EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを発表し、効率96.5%以上を達成しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月2日、デュアル出力の同期整流型バック（降圧型）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9158」を製品化したと発表しました。この基板は、スイッチング周波数500 kHzで動作し、48 V～54 Vの入力電圧を、安定化された12 V出力に変換し、1相当たり最大25 A、または、合計連続電流50 Aを供給できます。EPCの超効率GaN FETと、米アナログ・デバイセズの新しい同期整流型GaNバック・コントローラLTC7890との組み合わせによって、高電力密度用途向けの小さなフットプリントで、非常に高効率なソリューションを構成できます。このソリューションは、48 V入力、12 V出力、連続電流50 Aで、効率96.5%を達成しています。

自動車のエネルギーは、48 Vバスと12 Vバスの間で交換されるため、48 V/12 Vコンバータは、現代のハイブリッド電気自動車に不可欠です。この2電圧システムは、従来の12 Vシステムに対応し、さらに、真空ポンプや送水ポンプ、電動スーパーチャージャ、ステアリング、オーディオ・システムなどの負荷に48 Vで大電力を供給します。48 V/12 Vコンバータのすべての要求の中で、効率、電力密度、サイズ、コストがリストの上位にあります。この記事では、GaNのePower StageであるEPC23101を使って、これらの設計基準に取り組み、ディスクリートのEPC2206デバイスを使った以前の設計と比較します。

独Bodo’s Power Systems

2022年3月
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この記事では、効率的な48 Vの電力分配のためのGaNを備えた車載用バック／逆ブースト・コンバータの設計と性能について説明します。

英Electronics Today誌
12月/ 1月版
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Efficient Power Conversion（EPC）は、高性能GaNベース設計のための設計ツール、モデル、および性能シミュレーションの設計支援を拡張し、提供します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月19日、GaNベースの設計から最適な性能を得られるように支援する一連の設計ツールGaN Power Bench™を公開したと発表しました。eGaN^® FET と ICは、今日の最先端アプリケーションの厳しい電力密度の要件を満たすことができる高速スイッチング、高効率、小型化を提供します。GaN Power Bench のツールは、そのアプリケーションに最適なGaNデバイスの選択を支援し、その設計の熱特性をシミュレーションして最適化でき、理想的な性能を得るために必要な最適な設計のヒントを迅速かつ簡単に複製するために必要なすべてのサポート資料とアプリケーション例を提供します。

EPCの最高経営責任者（CEO）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者（CEO）であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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GaNトランジスタが提供するスイッチング速度の向上には、優れた測定技術と、高速波形の重要な詳細を把握するための優れた技術が必要です。この記事では、高性能GaNトランジスタを正確に評価するために、ユーザーの要求と測定技術のための測定装置を活用する方法を中心に説明します。さらに、非接地基準の波形で使うための高い帯域幅の差動プローブも評価します。

米ニュース・サイトEDN Network
By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
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EPC社の新しい開発基板は、バック（降圧型）・コンバータ、またはZVSのD級アンプのいずれかに構成することができ、eGaN FETの同期ブートストラップで強化されたゲート駆動を利用して高周波での損失の低減を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年3月30日、開発基板3品種（EPC9066、EPC9067、EPC9068）を製品化しました。いずれもバック（降圧型）・コンバータ、またはZVS（ゼロ電圧スイッチング）のD級アンプとして構成できます。これらの基板は、電源システムの設計者が、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価する方法を提供するので、設計者は、自分の製品を迅速に量産に移行することができます。今回の3種の基板はすべて、最高15 MHzまでの高周波動作時の効率を高めるために、逆回復電荷（Q_RR）がゼロの同期ブートストラップ整流器で強化されたゲート・ドライバを備えていることが特徴です。各基板は、バック型やZVSのD級アンプの構成において、最大で2.7 Aの出力電流を供給することができます。損失の低減は、全電流範囲にわたって実現されます。

EPC9118は、最大48 V、および、それ以上の電源電圧で、高周波スイッチング可能なeGaN® FETを使う電力変換の小型化と高効率化を容易に実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年10月21日、完全に機能するバック（降圧）型電力変換のデモ回路「EPC9118」を製品化しました。この基板は、30 V～60 Vの入力から5 Vを出力し、最大出力電流20 Aで400 kHzで動作するバック・コンバータです。エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001とEPC2015、および、バック・コントローラLTC3891を搭載しています。このバック・コンバータの設計は、通信、産業、医療の用途における分散型電源ソリューションに最適です。

この回では、高周波バック（降圧型）・コンバータに最適なレイアウトを施すと、スイッチング1 MHzで効率96％以上が得られることについて説明します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2013年9月

EPC9107は、高周波スイッチング用eGaNパワー・トランジスタを使って構成した電力変換において、サイズの削減と効率の向上を実現します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年6月19日、完全な機能を備えたバック（降圧）型電力変換のデモ回路「EPC9107」を製品化しました。この基板は、9 V～28 Vの範囲の入力を3.3 Vに変換し、最大出力電流15 A、1 MHz動作のバック・コンバータです。米テキサス・インスツルメンツ社の耐圧100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバEPC2015と連携するeGaN FET（LM5113）を使っています。このeGaN専用ドライバと組み合わせたとき、EPC9107は、高周波スイッチング用eGaN FETによるサイズの削減と特性の実力を実証します。

デモ・ボードEPC9107は、面積が3インチ（１インチは2.54cm）角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータが搭載されています。eGaN FET、ドライバ、コイル、入／出力コンデンサを含む完全なパワー段は、eGaNドライバLM5113と共にeGaN FETを使って実現できる特性を確かめられ、0.5インチ×0.5インチと超小型にレイアウトしてあります。

eGaN FETs differ from silicon MOSFETs in part because of their significantly faster switching speeds. In the second article of this series, we explore the different requirements for gate drive, layout, and thermal management.

By Johan Strydom PHD, Director of Application Engineering, EPC
Power Electronics Technology
January 1, 2011

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