Efficient Power Conversion（EPC）は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm²と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。