます。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年8月
続きを読む
ドイツ航空宇宙センター（DLR）のThe Institute of Robotics and Mechatronicsは、センサーとパワー・エレクトロニクスの改良に非常に関心を持っており、EPCの新しいエンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術を評価するために、この新しいロボット開発の機会を利用しました。そして、これまでで最高の当社のインバータ設計でこれを比較します。
Bodo’s Power Systems
著者：Robin Gruber、ドイツ航空宇宙センター（DLR）
2014年3月
続きを読む
パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC 2014で、EPCのアプリケーションの専門家が、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を示すGaN FET技術やアプリケーションの技術的なプレゼンテーションを行います。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月27日、APEC 2014でアプリケーションに焦点を当てた3件の技術発表を行います。高周波の共振コンバータや、高周波ハード・スイッチングのパワー・コンバータの設計に関する発表です。この会議は、3月16日～20日に米国テキサス州フォートワースで開催されます。
続きを読む
高共鳴、疎結合で、6.78MHzのISM帯ワイヤレス・パワー伝送についてのプレゼンテーションです。eGaN FETがどのようにこの技術を可能にしているかを示します。このコラムでは、現在のeGaN FETを使う効率的な無線エネルギー伝送や、電圧モードのD級とE級のアプローチの例を示します。
EEWeb
Alex Lidow、2014年1月26日（日）
続きを読む
この回では、ハード・スイッチング・コンバータに戻りますが、シリコン技術の現実的な限界を越えて、より高い周波数へ押し上げます。
EEWeb
Alex Lidow
2013年12月
続きを読む
D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク（冷却器）が不要です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年11月21日、150W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス・デザイン「 EPC9106」を製品化しました。このデモ・ボードは、ブリッジ接続負荷（BTL：Bridge-Tied-Load）設計を採用し、4つのグラウンド基準のハーフブリッジ出力段で構成され、設計のスケーラビリティと拡張性を備えています。D級オーディオ・システムの音響特性に影響を与える要素のすべてが、eGaN FETベースのシステムで最小化されるか除去されています。
EPC9106は、テキサス・インスツルメンツ社の100Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ LM5113 と連携するeGaN FET（EPC2016）を搭載しています。この基板は、高音質なサウンドを実現でき、この専用eGaNドライバと一緒に使ったとき、高周波スイッチング動作可能なeGaN FETの特性によって小型化が可能です。高効率なので、EPC9106の設計では、どのようなヒートシンクも、まったく必要ありません。これは、にEMI（電磁干渉）／EMC（電磁環境適合性）放射の低減にも潜在的に貢献します。
eGaN FET、ドライバ、コイル、入出力コンデンサを搭載したパワー・ブロックEPC9106は、面積11mm×11mmと超小型のレイアウトです。小さいにもかかわらず、リファレンス・デザインEPC9106は、150W、8Ωで効率96％、250W、4Ωで効率92％を実現しています。
D級オーディオ用eGaN FETに関して、特にこのデモ・ボードに関して、さらに詳しく知りたい場合は、下記でEPCに連絡することによって、トレーニングを積んだEPCのフィールド・アプリケーション・エンジニアが訪問する日程を設定することができます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録： http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
http://twitter.com/#!/EP
続きを読む
スイッチング周波数10MHz以上での電力変換には、高速トランジスタと、高周波特性の良いパッケージの両方が必要です。eGaN FETは、パッケージと同様に、匹敵するもののないデバイス特性を提供することによって、成熟したパワーMOSFETと比べて、高周波での電力変換特性を改善する能力が実証されています。
Bodo’s Power Systems
寄稿者：Alex Lidow
2013年11月
続きを読む
eGaN FETのこのファミリーの製品化で、パワー・システムやRFの設計者は今、高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。
Bodo's Power Systems誌
2013年10月
続きを読む