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開発基板EPC9013は、耐圧100VのeGaN FETを搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使う最大出力電流35Aの基板です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年2月4日、耐圧100Vのエンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2001を搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使って、バック(降圧)・モードにおいて最大出力電流35Aで動作する開発基板「 EPC9013 」を製品化しました。この革新的な設計によって、効率を犠牲にせずに、出力電力を高められます。
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