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Efficient Power Conversion(EPC)、中国Shargeが大電力 USB PD規格充電器に当社のGaN FETを選択したと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、中国Shargeが大電力 USB PD規格充電器に当社のGaN FETを選択したと発表

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月15日、中国のSHARGE Technology(SHARGE)と協力して、電力表示画面を備えた67 W のUSB PD 充電器を設計したと発表しました。このRetro 67急速充電器は、EPCの100 VのGaN FETであるEPC2218を採用しています。このデバイスは、面積が3.5 mm×1.95 mmと小さく、パルス電流231 Aを供給することができ、USB PD規格の急速充電器向けのシリコン MOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

EPC2218は、SHARGEのすべてのGaN急速充電器に、より高い効率、最先端の電力密度、より低いシステム・コストを提供します。

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Efficient Power Conversion(EPC)、USB-Cバッテリー充電器や超薄型POL(負荷点)コンバータの高電力密度ソリューションに最適な耐圧40 VのeGaN FETを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、USB-Cバッテリー充電器や超薄型POL(負荷点)コンバータの高電力密度ソリューションに最適な耐圧40 VのeGaN FETを発売

EPCは、40 V、3 mΩのeGaN® FETであるEPC2055を発売し、高性能がかつ要求され、スペースに制約のある用途向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月17日、eGaN FET の「EPC2055」(3 mΩ、40 V)の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN技術が性能とコストの両方で飛躍的な進歩を遂げたと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN技術が性能とコストの両方で飛躍的な進歩を遂げたと発表

EPC社は、eGaN®FETのEPC2045とEPC2047を製品化し、前世代のeGaNトランジスタに対してチップ面積を半分にした上で、大幅な高性能化を実現しています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年3月15日、「EPC2045」(オン抵抗7 mΩ、耐圧100 V)と「EPC2047」(10 mΩ、200 V)を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを下げると同時に、性能を向上したと発表しました。EPC2045のアプリケーションには、48 V入力から負荷への1段のオープン・ラック・サーバー・アーキテクチャPOL(負荷点)コンバータ、USB-C、LiDAR(光による検出と距離の測定)などがあります。200 VのEPC2047の例には、無線充電、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロインバータなどがあります。

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