EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、さまざまな実世界のアプリケーションにおける最新世代の GaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月7日、3月19日～23日に米国フロリダ州オーランドで開催される IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition（APEC 2023）のプレミア・パワー・エレクトロニクス・カンファレンスで複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました（以下の詳細なスケジュールを参照）。さらに、Orange County Convention Centerのブース番号732で、高電力密度コンピューティング、イーモビリティ、ロボット、太陽光発電、バッテリー充電など、多くのアプリケーションにおける最新世代のeGaN^® FETとICをデモします。市場で入手可能なGaNパワー半導体の最も幅広いポートフォリオである「Wall of GaN」を見るために、お立ち寄りください。

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格200 V、オン抵抗10 mΩのEPC2307を発売し、定格100 V、150 V、200 Vの 6種の GaNトランジスタのファミリーを完成させました。これによって、DC-DC変換、AC/DCのスイッチング電源と充電器、ソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高い性能、より小さなソリューション・サイズ、および設計の容易さを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月31日、定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用のオプティマイザやマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズと低コストを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月14日、表面が露出し、実装面積が3 mm×5 mmと小さい熱的に強化されたQFNパッケージに収めた耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売したと発表しました。

ルネサス エレクトロニクスの2相同期GaNブースト（昇圧型）・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaNeGaN^® FETを組み合わせることで、高電力密度で低コストのDC-DC変換が可能になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2022年1月4日、12 V入力を48 V出力に変換する500 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9166」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードEPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト（昇圧型）・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5％以上を実現できます。出力電圧は、36 V、48 V、60 Vに構成できます。この基板は、ヒートシンクなしで480 Wの電力を供給できます。

窒化ガリウム（GaN）デバイスは、小さな形状で高性能を提供し、効率を高め、48 Vの電力変換用途のシステム・コストを削減します。それらは、高密度コンピューティングや多くの新しい自動車用パワー・システムの設計に大量に採用されています。

英Electronic Specifier誌
2021年2月
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ルネサス エレクトロニクスのデュアル同期整流型GaNバック・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaN^® FETの組み合わせによって、シリコンと同じBOM（部品表）サイズとコストで高い電力密度と効率が実現できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月9日、わずか33 mm✕22.9 mm✕9 mm（1.3✕0.9✕0.35インチ）と小さな1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9157」を製品化しました。このデモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95％を超える効率を実現できます。

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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EPC2050は、電源システム設計者向けの製品で、非常に小型のチップスケール・パッケージに収めた耐圧350 V、最大オン抵抗65 mΩ、最大パルス電流26 Aのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年4月24日、最大オン抵抗 R_DS(on)が65 mΩ、最大パルス出力電流26 Aで耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売しました。用途には、電気自動車（EV）の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動、通信機器やサーバーの電源用の400 V入力、48 V出力の3レベルLLCコンバータなどのマルチレベル・コンバータ構成などがあります。