パワー半導体は、イーモビリティの多くの分野で使われており、電圧と電流の要件に応じて車両の各部分に適したさまざまな技術が使われると同時に、新しい技術によって、システムの小型化が可能になっています。GaNやSiCの技術が成熟し、価格が低下するにつれて採用が増えており、この技術は、イーモビリティのパワー・トレインや電源システムの設計と開発をますます支配的になっています。

英E-Mobility Engineering誌
2024年3月
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窒化ガリウム（GaN）FETは、パワー・エレクトロニクス業界に革命をもたらし、従来のシリコンMOSFETと比べて、小型サイズ、高速スイッチング、高効率、低コストなどの利点を提供します。ただし、GaN技術の急速な進化は、GaN専用のゲート・ドライバとコントローラの開発を上回る場合があります。したがって、回路設計者は、シリコンMOSFET向けに設計された汎用ゲート・ドライバを利用することが多く、最適な性能を確保するためにさまざまな要素を慎重に検討する必要があります。

独Bodo’s Power Systems
2024年2月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、地政学的課題や化合物半導体分野の状況の変化にもかかわらず、GaNについて楽観的です。

台湾のDIGITIMES紙
2023年9月
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窒化ガリウム（GaN）半導体の会社Efficient Power Conversion（EPC）は、パワー部品の分野に新たな挑戦をし、長年にわたるシリコンの覇権に挑戦しています。

台湾のDIGITIMES紙
2023年9月
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15 V～350 Vの範囲の窒化ガリウム（GaN）ヘテロ接合電界効果パワー・トランジスタは、電力変換、モーター駆動、Lidar（光による検出と距離の測定）用パルス光などの用途において、効率、サイズ、速度、コストで、シリコンに比べて大きな利点をもたらすことが示されています。GaNの集積化によって、多くの高周波用途に多くのシステム上の利点がもたらされます。GaNの集積化は、まだ始まったばかりですが、時間の経過と共にその利点は確実に拡大します。

独Bodo’s Power Systems
2023年6月
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シリコンに代わる次世代技術にスポットライトを当てる事件

（カリフォルニア州エルセグンド） - 窒化ガリウム（GaN）技術の世界的リーダーであるEfficient Power Conversion Corporation（EPC）は本日、自社の基本的な特許ポートフォリオのうち4件の特許に関して、中国のInnoscience(Zhuhai) Technology Company, Ltd.、および、その関連会社（Innoscienceと総称）に対する告訴状を連邦裁判所と米国際貿易委員会（ITC）に提出しました。これらの特許は、EPC独自のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー半導体デバイスの設計および製造プロセスの中核をカバーしています。これらの特許には、GaNベースのパワー・デバイスを、研究プロジェクトから、シリコン・ベースのトランジスタに代わる大量生産可能な大量生産製品へ、および、より高効率、より小型、より低コストのGaNデバイスを備えた集積回路へと発展されることを可能にしたイノベーションが含まれています。

2010年3月にGaNオン・シリコンのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタが発売されて以来、シリコン・ベースのパワーMOSFETの採用と置き換えに向けて、ゆっくりですが単調なシフトがありました。最初の採用は、Lidar（光による検出と距離の測定）、ハイエンドのオーディオ・アンプ、ロボット、車両のヘッドランプ、高性能DC-DCコンバータなどのアプリケーションのリスクを冒す先見の明のある人々によってもたらされました。電力変換用のGaNの拡大が初期の採用者たちを以外にも広がるためには、WLCP（ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ）よりも使いやすい形を開発する必要がありました。ただし、この形にするためには、小型、低オン抵抗RDS(on)、高速、優れた熱伝導率、および低コストという重要な属性を維持する必要がありました。言い換えれば、最良のパッケージは、技術的に可能な最小容量のパッケージということになります。PQFNを入力してください・・・

独Bodo’s Power Systems
2023年3月
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Efficient Power Conversion（EPC）が製品化した新しい第6世代のデバイスは、同等のシリコンMOSFETの1/5と小型で、前世代のeGaNデバイスの2倍強力です。ビデオでCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）に聞きました。

エレクトロイクス・ニュース・サイトの独Electroniknet.de
2022年11月29日
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エレクトロニクスの国際展示会Electronica 2022のこのパネル・ディスカッションでは、複数のアプリケーション環境におけるSiCとGaNの利点と課題、および、大量生産能力と価格など広範な採用のために克服すべき最後の障壁について説明します。

米Power Electronics News誌
2023年1月
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EPCは、車載品質の規格AEC-Q101認定のGaN FETである耐圧80 VのEPC2252を発売し、車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、および低インダクタンスのモーター駆動に向けたシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月24日、実装面積1.5 mm×1.5 mmで、パルス電流75 A、耐圧80 V、オン抵抗1.1 mΩの「EPC2252」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。自動運転や、その他のADAS（先進運転支援システム）の用途、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、低インダクタンス・モーターの駆動に使う車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）用シリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスをパワー・システム設計者に提供します。

電力変換技術は、バイポーラからMOSへの移行以来、最初の地殻変動を経験しています。もちろん、その変化は、ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスの急速な普及によるものです。現時点では、GaNは単なる特殊技術ではありません；これは、数10億米ドル規模の市場である30 Vから650 Vまでの範囲の用途において、シリコンMOSFETの広範な代替品です。

米Power Electronics News誌
2022年12月
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従来のトランジスタのスケーリングの継続的な進歩にもかかわらず、半導体産業は、変曲点に達しています。より速く、より小さく、よりスマートで、エネルギー効率の高いチップに対する需要は、新しい設計と製造のパラダイムを必要としています。この電子ブックには、技術と市場の専門家である半導体調査会社の英Future HorizonsのMalcolm Penn；ルネサスエレクトロニクスのTim BurgessとBernd Westhoff；市場調査会社の仏Yole GroupのJean-Christophe Eloy；ベルギーの研究機関imecのLuc Van den hove；Yole GroupのYole IntelligenceのEzgi Dogmus、Poshun Chiu、Taha Ayari；Efficient Power Conversion のAlex Lidow（アレックス・リドウ）；米ノースカロライナ州立大学の研究機関PowerAmericaのVictor Veliadis；市場調査会社の英IDTechExのRichard CollinsとYu-Han Chang；研究機関の仏CEA-LetiのJean-René Lèquepeysからの寄稿が収められています。

米EETimes誌
2022年12月
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Guy MoxeyとEPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）の対談で、GaNと、米ウルフスピードの炭化ケイ素が私たちの生活をどのように変えているか、そして、これらの技術の未来が私たちをどこに連れて行ってくれるかを探ります。

米ウルフスピード
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electronica 2022のこのインタビューで、Alex Lidowは米EE Times誌のこの50年間の技術について、さらに、この業界の次の課題や、GaNの成長について語っています。「GaNによって上書きされるMOSFETが支配的な650 V以下について」。

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GaNパワー・デバイスは、さまざまな形態の放射線に曝されたときに、耐放射線のMOSFETよりも丈夫なので、宇宙での電力変換用途に最適な選択肢となるはずです。GaN の電気的および熱的な性能は、宇宙環境での優れた動作も実証しています。このポッドキャストでは、米EPC Spaceの最高経営責任者（CEO）であるBel Lazarが、宇宙産業におけるGaNの重要性を分析します。同社のCEOとしての役割に加えて、同氏は現在、Efficient Power Conversion（EPC）のCOO（最高執行責任者）も務めています。

米EETimes誌
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Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩのGaN FETであるEPC2619を製品化しました。このデバイスは、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小さく、DC-DC変換、モーター駆動、12 Vから20 Vへの同期整流などの高電力密度用途向けに、従来の MOSFETよりも高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月15日、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩの「EPC2619」を製品化したと発売しました。このデバイスは、当社の前世代の製品と比べて、2倍の電力密度が得られる新世代eGaNデバイスの主要製品です。

エネルギー効率の基準が厳しくなるにつれて、高電圧の炭化ケイ素と低電圧のGaNが従来のシリコンに取って代わり、より発熱が少なく、より軽量、そして、より大電力の電子機器を実現しています。Guy MoxeyとEPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）の懇談に加わって、より持続可能な未来に向けた競争において、米ウルフスピードとEPCの技術がどのように互いに補完し合うかを探りましょう。

ワイド・バンドギャップ半導体の米ウルフスピード
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11月15日～18日に、electronica 2022では、ドイツのミュンヘンの展示会場で国際的なエレクトロニクス産業を一堂に会します。ワイド・バンドギャップ半導体、再生可能エネルギー、スマート・グリッド、およびエネルギー貯蔵は、electronica 2022のパワー・エレクトロニクス・フォーラムで取り上げられる主要なトピックです。このポッドキャストでは、米オン・セミコンダクターの社長兼CEO（最高経営責任者）のHassane El-Khoury、米Silanna Semiconductor North AmericaのCEOのMark Drucker、Efficient Power Conversion（EPC）のCEOのAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、パワー・エレクトロニクス・フォーラムについて紹介します。Alex Lidowへのインタビュは31:55から始まります。

米EETimes誌
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米インターナショナル・レクティファイアーの元CEO（最高経営責任者）であり、Efficient Power ConversionのCEOであるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、シリコン・パワーMOSFETと窒化ガリウムHEMTという2つの革新的なパワー半導体技術を開拓した数少ない人物の1人です。彼は、どのようにして、この2つのユニークな機会を得たのでしょうか？

独ニュース・サイトelektroniknet.de
2022年9月
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業界では、GaNデバイスは、電気モーターのインバータに使われているという一般的な考えがあります。結局のところ、システムの性能が20 kHzのPWM（パルス幅変調）の使用によって制限されている場合、より高速なスイッチング速度からその利点の大部分を得る材料を使っても、わずかな利点しかない可能性があります。しかし、EPCのモーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタのMarco Palmaによると、GaNがその役割において、依然として効果的であることを証明できる方法がいくつかあります。

米Power Systems Design誌
2022年9月
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