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11月3日に、IEEE PELSは、Alex Lidow(アレックス・リドウ)と Michael de Rooijのウエビナを開催し、チップスケール・パッケージを採用したGaNパワー・デバイスを使うための設計方法とプリント回路基板の製造方法を議論します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation )は2016年10月11日、窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用に関する当社のエキスパートが、11月3日の午前11時~午後12時(米国東部夏時間)に、IEEE Power Electronics Society (PELS)が主催する1時間のウエビナを行うと発表しました。
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最新の窒化ガリウムの技術は、ワイヤレス・パワー伝送のアプリケーション開発を推進しています。特に、標準化団体の A4WPとPMAが合併した直後の時期なので、エンジニアの関心を集めています。このインタビューは、GaNデバイスの差異、コストの低減、最新デバイスの革新、高速で小型のデバイス動作、熱管理、どのようにGaNの市場がシリコンの市場を上回るのか、窒化ガリウム技術開発の将来展望など、半導体業界によるGaNデバイスの採用拡大への質問に答えるという形で、さまざまな興味深い領域を網羅しています。
中国Power System Design China誌
2015年6月24日
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ZVSのD級またはE級のアンプを使って共振動作をするとき、eGaN®FETは、疎結合のワイヤレス・パワー伝送のソリューションにおいて、高い効率が得られることを以前に示しました。ただし、実際のワイヤレス・パワー・システムは、システムの利便性の要素に対処する必要があり、この結果、負荷や結合の変化に従って、共振から大きく離れることができる反射コイル・インピーダンスになります。これらのシステムは、依然として負荷に電力を供給する必要があるので、アンプは、広いインピーダンス範囲にわたってこのコイルを駆動しなければなりません。A4WPクラス3などの規格は、利便性の要素に対処するためにコイルの広いインピーダンス範囲を規定しており、アンプの特性を比較するための出発点として使うことができます。ZVSのD級やE級のアンプへのこの実装は、固有の動作範囲の制限を決めるために、インピーダンス範囲を縮小したA4WPクラス3規格に対して6.78 MHzでテストされるでしょう。デバイスの温度や電圧の制限などの要素が、各アンプが駆動することができる負荷インピーダンスの範囲の境界を決定するでしょう。
中国のBodos China誌
2015年6月
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