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Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けの100 Vの耐放射線GaNトランジスタを製品化、市場で最も低いオン抵抗のソリューションを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けの100 Vの耐放射線GaNトランジスタを製品化、市場で最も低いオン抵抗のソリューションを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線(rad-hard)窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、現在市場に出回っている100 Vの耐放射線トランジスタの中で最もオン抵抗が小さい100 Vのデバイスを製品化します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月14日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7018」を製品化すると発表しました。EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm2と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7018、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、超低オン抵抗で耐圧200 Vの耐放射線トランジスタを製品化へ、要求の厳しい宇宙用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、超低オン抵抗で耐圧200 Vの耐放射線トランジスタを製品化へ、要求の厳しい宇宙用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm2と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

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