ルネサス エレクトロニクスの2相同期GaNブースト（昇圧型）・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaNeGaN^® FETを組み合わせることで、高電力密度で低コストのDC-DC変換が可能になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2022年1月4日、12 V入力を48 V出力に変換する500 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9166」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードEPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト（昇圧型）・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5％以上を実現できます。出力電圧は、36 V、48 V、60 Vに構成できます。この基板は、ヒートシンクなしで480 Wの電力を供給できます。

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2067を発売し、高性能でスペースに制約のあるアプリケーション向けに、MOSFETよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月27日、eGaN FETの「EPC2067」（標準1.3 mΩ、40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.6 mΩのeGaN^® FETであるEPC2069 を製品化し、高性能が要求され、スペースに制約のあるアプリケーション向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月21日、eGaN FETの「EPC2069」（標準値1.6 mΩ、40 V）を製品化し、既製品の低耐圧窒化ガリウム・トランジスタの性能を高めたと発表しました。

EPC9149は、1/8ブリック・サイズで1/4ブリックの電力を供給し、1 MHzでスイッチングするeGaN^® FETを使って、優れた電力密度を実現し、1 kWの電力を供給します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月25日、変換比4対1の直流変圧器として動作する1 kW対応の48 V入力、12 V出力のLLCコンバータ「EPC9149」を発売しました。このデモ・ボードは、GaN FET である100 VのEPC2218と40 VのEPC2024を搭載しています。

ルネサス エレクトロニクスのデュアル同期整流型GaNバック・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaN^® FETの組み合わせによって、シリコンと同じBOM（部品表）サイズとコストで高い電力密度と効率が実現できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月9日、わずか33 mm✕22.9 mm✕9 mm（1.3✕0.9✕0.35インチ）と小さな1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9157」を製品化しました。このデモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95％を超える効率を実現できます。