LLC共振コンバータは、その高効率、高電力密度、優れた動的応答によって、中間の48 V から12 Vへの変換に推奨される回路構成として浮上しています。この回路構成とGaNトランジスタの組み合わせから得られる優れた性能は、これまでに実証されています。この記事では、EPCの製品などの最新世代のGaNデバイスが、どのように限界を一段と押し広げ続けているかを紹介します。

独Bodo’s Power Systems
2023年11月
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EPC9159は、17.5 mm×22.8 mmと超小型の実装面積に収めた1 kW、48 V/12 VのLLC コンバータで、最先端の電力密度5130 W/立方インチを実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月12日、高密度の48 Vサーバー電源やDC-DCコンバータ向けに設計した48 V / 12 VのLLCコンバータ「EPC9159」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、17.5 mm×22.8 mmと小さな実装面積で電力密度 5130 W/立方インチが得られ、1 kWの電力を供給できます。これは、1次側回路と２次側回路の両方で高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム（GaN）・パワー・スイッチを採用することによって実現しています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のFETとICのリーダーであるEPCは、ドイツのニュルンベルクで開催されたPCIM Europe 2023でGaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介しました。同社の創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）に、パワー業界と、GaNデバイスがパワー業界に与えている影響について話を聞きました。

米Electronic Design誌
2023年5月
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政府による気候変動対策の強化に伴って、自動車メーカーは、早急に新しい技術を活用して、内燃エンジンから電気駆動の自動車に切り替えることで対応しようとしています。この記事では、効率96%を達成し、48 Vのマイルドハイブリッド・システムを対象としたGaN FETを使った2 kW、2相で、48 V/12 Vの間の双方向コンバータの設計を紹介します。

米PSD North America誌
2023年3月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、定格200 V、オン抵抗10 mΩのEPC2307を発売し、定格100 V、150 V、200 Vの 6種の GaNトランジスタのファミリーを完成させました。これによって、DC-DC変換、AC/DCのスイッチング電源と充電器、ソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高い性能、より小さなソリューション・サイズ、および設計の容易さを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月31日、定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。

48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで、48V/12Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計の調査

英ニュース・サイトElectronics Today
2023年1月
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電力変換技術は、バイポーラからMOSへの移行以来、最初の地殻変動を経験しています。もちろん、その変化は、ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスの急速な普及によるものです。現時点では、GaNは単なる特殊技術ではありません；これは、数10億米ドル規模の市場である30 Vから650 Vまでの範囲の用途において、シリコンMOSFETの広範な代替品です。

米Power Electronics News誌
2022年12月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用のオプティマイザやマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズと低コストを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月14日、表面が露出し、実装面積が3 mm×5 mmと小さい熱的に強化されたQFNパッケージに収めた耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売したと発表しました。

コンピューティングやデータセンターにおける計算能力の増大と電子機器の小型化によって、48 Vの電力の供給や変換システムに対する圧力がますます高まっています。高効率で電力密度の高いコンバータによって、システム・レベルでの電力損失を削減すると同時に、形状を小型化することができます。これに関連して、GaN技術と組み合わせたLLC共振回路構成は、複数の例で実証されているように、優れた性能を実現することに成功しています。 この記事では、eGaN^® FETを使った48 Vから12 VへのLLCコンバータで、4 kW／立方インチを超える電力密度を達成するための主要な設計パラメータと部品を示します。

米Power Electronics News誌

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EPCは、80 Vの車載品質AEC-Q101認定の新しい GaN FETを2品種発売し、自動車の48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、インフォテインメント、自動運転用Lidar向けのシリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月8日、面積が2.5 mm×1.5 mmでパルス電流125 Aを供給できる耐圧80 V、オン抵抗6 mΩの「EPC2204A」、および 面積3.5 mm×1.95 mmでパルス電流231 Aを供給する80 V、3.2 mΩ の「EPC2218A」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。48 Vと12 Vの間の変換用の車載用DC-DC、インフォテインメント、自動運転用Lidar（光による検出と距離の測定）向けのシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩのGaN FETであるEPC2619を製品化しました。このデバイスは、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小さく、DC-DC変換、モーター駆動、12 Vから20 Vへの同期整流などの高電力密度用途向けに、従来の MOSFETよりも高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月15日、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩの「EPC2619」を製品化したと発売しました。このデバイスは、当社の前世代の製品と比べて、2倍の電力密度が得られる新世代eGaNデバイスの主要製品です。

より高い燃料効率基準を目的とした法律の増加に伴い、自動車メーカーは、増え続ける電子駆動機能に必要な電力を提供すると同時に、これらの要求を満たすための費用対効果の高いソリューションを探しています。この記事では、500 kHzのスイッチング周波数で48 Vから14.3 Vに変換するときに、GaN FETを使って96%を超える効率を実現するマイルド ハイブリッド車およびバッテリー・バックアップ・ユニット向けの双方向大電力コンバータについて詳しく説明します。

英Power Electronics Europe誌
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Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧100 V、オン抵抗3.8 mΩのGaN FETであるEPC2306 を発売し、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用オプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、 D級オーディオなどの高電力密度用途向けに高性能で小型なソリューション・サイズを提供へ。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月8日、耐圧100 Vの「EPC2306」を発売したと発表しました。熱的に強化されたQFNパッケージの市販のGaN FETの選択肢を拡大します。高密度コンピューティング用途で使う48 VのDC-DC変換、イーモビリティやロボット向けの48 VのBLDCモーター駆動回路、太陽光発電用 オプティマイザとマイクロインバータ、D級オーディオなどに向けて設計しています。

ルーマニアのEasy Engineering誌は、EPCのマーケティング部門ディレクタのRenee Yawgerに、GaN採用の現状とGaN技術の将来についてインタビューしました。

EルーマニアのEasy Engineering誌
2022年5月
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EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月10日、GaN FET の「EPC2071 」（オン抵抗の標準値1.7 mΩ、耐圧100 V）を発売したと発表しました。これによって、既製の低電圧窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大します。

GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。

英Electronic Specifier誌
2022年5月
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サーバーが48 Vに移行すると、GaNトランジスタは、今日のシリコンMOSFETを打ち負かし、性能とコストを改善します。

英オンライン・ニュースData Center Dynamics
2022年3月
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自動車のエネルギーは、48 Vバスと12 Vバスの間で交換されるため、48 V/12 Vコンバータは、現代のハイブリッド電気自動車に不可欠です。この2電圧システムは、従来の12 Vシステムに対応し、さらに、真空ポンプや送水ポンプ、電動スーパーチャージャ、ステアリング、オーディオ・システムなどの負荷に48 Vで大電力を供給します。48 V/12 Vコンバータのすべての要求の中で、効率、電力密度、サイズ、コストがリストの上位にあります。この記事では、GaNのePower StageであるEPC23101を使って、これらの設計基準に取り組み、ディスクリートのEPC2206デバイスを使った以前の設計と比較します。

独Bodo’s Power Systems

2022年3月
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EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなど、多くの業界にわたって電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを展示します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月2日、当社のチームが、3月20日から24日まで、米国ヒューストンで開催されるパワー・エレクトロニクス関連のイベントIEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition（APEC 2022）で、複数の技術プレゼンテーションと、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関する専門セミナーを開催すると発表しました（詳細なスケジュールは以下を参照）。さらに、ブース番号1307で、さまざまなユーザーの最終製品に採用された最新のeGaN^® FETsとICを展示します。

窒化ガリウムのスペシャリストであるEPCが米モノリシック・パワー・システムズと共同開発した双方向コンバータは、発表値のピーク効率97％で動作します。

米EETimes誌
2022年2月
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