EPC9159は、17.5 mm×22.8 mmと超小型の実装面積に収めた1 kW、48 V/12 VのLLC コンバータで、最先端の電力密度5130 W/立方インチを実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月12日、高密度の48 Vサーバー電源やDC-DCコンバータ向けに設計した48 V / 12 VのLLCコンバータ「EPC9159」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、17.5 mm×22.8 mmと小さな実装面積で電力密度 5130 W/立方インチが得られ、1 kWの電力を供給できます。これは、1次側回路と２次側回路の両方で高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム（GaN）・パワー・スイッチを採用することによって実現しています。

EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月10日、GaN FET の「EPC2071 」（オン抵抗の標準値1.7 mΩ、耐圧100 V）を発売したと発表しました。これによって、既製の低電圧窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大します。

EPC2070は、非常に小さなチップスケール・パッケージに封止し、パルス化した34 Aの電流供給能力がある定格100 V、最大オン抵抗23 mΩのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、60 W、48 Vのパワー・コンバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明などのアプリケーションに最適です。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月7日、面積が1.1 mm²と超小型で、高効率の電力変換を実現する最大オン抵抗R_DS(on)が23 mΩ、パルス出力電流34 Aで定格100 VのGaNトランジスタ「EPC2070」を発売したと発表しました。.

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2067を発売し、高性能でスペースに制約のあるアプリケーション向けに、MOSFETよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月27日、eGaN FETの「EPC2067」（標準1.3 mΩ、40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。