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EPC9159は、17.5 mm×22.8 mmと超小型の実装面積に収めた1 kW、48 V/12 VのLLC コンバータで、最先端の電力密度5130 W/立方インチを実現します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月12日、高密度の48 Vサーバー電源やDC-DCコンバータ向けに設計した48 V / 12 VのLLCコンバータ「EPC9159」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、17.5 mm×22.8 mmと小さな実装面積で電力密度 5130 W/立方インチが得られ、1 kWの電力を供給できます。これは、1次側回路と2次側回路の両方で高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム(GaN)・パワー・スイッチを採用することによって実現しています。
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EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなど、多くの業界にわたって電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを展示します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月2日、当社のチームが、3月20日から24日まで、米国ヒューストンで開催されるパワー・エレクトロニクス関連のイベントIEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC 2022)で、複数の技術プレゼンテーションと、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する専門セミナーを開催すると発表しました(詳細なスケジュールは以下を参照)。さらに、ブース番号1307で、さまざまなユーザーの最終製品に採用された最新のeGaN® FETsとICを展示します。
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EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.6 mΩのeGaN® FETであるEPC2069 を製品化し、高性能が要求され、スペースに制約のあるアプリケーション向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。
エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月21日、eGaN FETの「EPC2069」(標準値1.6 mΩ、40 V)を製品化し、既製品の低耐圧窒化ガリウム・トランジスタの性能を高めたと発表しました。
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米MPS(Monolithic Power Systems)のコントローラとEPCの超効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのLLC DC-DC変換において、1700 W / 立方インチと最高クラスの電力密度を実現可能にします。
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