EPCは、40 V、3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2055を発売し、高性能がかつ要求され、スペースに制約のある用途向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月17日、eGaN FET の「EPC2055」（3 mΩ、40 V）の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。