エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のFETとICのリーダーであるEPCは、ドイツのニュルンベルクで開催されたPCIM Europe 2023でGaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介しました。同社の創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）に、パワー業界と、GaNデバイスがパワー業界に与えている影響について話を聞きました。

米Electronic Design誌
2023年5月
ビデオを見る

コンピューティングやデータセンターにおける計算能力の増大と電子機器の小型化によって、48 Vの電力の供給や変換システムに対する圧力がますます高まっています。高効率で電力密度の高いコンバータによって、システム・レベルでの電力損失を削減すると同時に、形状を小型化することができます。これに関連して、GaN技術と組み合わせたLLC共振回路構成は、複数の例で実証されているように、優れた性能を実現することに成功しています。 この記事では、eGaN^® FETを使った48 Vから12 VへのLLCコンバータで、4 kW／立方インチを超える電力密度を達成するための主要な設計パラメータと部品を示します。

米Power Electronics News誌

記事を読む

窒化ガリウム・デバイスは、電力変換の革新をリードしています。GaNベースのインバータの利点は、モーター駆動用途でますます明らかになっています。

米Power Electronics News誌
2022年10月
記事を読む

ルーマニアのEasy Engineering誌は、EPCのマーケティング部門ディレクタのRenee Yawgerに、GaN採用の現状とGaN技術の将来についてインタビューしました。

EルーマニアのEasy Engineering誌
2022年5月
記事を読む

ビデオ・インタビュ：Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、窒化ガリウム（GaN）の将来、GaNの採用率、および電源やその他の技術でのその使用について米Electronic Design誌と話しました。

米Electronic Design誌
2022年3月
ビデオを見る

この記事では、BOM（部品表）の部品点数が少なく、設計者がシリコンFETを使うときと同じ簡単な方法で同期整流型バック（降圧型）・コンバータを設計できるようにし、48 Vのパワー・システムで優れた性能を実現できるGaN FET互換のアナログ・コントローラを紹介します。

米Power Electronics News誌
2021年4月
記事を読む

窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、10年以上生産されており、性能とコストの改善だけでなく、GaN技術が電力変換市場に影響を与える最も重要なことは、同じ基板上に複数のデバイスを集積できる固有の属性にあります。これによって、モノリシック電源システムを単一チップ上において、より簡単、より高効率、かつ、より費用対効果の高い方法で設計できるようになります。

米Power Electronics News誌
2021年1月
記事を読む

窒化ガリウム（GaN）デバイスは、小さな形状で高性能を提供し、効率を高め、48 Vの電力変換用途のシステム・コストを削減します。それらは、高密度コンピューティングや多くの新しい自動車用パワー・システムの設計に大量に採用されています。

英Electronic Specifier誌
2021年2月
記事を読む

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月23日、権威あるWorld Electronics Achievement Awards（WEAA）2020のContributor of the Year賞をCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が受賞したと発表しました。

WEAAの構想は、世界中のエレクトロニクス産業の革新と発展に卓越した貢献をした製品、企業、個人に栄誉を授けることです。調査会社の米 ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと、アジア、米国、欧州のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、世界最大のエレクトロニクス業界メディアで、米EE Times誌や米EDN誌などの世界を対象とするメディアの米SaaSグループに属します

GaN技術は、大幅に改善されており、MOSFETの置き換えに最適なコストに達しました。2017年以降、48 V入力のDC-DCコンバータでのGaNの採用率は、市場で重要な暗示的な意味合いを帯び始めました。マルチフェーズやマルチレベルのバック（降圧型）などのさまざまな回路構成が、IT市場や自動車市場のエネルギー需要に応えるためのより高効率な新しいソリューションを提供しています。

米Power Electronics News誌
2020年11月
記事を読む

シリコン・ベースであろうと、GaNオン・シリコンであろうと、ディスクリート・パワー・トランジスタは最終章に入っています。GaNオン・シリコンの集積回路は、大幅にコストを低減し、必要な作業を減らし、より小さな実装面積で、より高い性能を提供します。この記事では、GaNの浮上が電力変換をどのように再定義しているかについて詳しく説明します。

独Bodo’s Power Systems
2020年10月
記事を読む

GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN^®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE（シングル・イベント効果）の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗R_DS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
記事を読む

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
記事を読む

EPC2051は、超小型のチップスケール・パッケージ封止で、37 Aのパルスを出力可能な耐圧100 V、最大オン抵抗25 mΩのパワー・トランジスタであり、電源システム設計者向けです。この新しいデバイスは、48 Vの電力変換器、LiDAR（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年9月11日、最大オン抵抗 R_DS(on)が25 mΩ、パルス出力電流37 Aで耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2051」を発売しました。面積が1.1 mm²と小型で高効率の電力変換を実現します。

Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、次世代マイクロチップと世界のワイヤレス・パワーを創造するための窒化ガリウムの利用方法について、Leo Laporte氏に語っています。

米オンライン・ニュースのThis Week in Technology
ビデオを見る

GaNハーフブリッジのEPC2111は、12 Vから1.8 Vに変換するPOL（負荷点）システム全体の効率を、スイッチング周波数5 MHz、出力14 Aで効率85％以上、スイッチング周波数10 MHzでは80％以上に向上できるソリューションを電源システム設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年6月1日、耐圧30Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2111」を製品化しました。2つのeGaN^®パワーFETをワン・チップに集積することによって、プリント回路基板上で必要な相互接続のインダクタンスを排除でき、チップ間のスペースが不要になります。これによって、効率（特に高い周波数）と電力密度の両方が向上し、最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストが削減できます。EPC2111は、12 VからPOL（負荷点）への高周波のDC-DC変換に最適です

GaNトランジスタを搭載した低電圧DC/DCコンバータの特性を改善：。
一般に入手可能で費用対効果の高い窒化ガリウム（GaN）・パワー・トランジスタの出現は、パワー・エレクトロニクスの新たな時代の始まりです。入力電圧が約48 VDCで負荷電圧が1 VDCと低い既存のデータセンターや通信アーキテクチャのパワー・コンバータに、エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET（eGaN FET）デバイスを利用する大きな利点があります。高性能GaNパワー・トランジスタは、従来のSi MOSFETベースのアーキテクチャで得られる効率よりも高くでき、電力密度も高められるので、データセンターや通信システムを強化する新しいアプローチが可能になります。

米Power Systems Design誌
David Reusch博士、John Glaser博士
2016年1月25日
記事を読む

ドイツ航空宇宙センター（DLR）のThe Institute of Robotics and Mechatronicsは、センサーとパワー・エレクトロニクスの改良に非常に関心を持っており、EPCの新しいエンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術を評価するために、この新しいロボット開発の機会を利用しました。そして、これまでで最高の当社のインバータ設計でこれを比較します。

Bodo’s Power Systems
著者：Robin Gruber、ドイツ航空宇宙センター（DLR）
2014年3月

スイッチング周波数10MHz以上での電力変換には、高速トランジスタと、高周波特性の良いパッケージの両方が必要です。eGaN FETは、パッケージと同様に、匹敵するもののないデバイス特性を提供することによって、成熟したパワーMOSFETと比べて、高周波での電力変換特性を改善する能力が実証されています。

Bodo’s Power Systems
寄稿者：Alex Lidow
2013年11月