EPCは、すでに製品化したEPC2045、EPC2052、EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN^® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」（最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V）を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。