EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、さまざまな実世界のアプリケーションにおける最新世代の GaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月7日、3月19日～23日に米国フロリダ州オーランドで開催される IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition（APEC 2023）のプレミア・パワー・エレクトロニクス・カンファレンスで複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました（以下の詳細なスケジュールを参照）。さらに、Orange County Convention Centerのブース番号732で、高電力密度コンピューティング、イーモビリティ、ロボット、太陽光発電、バッテリー充電など、多くのアプリケーションにおける最新世代のeGaN^® FETとICをデモします。市場で入手可能なGaNパワー半導体の最も幅広いポートフォリオである「Wall of GaN」を見るために、お立ち寄りください。

Efficient Power Conversion（EPC）が製品化した新しい第6世代のデバイスは、同等のシリコンMOSFETの1/5と小型で、前世代のeGaNデバイスの2倍強力です。ビデオでCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）に聞きました。

エレクトロイクス・ニュース・サイトの独Electroniknet.de
2022年11月29日
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EPCは、車載品質の規格AEC-Q101認定のGaN FETである耐圧80 VのEPC2252を発売し、車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、および低インダクタンスのモーター駆動に向けたシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月24日、実装面積1.5 mm×1.5 mmで、パルス電流75 A、耐圧80 V、オン抵抗1.1 mΩの「EPC2252」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。自動運転や、その他のADAS（先進運転支援システム）の用途、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、低インダクタンス・モーターの駆動に使う車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）用シリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスをパワー・システム設計者に提供します。

EPCと台湾Richtekは、昇降圧コントローラRT6190と、EPCのGaN FETであるEPC2204を使って、効率98%以上を実現するリファレンス・デザインを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月12日、台湾のRichtek Technologyと協力して、12 V～24 Vの入力電圧を5 V～20 Vの安定化した出力電圧に変換し、5 Aの最大連続電流、および6.5 Aの最大電流を供給できる4スイッチの双方向昇降圧（バック・ブースト）コントローラのリファレンス・デザイン基板を製品化したと発表しました。Richtekの新しいRT6190コントローラとEPCの超高効率 GaN FET であるEPC2204を組み合わせることで、高電力密度用途向けの従来のソリューションと比べて、ソリューションのサイズを20%以上小型化できます。このソリューションは、20 Vおよび12 Vの出力電圧で98%を超える効率を実現し、連続電流5 Aのとき、20 V入力、5 V出力の場合は15℃以下、12 V入力、20 V出力の場合は55℃以下の最高温度上昇でヒートシンクなしで動作できます。

このホワイト・ペーパーでは、電気マイクロモビリティの分野におけるモーター駆動用途向けの最新世代の低電圧（最大80 V）窒化ガリウム（GaN）・デバイスの用途について説明します。電力が1500 Wの軽い電動牽引（電動キックボードなど）向けの2レベル・インバータ構成が検討されています。インバータのレッグの各スイッチに2個のGaN FETを並列接続した実験用基板を用意しました。デバイス固有のパラメータの広がりと、回路とプリント回路基板の両方の漏れインダクタンスによる過渡状態と定常状態の両方での電流配分への影響を評価しました。この論文では、いくつかのシミュレーションを実行し、説明します。さらに、インバータの実験基板を使って、さまざまな負荷条件での相の電圧と電流を評価しました。最後に、温度制限対相電流の変動を評価しました。

IEEE 2022 AEIT International Annual Conference (AEIT)
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注：このサイトで完全な論文にアクセスするには、IEEEのメンバーシップが必要です。

この記事で、EPCは、第6世代GaN FETの性能の向上と、その結果として得られるデバイスが前世代のデバイスと同じオン抵抗RDS(on)を半分のチップ・サイズで実現する方法について説明します。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2022年11月
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GaN FETは、Solarnativeが太陽光発電用マイクロインバータ向けに、業界をリードする電力密度を実現することに貢献し、モジュール・フレームへの統合を可能にして、太陽光発電設備の課題を解決します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月9日、2022 年 11 月、独Solarnativeが、新しいマイクロインバータに GaN デバイスを使って、業界最高の電力密度を実現したと発表しました。このインバータPower Stickは、世界最小で、大きさは23.9×23.2×404 mmです。350 Wの交流出力電力のとき、容積0.19リットルでは、1リットル当たり1.6 kWの電力密度に相当します。比較として、市場をリードするサプライヤの IQ 7Aマイクロインバータでは、1.12リットルの容量で 349 Wを供給しています。1リットル当たりでは 0.31 kW に相当します。これは、Solarnativeのデバイスの1/5にも満たない値です。サイズが大幅に縮小されたにもかかわらず、欧州における効率は、Power Stickで 96.0%、IQ 7Aで 96.5%と、ほぼ同等です。

11月15日～18日に、electronica 2022では、ドイツのミュンヘンの展示会場で国際的なエレクトロニクス産業を一堂に会します。ワイド・バンドギャップ半導体、再生可能エネルギー、スマート・グリッド、およびエネルギー貯蔵は、electronica 2022のパワー・エレクトロニクス・フォーラムで取り上げられる主要なトピックです。このポッドキャストでは、米オン・セミコンダクターの社長兼CEO（最高経営責任者）のHassane El-Khoury、米Silanna Semiconductor North AmericaのCEOのMark Drucker、Efficient Power Conversion（EPC）のCEOのAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、パワー・エレクトロニクス・フォーラムについて紹介します。Alex Lidowへのインタビュは31:55から始まります。

米EETimes誌
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GaNベース・インバータのリファレンス・デザインのEPC9167は、システム全体のコストを低減すると同時に、モーター・システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。このインバータは非常に小型なので、モーターのハウジングに統合でき、EMI（電磁干渉）雑音が最小になり、密度が最大になり、最軽量にできます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月23日、eGaN^® FETのEPC2065を使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9167」を製品化しました。EPC9167は、入力電源電圧14 V〜60 V（公称48 V）で動作し、標準構成と大電流版の2つの構成があります。

2021年は、世界がGaNへの扉を開くことを決めた過渡期の年でした。CES週間中の米Power Electronics News誌とのインタビューで、GaN業界のエキスパートたちは、GaNが今、シリコンよりも優れていることを確認しました。

米Power Electronics News誌
2022年1月
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EPC2070は、非常に小さなチップスケール・パッケージに封止し、パルス化した34 Aの電流供給能力がある定格100 V、最大オン抵抗23 mΩのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、60 W、48 Vのパワー・コンバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明などのアプリケーションに最適です。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月7日、面積が1.1 mm²と超小型で、高効率の電力変換を実現する最大オン抵抗R_DS(on)が23 mΩ、パルス出力電流34 Aで定格100 VのGaNトランジスタ「EPC2070」を発売したと発表しました。.

今日、ブラシレスDC（BLDC）モーターとしても知られる永久磁石モーターは、広く使われており、他のモーターと比べて、1立方インチ当たりのトルク能力が高く、動力が大きくなっています。これまで、シリコン・ベースのパワー・デバイスがインバータの電子機器で支配的でしたが、今日、それらの性能は理論上の限界に近づいてきています。そこで、より高い電力密度の必要性が高まっています。窒化ガリウム（GaN）のトランジスタとICは、これらのニーズを満たすための最高の特性を備えています。

米Power Systems Design誌
2021年11月
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宇宙用途の技術は、2021年の重要な部分であり、したがって、放射線耐性のある部品がさらに前面に出てきています。最近、2つの新しいFETが登場しましたが、それらはこの宇宙に何をもたらすのか？

米オンライン・ニュースAll About Circuits
2021年6月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、ロボット、ドローン、3次元センシング、ゲーム、自動運転車などの飛行時間（ToF）型Lidar（光による検出と距離の測定）アプリケーション向けに、より高性能でより小さなソリューション・サイズを実現できる新しい窒化ガリウム（GaN）集積回路（IC）の製品ファミリーを拡張したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月23日、ロボット、ドローン、拡張現実、ゲームのアプリケーションで使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバと、低電圧差動信号（LVDS）論理レベル入力を備えた40 V、10 AのFETを集積したワン・チップのレーザー・ドライバを製品化しました。

窒化ガリウム・パワー・デバイス技術は、これまでに達成できなかったより高い周波数、より高い効率、およびより高い電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。GaNパワー・デバイスは、デバイスの設計によって、シリコンMOSFETと比べて優れた放射線耐性が得られる可能性があります。

英Power Electronics Europe誌
2020年12月
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人生の現実と同じように、高齢者がより若い人たちの中心ステージを去るときのように、シリコンがお辞儀をします。古くて信頼性の高いシリコンは徐々に引退し、窒化ガリウム（GaN）の登場と採用によって引き継がれてきています。40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、および回路構成の革新が増大する電力ニーズに対応していたため、パワー・マネージメント（電源管理）の効率とコストは着実に改善されてきました。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しました。同時に、新しい材料であるGaNは、老朽化したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍という理論的な性能限界に向けて着実にその旅を続けて進化しています。

米オンライン・ニュースEEWeb
2020年7月16日
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D級オーディオに関する米オンライン・ニュースEEWorldの「バーチャル・ラウンドテーブル」のこのパート2では、パネリストが窒化ガリウム（GaN）の出現がD級の設計に及ぼす影響について詳しく説明します：シリコン・デバイスはまだ支配的なところはどこですか？　D級アンプでGaNを使うことの性能上の利点は何ですか？　D級アンプにおいて、GaNとシリコンの予想される将来のトレンドは何ですか？　このバーチャル・ラウンドテーブルの参加者は、米アナログ・デバイセズのオーディオ・システム・アーキテクトJoshua LeMaire（JL）、Efficient Power Conversion のストラテジック・テクニカル・セールス部門バイス・プレジデントSteve Colino（SC）、独インフィニオン テクノロジーズのD級オーディオのアプリケーション・エンジニアリングの責任者Jens Tybo Jensen（JTJ）です。

米オンライン・ニュースEEWorld Online
2020年7月
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40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、回路構成の革新が電力に対する拡大するニーズに対応していたため、パワー・マネージメント（電源管理）の効率とコストは着実に向上しています。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しています。同時に、新しい材料である窒化ガリウム（GaN）は、成熟したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍の理論的性能限界に向けた旅を着実に進めています。

米EE Times誌
2020年6月
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シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。パワー・エレクトロニクス業界は、シリコンMOSFETの理論的限界に達しているとみており、今、新しい要素に移行する必要があります。窒化ガリウムGaNは、移動度の高いHEMT（高電子移動度トランジスタ）であり、新しい用途に見合った真の付加価値を提供します。

米Power Electronics News誌
2020年3月25日
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EPC（Efficient Power Conversion）は、米Spirit Electronicsと提携し、業界をリードする当社の窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスに関連する製造ロット固有のデータ・サービスを提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月11日、業界をリードする当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）・デバイス向けに、製造ロット固有の広範なデータ・サービスを提供するために、米Spirit Electronicsと提携したと発表しました。

「Spirit Electronicsとの提携は、同社の広範な経歴、および、防衛や航空宇宙のユーザーとの協業での実績のある成功例を補う機会をEPCに提供します。当社のeGaNパワー半導体製品に関連したロット固有のデータ・サービスを提供することで、要求の厳しいこれらの用途に付加価値をもたらすことができます」とEPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。