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米Power Electronics News誌のこのビデオでは、半導体企業の著名な講演者たちが窒化ガリウムや炭化ケイ素ベースのパワー・デバイスの画期的な開発についての洞察を説明しています。
GaNの講演者たちは、ワイド・バンドギャップの将来を形作る2つの重要な質問に取り組みます:
- GaNベースのパワー・デバイスの基板材料選択の重要性。彼らは、この選択がデバイスの性能、信頼性、製造性にどのような影響を与えるかについて詳しく説明し、研究者が基板関連の課題にどのように取り組んでいるかについて議論します。
- GaNデバイスが従来のシリコン・ベースのソリューションを上回り、採用が加速され、それぞれの企業の技術の方向性が明らかになっている特定の市場分野。講演者は次のとおりです:
- Robert Taylor、米テキサス・インスツルメンツのアプリケーション・エンジニア/産業アプリケーション担当ゼネラル・マネージャ
- Michael de Rooij、EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
- Balu Balakrishnan、米Power IntegrationsのCEO(最高経営責任者)
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GaNのモノリシック集積化は、さまざまな機能を備えたハーフブリッジのゲート・ドライバなど、複雑な回路が実現できるまでに成熟しました。この記事では、モノリシック・ハーフブリッジ集積回路の恩恵を受けるDC-DC変換やBLDCモーター駆動のアプリケーション例について説明します。
米Power Electronics News誌
2023年5月
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この記事で、EPCは、第6世代GaN FETの性能の向上と、その結果として得られるデバイスが前世代のデバイスと同じオン抵抗RDS(on)を半分のチップ・サイズで実現する方法について説明します。
米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2022年11月
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この記事では、さまざまなパワー・ループのレイアウトを分析し、熱管理と電気的寄生要素を同時に考察します。
この結果は、レイアウトの改善によって、電気的性能の利点を維持しながら、動作温度の上昇を大幅に削減できることを示しています。
米オンライン・ニュースEE Power
2022年10月
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ビデオ・インタビュ:Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)が、窒化ガリウム(GaN)の将来、GaNの採用率、および電源やその他の技術でのその使用について米Electronic Design誌と話しました。
米Electronic Design誌
2022年3月
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オシロスコープのプローブ性能を評価するための超高速、低インピーダンスのパルス発生器の最近の設計によって、EPCのeGaN® FET(EPC2037)を使ったASICエミュレーション用ソケット内の負荷の自由度を判断するため、これらのパワー・デバイスがどれくらい高速か、を明らかにします。
米Signal Integrity誌
2020年3月12日
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Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、次世代マイクロチップと世界のワイヤレス・パワーを創造するための窒化ガリウムの利用方法について、Leo Laporte氏に語っています。
米オンライン・ニュースのThis Week in Technology
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「GaNの利用法」シリーズのこの回では、48 V入力のアプリケーションにおける第4世代eGaN FETについて議論し、チップスケール・パッケージ封止の高耐圧の横型eGaN FETの熱特性を評価します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年12月
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