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eGaN FETのより良い熱管理

eGaN FETのより良い熱管理

いくつかの簡単な熱管理ガイドラインは、GaN FETから熱を放散することに役立ちます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)FETは、形状がすべて小型で、超高速スイッチングと低オン抵抗によって高電力密度を提供します。ただし、これらの高性能デバイスが提供する電力レベルは、極端な熱流束密度によって制限される可能性があります。適切に管理しないと、発生した熱によって信頼性と性能が低下する可能性があります。幸いなことに、eGaN FETのチップスケールのパッケージは、基板側と裏側(つまり、パッケージ)を活用して、熱をよりうまく放散させることができます。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2022年2月
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GaNデバイスの故障テスト

GaNデバイスの故障テスト

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、2010年3月から量産され、フィールドでの信頼性が優れています。この記事では、部品を故障点までテストすることによって、データシートの制限間のマージン量を理解する方法を詳しく説明しますが、さらに重要なことは、固有の故障メカニズムを理解できることです。本質的な故障メカニズム、故障の根本原因、さまざまな時間、温度、電気的または機械的なストレスにわたるデバイスの動作、および製品の安全な動作寿命を知ることによって、動作条件のより一般的な組み合わせを決定できます。

米Power Systems Design
2020年3月3日
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