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D級オーディオのリファレンス・デザインEPC9192は、カスタマイズと高性能を実現するモジュラ設計で大出力と高効率を実現します。
EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月9日、大出力で小型、高効率なD級オーディオ
アンプを実現するリファレンス デザイン「EPC9192」の製品化を発表しました。EPC9192は、グラウンド基準の分割デュアル電源シングルエンド（SE）設計における当社の200 VのEPC2307（eGaN FET）の能力を実証し、4 Ω負荷にチャネル当たり700 Wという驚異的な電力を供給します。
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あなたの新しい設計に窒化ガリウム（GaN）・デバイスを使ってもOKです。近年、GaNトランジスタは非常に人気が出てきました。このワイド・バンドギャップ・デバイスは、多くのパワーのアプリケーションでLDMOSトランジスタを置き換えています。例えば、GaNデバイスは、セルラー基地局、レーダー、衛星、その他の高周波アプリケーションで使われる新しいRFパワー・アンプに広く採用されています。一般に、より高い電圧に対応し、ミリ波（mmWave）帯内の周波数で動作する能力によって、ほとんどのアンプ構成で従来のRFパワー・トランジスタを置き換えることができます。
米Electronic Design誌
2019年11月
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Efficient Power Conversion（(EPC）は、2種の窒化ガリウム・デバイスに対して車載部品の信頼性規格AEC Q101認定の取得を完了しました。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年5月1日、eGaN®デバイス2品種に対して車載部品の信頼性規格AEC Q101認定を取得し、自動車やその他の過酷な環境での広範なアプリケーションへの扉を開けたと発表しました。この2品種（EPC2202とEPC2203）は、いずれもウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCS：wafer level chip-scale package）に収めた定格80 VDSのディスクリート・トランジスタです。近々、過酷な車載環境向けに設計したディスクリート・トランジスタや集積回路を順次、製品化する予定です。
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GaNパワー・トランジスタのEPC2049は、POL（負荷点）コンバータ、LiDAR（光による検出と距離の測定）、低インダクタンス・モーター駆動向けに、同等の定格のシリコンMOSFETに比べて面積が1/8と小型の40 V、5 mΩのパワー・トランジスタをパワー・システムの設計者に提供します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年12月19日、POL（負荷点）コンバータ, LiDAR（光による検出と距離の測定）、包絡線追跡用電源回路、D級オーディオ、および、低インダクタンスのモーター駆動などのアプリケーションに使えるパワー・トランジスタ「EPC2049」を発売しました。EPC2049の定格電圧は40 V、最大オン抵抗RDS(on)は5 mΩ、パルス出力電流は175 Aです。
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D級オーディオ・アンプのアーキテクチャが成熟した現在、アンプのフィデリティ（忠実度）と効率の限界は主に、デバイス・レベルにあります。シリコンMOSFETは、ほぼ40年間進化していますが、完全なスイッチへの進展は、劇的に減速しています。音質と効率を低下させるMOSFETの基本的な特性がいくつかあります。2010年には、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）・パワーFETがEfficient Power Conversion（EPC）によって製品化され、完全なスイッチに向けて大きなステップを踏み出しました。
米Audio Engineering Society
2017年5月11日
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Efficient Power Conversionは、窒化ガリウムのトランジスタや集積回路を使ったワイヤレス・パワーのテーブルトップ（卓上充電器）、高性能LiDAR（光による検出と距離の測定）、48 V入力、1.8 V出力の1段の DC-DC変換、高精度モーター駆動制御など、現在稼働している最終アプリケーションに関して、業界のエキスパートたちが制作した6本のビデオを公開しました。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年4月25日、eGaN® FETとICを使った最終ユーザーのアプリケーションを紹介する6本の短いビデオを制作し、ウエブサイトで公開したと発表しました。これらのビデオは、GaN技術が「私たちの生き方をどのように変えているか」、および、窒化ガリウムのFETとICの高性能を次世代電源システムの設計に組み込むために格闘している電源システムの設計技術者を紹介しています。
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EPC社は、eGaN®FETのEPC2045とEPC2047を製品化し、前世代のeGaNトランジスタに対してチップ面積を半分にした上で、大幅な高性能化を実現しています。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年3月15日、「EPC2045」（オン抵抗7 mΩ、耐圧100 V）と「EPC2047」（10 mΩ、200 V）を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを下げると同時に、性能を向上したと発表しました。EPC2045のアプリケーションには、48 V入力から負荷への1段のオープン・ラック・サーバー・アーキテクチャ、POL（負荷点）コンバータ、USB-C、LiDAR（光による検出と距離の測定）などがあります。200 VのEPC2047の例には、無線充電、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロインバータなどがあります。
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A級は、数10年の間、厳しいオーディオマニアの代表的な選択肢となっています。しかし今日、オーディオマニアのD級の採用が広がることへの劇的な転換の初期段階にあります。どうして？ 新しいタイプのD級オーディオが、現在のD球オーディオでは楽しめないメリットを備えた上で、すぐにA級の性能に近づくからです。窒化ガリウム（GaN）と呼ばれる新しいトランジスタ技術は、ハイエンド・オーディオの世界を絶滅させる態勢を整えています。実際には、GaNベースのD級は、伝統的なMOSFETベースのD級よりも、はるかに電力効率が高く、何倍も良い性能を実現できます。
米Audiophile Review誌
2016年9月17日
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最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。
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GaNベースのFETは、電力変換市場を破壊し、シリコン・ベースの金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を置き換え続けています。MOSFETに比べて、GaN FETは、はるかに高速に動作し、可能な限り小さな体積で、より高いスイッチング速度を実現できます。GaNの可能性は、任意の電源のサイズと重さを劇的に削減できることです。その潜在性能を引き出すためには、この高性能GaNトランジスタに最適化されたゲート・ドライバが必要です。
米Peregrine Semiconductor社
2016年７月12日
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GaNパワー・トランジスタのEPC2106は、2 MHz以上でスイッチングするソリューションを電源システムの設計者に提供します。この結果、AM帯域との干渉がなく、フィルタリングのためのコストを削減できるので、低歪みのD級オーディオ向けに最適です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年8月4日、エンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2106」を発売しました。2個のeGaN®パワーFETを集積して単一のデバイスにすることによって、デバイス間の相互接続インダクタンスやプリント回路基板上に必要な間隔が排除されます。エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、効率（特により高い周波数で）と電力密度の両方を向上できます。
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高周波スイッチング可能な窒化ガリウム・パワー・トランジスタを使ったD級オーディオ・アンプのリファレンス設計EPC9106は、プロシューマ品質のサウンドを実現すると同時に、高効率化、小型化が可能で、ヒートシンクが不要です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年2月5日、150 W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス設計「EPC9106」を製品化しました
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テクニクスが帰ってきた。パナソニックは、6年ぶりに、この高く評価されたブランドから最初の新しいハイファイ製品を発表しました。この新しいリファレンス・クラスのシステムは、ステレオ・パワー・アンプ、ネットワーク・オーディオ制御プレーヤ、スピーカ・システムの3つのコンポーネントで構成されています。このアンプは、初期のジッターやニップ・ノイズを除去するJENO（Jitter Elimination and Noise-shaping Optimization）Digital Engine と、周波数位相特性を平坦化するスピーカ負荷適応処理を行うLAPC（Load Adaptive Phase Calibration）を使っています。信号の損失を低く抑え込み、独自のデジタル・リンク入力、アナログXLR入力、アナログRCA入力、バイ・ワイヤリング（Bi-wiring）のスピーカ端子、および、安定化電源（silent linear power supply）を備え、高速スイッチング用のGaNを搭載しています。
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THD（全高調波歪み）、ダンピング・ファクタ（DF）、T-IMD（相互変調歪み）のような重要な特性パラメータで測定されたオーディオ・アンプによって再生された音の質は、使われたスイッチング・トランジスタの特性によって影響を受けています。D級オーディオ・アンプには、通常はパワーMOSFETを使いますが、エンハンスメント・モードGaN（eGaN）FETによって提供される、より低い導通損失、より速いスイッチング速度、および逆回復損失がないことは、音質の著しい向上、およびヒートシンク（冷却器）を不要にできる高い効率を可能にします。この結果、低コストで構築することができる小さな筐体で、より良い音質のシステムになります。
EEWeb
Alex Lidow
2014年2月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上前から市販されており、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって、すでに独占されていた多くの用途に浸透してきています。高共鳴ワイヤレス・パワー伝送、RF包絡線追跡、D級オーディオのような新たに出現した用途では、最新世代のeGaN® FETから得られる多くの利点があります。この記事では、これらの新しい用途において、パワーMOSFETから窒化ガリウム・トランジスタに急速に転換する動きについて考察します。
Power Pulse
Alex Lidow
2014年2月
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D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク（冷却器）が不要です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年11月21日、150W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス・デザイン「 EPC9106」を製品化しました。このデモ・ボードは、ブリッジ接続負荷（BTL：Bridge-Tied-Load）設計を採用し、4つのグラウンド基準のハーフブリッジ出力段で構成され、設計のスケーラビリティと拡張性を備えています。D級オーディオ・システムの音響特性に影響を与える要素のすべてが、eGaN FETベースのシステムで最小化されるか除去されています。
EPC9106は、テキサス・インスツルメンツ社の100Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ LM5113 と連携するeGaN FET（EPC2016）を搭載しています。この基板は、高音質なサウンドを実現でき、この専用eGaNドライバと一緒に使ったとき、高周波スイッチング動作可能なeGaN FETの特性によって小型化が可能です。高効率なので、EPC9106の設計では、どのようなヒートシンクも、まったく必要ありません。これは、にEMI（電磁干渉）／EMC（電磁環境適合性）放射の低減にも潜在的に貢献します。
eGaN FET、ドライバ、コイル、入出力コンデンサを搭載したパワー・ブロックEPC9106は、面積11mm×11mmと超小型のレイアウトです。小さいにもかかわらず、リファレンス・デザインEPC9106は、150W、8Ωで効率96％、250W、4Ωで効率92％を実現しています。
D級オーディオ用eGaN FETに関して、特にこのデモ・ボードに関して、さらに詳しく知りたい場合は、下記でEPCに連絡することによって、トレーニングを積んだEPCのフィールド・アプリケーション・エンジニアが訪問する日程を設定することができます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
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