EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月30日、最新のハイエンドのマルチチャネル・パワー・アンプMaxxシリーズを設計するときの独イノソニックスの大きな懸案だった待機時の消費電力と全体的な効率の改善に対処したと発表しました。従来のシリコンFETから、EPCのeGaN FETである EPC2059に変更することで、待機時の損失を35％削減し、オン抵抗を下げて、全電力効率を5％向上させました。

EPC2059は、オン抵抗6.8 mΩ、耐圧170 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）・トランジスタで、ハイエンド・アンプの用途に対して優れたオーディオ性能を提供します。EPC2059の低オン抵抗と低容量によって、高効率化が可能になり、開ループ・インピーダンスが低下するので、過渡相互変調歪み（T-IMD）を低減できます。さらに、高速スイッチング能力と逆回復電荷ゼロによって、出力の直線性が良くなり、クロスオーバー歪みが低減され、全高調波歪み（THD）が小さくなります。

D級オーディオ・アンプのアーキテクチャが成熟した現在、アンプのフィデリティ（忠実度）と効率の限界は主に、デバイス・レベルにあります。シリコンMOSFETは、ほぼ40年間進化していますが、完全なスイッチへの進展は、劇的に減速しています。音質と効率を低下させるMOSFETの基本的な特性がいくつかあります。2010年には、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）・パワーFETがEfficient Power Conversion（EPC）によって製品化され、完全なスイッチに向けて大きなステップを踏み出しました。

米Audio Engineering Society
2017年5月11日
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THD（全高調波歪み）、ダンピング・ファクタ（DF）、T-IMD（相互変調歪み）のような重要な特性パラメータで測定されたオーディオ・アンプによって再生された音の質は、使われたスイッチング・トランジスタの特性によって影響を受けています。D級オーディオ・アンプには、通常はパワーMOSFETを使いますが、エンハンスメント・モードGaN（eGaN）FETによって提供される、より低い導通損失、より速いスイッチング速度、および逆回復損失がないことは、音質の著しい向上、およびヒートシンク（冷却器）を不要にできる高い効率を可能にします。この結果、低コストで構築することができる小さな筐体で、より良い音質のシステムになります。

EEWeb
Alex Lidow
2014年2月