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2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。
サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。
米EDN誌
2019年6月
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eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。
米EDN誌
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DesignCon2016における書籍のサイン会に登場した人たちのように、私たちの業界の知性とも言うべき人が何人かがいます。この中で、Efficient Power Conversion社アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de Rooijは、同氏の著書『Wireless Power Handbook』第2版のサイン会を行いました。DesignConの参加者は、この書籍を閲覧したり購入したりし、さらに、著者が自筆でサインしました。この著者は、質問にも答え、専門分野についての研究心について参加者と議論しました。
米EDN Network誌
2016年11月22日
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米EDN誌の2015年Hot 100 Productとして認められた低価格の窒化ガリウムFET のEPC2035/36は、同等のシリコン・ソリューションよりも高性能、小型、低コストです。EPC社のeGaN技術がHOT100として認められたのは、5年間で3回目になります。
エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年12月16日、当社の高速、低価格のeGaN FETであるEPC2035(60 V)とEPC2036(100 V)が米EDN誌の2015年100 Hot Productsのリストに掲載されたと発表しました。
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