耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧V_DSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗R_DS(on) （内部抵抗）の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン（pC）です。

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