Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vと200 Vの 2種の新しいデバイスを製品化しました。これによって、電力変換ソリューション向けの耐放射線（Rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張したので、多数の過酷な宇宙用途や、その他の高信頼性用途に対応できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月11日、2種の新しい耐放射線GaN FETを製品化したと発表しました。１つは「EPC7020」で、定格200 V、オン抵抗11 mΩ、パルス電流170 Aの耐放射線GaN FETであり、面積が12 mm2と小型です。もう1つの「EPC7003」は、100 V、30 mΩ、パルス電流42 Aの耐放射線GaN FETで、面積は1.87 mm2と超小型です。いずれのデバイスも、総線量の定格が1000K Rad(Si)以上で、定格ブレークダウンの最大100%のドレイン-ソース間電圧VDSで 83.7 MeV/mg/cm²の LET（Linear Energy Transfer）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性があります。これらの新しいデバイスは、このほかの耐放射線（Rad Hard）ファミリーのEPC7019, EPC7014、EPC7004、EPC7018、EPC7007と共に、商用eGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版はEPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、この製品ファミリーに5番目の耐放射線デバイスを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月30日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7004」を製品化すると発表しました。EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm²と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7004、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019、EPC7018は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

小型衛星は、地球低軌道（LEO）のミッションに対して、より費用効果の高いアプローチであり、世界中に低コストのインターネット・アクセスを提供することに貢献します。このアプリケーションでは、耐放射線特性を強化したパルス幅変調コントローラとGaN FETドライバとを組み合わせたGaN FETは、従来のシリコンの対応品と比べて、より高効率なスイッチング、より高い動作周波数、より低いゲート駆動電圧、より小さなソリューション・サイズを実現可能にします。

英Electronics Weekly誌
July, 20192019年7月 記事を読む