Efficient Power Conversion（EPC）は、電力変換ソリューション向けの放射線耐性のある（耐放射線）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、定格62 Aおよび 250 Aの 2種の新しい耐圧40 Vのデバイスを製品化しました。宇宙およびその他の高信頼性の厳しい用途に対応します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月18日、定格40 Vの耐放射線（Rad Hard）GaN FET を2品種製品化したと発表しました。「EPC7001」は、実装面積が7 mm²と小さく、耐圧40 V、オン抵抗4 mΩ、パルス電流250 Aの耐放射線GaN FETです。「EPC7002」は、40 V、14.5 mΩ、パルス電流62 Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は1.87 mm²と非常に小型です。いずれのデバイスも、ドレイン-ソース間電圧VDSが最大ブレークダウン定格の100%のとき、総線量定格は1000K Rad(Si) 以上で、LET（線エネルギー付与）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性は 83.7 MeV/mg/cm²です。これらの新しいデバイスは、他の耐放射線ファミリーと同様に、チップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版は、米EPC Space.から入手できます。

この記事では、さまざまなパワー・ループのレイアウトを分析し、熱管理と電気的寄生要素を同時に考察します。

この結果は、レイアウトの改善によって、電気的性能の利点を維持しながら、動作温度の上昇を大幅に削減できることを示しています。

米オンライン・ニュースEE Power
2022年10月
記事を読む

いくつかの簡単な熱管理ガイドラインは、GaN FETから熱を放散することに役立ちます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、形状がすべて小型で、超高速スイッチングと低オン抵抗によって高電力密度を提供します。ただし、これらの高性能デバイスが提供する電力レベルは、極端な熱流束密度によって制限される可能性があります。適切に管理しないと、発生した熱によって信頼性と性能が低下する可能性があります。幸いなことに、eGaN FETのチップスケールのパッケージは、基板側と裏側（つまり、パッケージ）を活用して、熱をよりうまく放散させることができます。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2022年2月
記事を読む

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、フィールドでの実際の動作、またはAECやJEDECの規格に従ってテストしたとき、優れた熱機械的信頼性を示しています。これは、「パッケージ」の本質的な単純さ、すなわち、ワイヤー・ボンド、異種材料、成形材料を使っていないからです。最近、寿命予測を実験的に求めるために、アンダーフィル製品の広範な調査が実施されました。このセクションの最後にある有限要素解析では、実験結果を説明し、主要な材料特性に基づいてアンダーフィルを選択するためのガイドラインを提示します。

独Bodo’s Power Systems
2021年3月
記事を読む

問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか？
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか？
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか？
4. パッケージの熱効率を高めることができますか？
5. より低価格で製品を売ることができますか？
6. パッケージの信頼性の高くできますか？

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。