今週、宇宙旅行関連の2つの話題が私の机上に現れました。1つは、主要な国際的なヘッドラインとして突然出現し、もう1つは、私の電子メール画面に極めて静かに表れました。

このヘッドラインになった話題は、イーロン・マスク氏がCEO（最高経営責任者）を務める米スペースXが、ダミー・ドライバ（人形）を乗せた米テスラのスポーツ・カーを搭載したロケットの打ち上げ成功したこと。2つ目は、宇宙用途に適した窒化ガリウム技術についてでした。

米ニュースサイトElectro Pages
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ISL7002xSEH GaN FET とISL70040SEHローサイドGaN FETドライバが、打ち上げ機および人工衛星の電源供給を実現

先端の半導体ソリューションの主要サプライヤであるルネサスエレクトロニクス（本社：東京都江東区、証券コード：6723）は2月7日、宇宙産業初となる、耐放射線パッケージの窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）およびローサイドGaN FETドライバを発表しました。新製品は、打ち上げ機と人工衛星ならびにダウンホール掘削や高信頼性工業用途の1次および2次DC/DCコンバータ電源に使用可能です。これらのデバイスは、フェライト・スイッチ・ドライバ、モータ制御ドライバ回路、ヒータ制御モジュール、埋め込みコマンド・モジュール、100Vおよび28V電力調整、ならびに冗長スイッチング・システムを駆動します。

プレスリリース掲載ウエブサイトの米ビジネスワイヤ
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