ルネサス エレクトロニクスの2相同期GaNブースト（昇圧型）・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaNeGaN^® FETを組み合わせることで、高電力密度で低コストのDC-DC変換が可能になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2022年1月4日、12 V入力を48 V出力に変換する500 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9166」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードEPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト（昇圧型）・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5％以上を実現できます。出力電圧は、36 V、48 V、60 Vに構成できます。この基板は、ヒートシンクなしで480 Wの電力を供給できます。

EPC9137は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータで、マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型なソリューション・サイズで、1.5 kWを供給でき、効率97％が得られます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月11日、非常に小さな実装面積で、効率97％で動作する1.5 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9137」を製品化しました。このデモ・ボードの設計は、スケーラブルです。つまり、2つのコンバータを並列接続して3 kWにしたり、3つのコンバータを並列にして4.5 kWにしたりすることができます。この基板は、100 VのeGaN^® FETであるEPC2206を4個搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を搭載したモジュールによって制御されます。

最新のデータセンターで電源アーキテクチャが12 Vの電力バス分配から48 Vへと移行していることに伴って、48 V系の電力変換効率と電力密度の向上への要求が高まっています。この流れに沿って、eGaN^® FETとICを使って設計されたDC-DCコンバータは、高効率化と高電力密度化のソリューションを実現できます。加えて、マイルドハイブリッド、ハイブリッド、およびプラグイン・ハイブリッドの電気自動車における48 V電源システムに対して、GaNトランジスタは、大きさ、重さ、および部品表（BOM）のコスト削減を提供することができます。

米Power Systems Design誌
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48 Vのバス・アーキテクチャの出現によって、窒化ガリウム（GaN）・トランジスタを使う新しいハイブリッド・コンバータを採用することができ、95％を超えるピーク効率と225 W / 立方インチの電力密度を達成することができます。省エネのために軽負荷時の効率が重要なデータセンターのアプリケーションにおいて大きな関心事であるコンバータの効率は、出力20％まで下げても90％以上と高く維持されています。

米オンラインのPowerPulse
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