米オンライン・サービスEEcosystemのポッドキャストのこのエピソードでは、Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士がゲストとして登場します。このエピソードでは、Alexについてもっと知り、MOSFETとGaNの台頭について学びます。MOSFETは、どのようにして急速に成長したのか？　GaNの採用を牽引している技術とその理由。GaNの採用に対する潜在的な障害についても説明します。さらに多くの質問は、進行するにつれて答えられます！　詳細については、このエピソードを聞いてください

2023年4月
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2010年3月にGaNオン・シリコンのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタが発売されて以来、シリコン・ベースのパワーMOSFETの採用と置き換えに向けて、ゆっくりですが単調なシフトがありました。最初の採用は、Lidar（光による検出と距離の測定）、ハイエンドのオーディオ・アンプ、ロボット、車両のヘッドランプ、高性能DC-DCコンバータなどのアプリケーションのリスクを冒す先見の明のある人々によってもたらされました。電力変換用のGaNの拡大が初期の採用者たちを以外にも広がるためには、WLCP（ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ）よりも使いやすい形を開発する必要がありました。ただし、この形にするためには、小型、低オン抵抗RDS(on)、高速、優れた熱伝導率、および低コストという重要な属性を維持する必要がありました。言い換えれば、最良のパッケージは、技術的に可能な最小容量のパッケージということになります。PQFNを入力してください・・・

独Bodo’s Power Systems
2023年3月
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Efficient Power Conversion（EPC）が製品化した新しい第6世代のデバイスは、同等のシリコンMOSFETの1/5と小型で、前世代のeGaNデバイスの2倍強力です。ビデオでCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）に聞きました。

エレクトロイクス・ニュース・サイトの独Electroniknet.de
2022年11月29日
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EPCは、車載品質の規格AEC-Q101認定のGaN FETである耐圧80 VのEPC2252を発売し、車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、および低インダクタンスのモーター駆動に向けたシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月24日、実装面積1.5 mm×1.5 mmで、パルス電流75 A、耐圧80 V、オン抵抗1.1 mΩの「EPC2252」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。自動運転や、その他のADAS（先進運転支援システム）の用途、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、低インダクタンス・モーターの駆動に使う車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）用シリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスをパワー・システム設計者に提供します。

電力変換技術は、バイポーラからMOSへの移行以来、最初の地殻変動を経験しています。もちろん、その変化は、ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスの急速な普及によるものです。現時点では、GaNは単なる特殊技術ではありません；これは、数10億米ドル規模の市場である30 Vから650 Vまでの範囲の用途において、シリコンMOSFETの広範な代替品です。

米Power Electronics News誌
2022年12月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、台湾のヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター（VIS）と協力して 8インチ・ウエハーの処理能力を拡大することによって、窒化ガリウム電力変換における市場のリーダーシップを強化します。

E窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETと集積回路（IC）の世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月6日、専用 ICファウンドリー ・サービスの大手プロバイダである台湾ヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター VIS）と、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体を生産するための複数年の生産契約をしたと共同発表しました。EPCは、VISの8インチ（200 mm）・ウエハーの処理能力を利用して、EPCの高性能GaNのトランジスタと集積回路の製造能力を大幅に拡大します。製造は2023年初頭に開始されます。

Guy MoxeyとEPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）の対談で、GaNと、米ウルフスピードの炭化ケイ素が私たちの生活をどのように変えているか、そして、これらの技術の未来が私たちをどこに連れて行ってくれるかを探ります。

米ウルフスピード
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electronica 2022のこのインタビューで、Alex Lidowは米EE Times誌のこの50年間の技術について、さらに、この業界の次の課題や、GaNの成長について語っています。「GaNによって上書きされるMOSFETが支配的な650 V以下について」。

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Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩのGaN FETであるEPC2619を製品化しました。このデバイスは、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小さく、DC-DC変換、モーター駆動、12 Vから20 Vへの同期整流などの高電力密度用途向けに、従来の MOSFETよりも高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月15日、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩの「EPC2619」を製品化したと発売しました。このデバイスは、当社の前世代の製品と比べて、2倍の電力密度が得られる新世代eGaNデバイスの主要製品です。

GaN FETは、Solarnativeが太陽光発電用マイクロインバータ向けに、業界をリードする電力密度を実現することに貢献し、モジュール・フレームへの統合を可能にして、太陽光発電設備の課題を解決します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月9日、2022 年 11 月、独Solarnativeが、新しいマイクロインバータに GaN デバイスを使って、業界最高の電力密度を実現したと発表しました。このインバータPower Stickは、世界最小で、大きさは23.9×23.2×404 mmです。350 Wの交流出力電力のとき、容積0.19リットルでは、1リットル当たり1.6 kWの電力密度に相当します。比較として、市場をリードするサプライヤの IQ 7Aマイクロインバータでは、1.12リットルの容量で 349 Wを供給しています。1リットル当たりでは 0.31 kW に相当します。これは、Solarnativeのデバイスの1/5にも満たない値です。サイズが大幅に縮小されたにもかかわらず、欧州における効率は、Power Stickで 96.0%、IQ 7Aで 96.5%と、ほぼ同等です。

GaNデバイスは、過去15年間で、初期の研究開発段階から主流の設計に移行しました。残念ながら、これらの初期段階のバイポーラ駆動回路の開発、または行き止まりの技術分岐からの多くの誤解が残っています。最も有害なものの1つは、バイポーラ駆動の話題です。実際には、ユニポーラ駆動がeGaN^® FETを駆動する最良の方法です。

英オンライン・ニュースPower Electronics Tips
2022年10月
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米インターナショナル・レクティファイアーの元CEO（最高経営責任者）であり、Efficient Power ConversionのCEOであるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、シリコン・パワーMOSFETと窒化ガリウムHEMTという2つの革新的なパワー半導体技術を開拓した数少ない人物の1人です。彼は、どのようにして、この2つのユニークな機会を得たのでしょうか？

独ニュース・サイトelektroniknet.de
2022年9月
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新しい技術が採用の転換点を過ぎたことを知る1つの方法は、現状を支持する声によるものです。より保守的な声は、転換点で発生する急速な軌道修正を考えると、新しい設計の不十分な決定につながる可能性がある古い情報を引用する傾向があります。GaNパワー・デバイスの世界では、過去2年間に転換点が発生し、新しいGaNベースの設計の割合が前年比で2倍になり、従来のMOSFET設計は、微調整されたために重大な供給不足、柔軟性の低いサプライ・チェーンに直面し始めました。一方、GaNデバイスは、古いシリコン・ファウンドリーを利用した比較的新しく柔軟なサプライ・チェーンのため、ほとんどの主要な販売代理店に在庫がありますが、これらのファウンドリーに新しく活気のある未来をもたらします。この記事では、記事や会議でまだ見られる一般的な誤解のいくつかに対処します。これらは通常、現状の支持者によって提示されています。

独Bodo’s Power Systems
2022年5月
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評価基板のEPC9171は、90 V〜265 Vの汎用交流入力を15 V〜48 Vの広い範囲にわたって調整可能な直流出力電圧に変換します。このリファレンス・デザインは、出力電圧48 V、負荷電流5 Aで、最大出力電力240 Wを供給できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月22日、USB PD3.1超急速充電器向けに設計された90 V～260 Vの汎用交流入力を直流出力電圧15 V～48 Vに変換する「EPC9171」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、出力電圧48 V、負荷電流5 Aで、最大出力電力240 Wを供給できます。1次側回路と2次側回路の両方において、高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム（GaN）・パワー・スイッチを使うことによって、約1.1 W/cm³の電力密度が得られます。

この記事では、一部のユーザーが古いシリコン・ベースのパワーMOSFETの置き換え技術であることが明らかなものを採用する速度が遅い最も一般的な理由について説明します。詳細な統計に立ち入ることなく、頻度順に理由のリストが導き出されます。このリストは、一部のアプリケーションが他のアプリケーションよりもGaNの特定の特性に重点を置くという理解に基づいています。ここでの説明は、定格電力400 V未満のデバイスに限定されています。これは、Efficient Power Conversion（EPC）のFETとICの各製品のアプリケーションの焦点になっているためです。

米Power Systems Design誌
2022年3月
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2021年は、世界がGaNへの扉を開くことを決めた過渡期の年でした。CES週間中の米Power Electronics News誌とのインタビューで、GaN業界のエキスパートたちは、GaNが今、シリコンよりも優れていることを確認しました。

米Power Electronics News誌
2022年1月
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成熟した低コストの製造と実証済みの信頼性によって、電気自動車、スマートフォン、民生用電子機器での使用が拡大しています。

Efficient Power Conversion（EPC）は、eGaN FETとICの新しいアプリケーションで、100以上の使用を記録しています。同社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、最も急成長している5つのアプリケーションは、ロボット、ドローン、民生用け製品、運転者警告システム、自動運転車向けのLidar（光による検出と距離の測定）システムであると述べています；すなわち、AI（人工知能）システム、サーバー、通信機器の電源システム向けのDC-DCコンバータ；イーモビリティやロボット向けのモーター駆動；耐放射線性が必要なモーター駆動やDC-DC電源などの衛星システム；太陽光発電用最大電力点追従です。

米ニューズレターSemiconductor Engineering
2021年12月
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今日、ブラシレスDC（BLDC）モーターとしても知られる永久磁石モーターは、広く使われており、他のモーターと比べて、1立方インチ当たりのトルク能力が高く、動力が大きくなっています。これまで、シリコン・ベースのパワー・デバイスがインバータの電子機器で支配的でしたが、今日、それらの性能は理論上の限界に近づいてきています。そこで、より高い電力密度の必要性が高まっています。窒化ガリウム（GaN）のトランジスタとICは、これらのニーズを満たすための最高の特性を備えています。

米Power Systems Design誌
2021年11月
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今月は、FETの分野が賑わいました。従来のシリコン・トランジスタとは興味深い点で異なるEPC、米UnitedSiC、米インテルのFETです。

米ニュース・サイトAll About Circuits
2021年10月
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過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、その他の民生用電子機器の各システムは、より薄くなり、さらに強力になりました。この結果、市場は、より高い電力密度を備えたより薄い電源ソリューションに対する需要を増やし続けています。この記事では、定格250 Wの超薄型48 V入力、20 V出力に対して、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を採用することの実現可能性を検証します。さまざまな非絶縁型構成の長所と短所、および回路構成がコンバータの損失の大部分を占める２つの部品であるパワー・トランジスタと磁気部品、特にコイルの選択に、どのように影響するかを検証します。この記事では、コイルの損失、コイルのサイズ、およびEMI（電磁干渉）雑音への影響を含む設計のトレードオフを決める要因の調査など、これらの用途向けの薄いコイルを設計するときの課題の詳細な分析も行います。この作業では、超薄型のマルチレベル・コンバータ構成を選択し、構築し、テストしました。このコンバータから得られた実験結果は、98％を超えるピーク効率をもたらす動作設定と部品選択をさらに洗練するために使いました。

Michael de Rooij、 EPC
Quentin Laidebeur、独ウルト・エレクトロニクス

IEEE Power Electronics Magazine誌
2021年9月
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