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Efficient Power Conversion(EPC)、オーストリアEfficient Energy Technology(EET)の SolMateが当社のGaNを採用、効率を 2 倍にし、製品寿命を延長へ

Efficient Power Conversion(EPC)、オーストリアEfficient Energy Technology(EET)の SolMateが当社のGaNを採用、効率を 2 倍にし、製品寿命を延長へ

PC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月5日、革新的なバルコニー発電設備の設計と製造におけるオーストリアを拠点とするパイオニアであるEfficient Energy Technology GmbH(EET)が、同社の最新のSolMate®グリーン・ ソーラー・バルコニー製品に、当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)パワー・トランジスタのEPC2204を選択したと発表しました。EPC2204は、要求の厳しいハードスイッチング用途にとって重要な低オン抵抗RDS(on)と低出力容量COSSの間の最適な妥協点を実現しており、小型パッケージに封止し、ドレイン-ソース間降伏電圧は100 Vです。この小型な設計によって、プリント回路基板のサイズが大幅に縮小され、電流ループが小さく保たれ、電磁干渉(EMI)雑音を最小化できます。

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並列接続されたeGaN FETを使った3 kW、2相、3レベルの高効率コンバータ

並列接続されたeGaN FETを使った3 kW、2相、3レベルの高効率コンバータ

再生可能エネルギー革命と交通機関の電化が進むにつれて、住宅用エネルギー貯蔵システムの必要性が高まっています。ソーラー・パネルなどの再生可能電源から生成されたエネルギーを蓄電池に充電するには通常、高効率のDC-DCコンバータが必要です。窒化ガリウム(GaN)FETの高速スイッチング速度と低オン抵抗RDS(on)によって、DC-DCコンバータ内の消費電力が削減され、エネルギーの節約に貢献します。この記事では、100~250 Vから40~60 Vへの高効率DC-DCコンバータを設計する方法を説明します。

英Power Electronics Europe誌
2023年5月
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独Solarnativeが GaN デバイスを使って、モジュール・フレームに統合した新しいマイクロインバータで太陽光発電設備の課題を解決へ

独Solarnativeが GaN デバイスを使って、モジュール・フレームに統合した新しいマイクロインバータで太陽光発電設備の課題を解決へ

GaN FETは、Solarnativeが太陽光発電用マイクロインバータ向けに、業界をリードする電力密度を実現することに貢献し、モジュール・フレームへの統合を可能にして、太陽光発電設備の課題を解決します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は11月9日、2022 年 11 月、独Solarnativeが、新しいマイクロインバータに GaN デバイスを使って、業界最高の電力密度を実現したと発表しました。このインバータPower Stickは、世界最小で、大きさは23.9×23.2×404 mmです。350 Wの交流出力電力のとき、容積0.19リットルでは、1リットル当たり1.6 kWの電力密度に相当します。比較として、市場をリードするサプライヤの IQ 7Aマイクロインバータでは、1.12リットルの容量で 349 Wを供給しています。1リットル当たりでは 0.31 kW に相当します。これは、Solarnativeのデバイスの1/5にも満たない値です。サイズが大幅に縮小されたにもかかわらず、欧州における効率は、Power Stickで 96.0%、IQ 7Aで 96.5%と、ほぼ同等です。

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独BRC Solarが次世代ソーラー・オプティマイザにEPCの100 VのeGaN FETを選択

独BRC Solarが次世代ソーラー・オプティマイザにEPCの100 VのeGaN FETを選択

100 VのGaN FETであるEPC2218は、BRCの新しいパワー ・オプティマイザ M500/14で、スペースの制限を緩和し、より高い周波数と電力定格を達成しています。

BRC Solar GmbHは 8月23日、太陽光の発電所とシステムのエネルギー収量と性能を向上させるパワー ・オプティマイザで、太陽光発電市場に革命をもたらしています。Efficient Power Conversionの 100 VのFETであるEPC2218を次世代のパワー ・オプティマイザM500/14の設計に組み込むことで、低消費電力で小型なGaN FETによって、重要な負荷回路をより小型にできるので、より高い電流密度が可能になりました。GaN FETは、寄生の容量とインダクタンスが小さいため、クリーンなスイッチング特性が得られ、フィールドで良好なEMI(電磁干渉)雑音特性が得られます。GaN FETのもう 1 つの利点は、逆回復損失がゼロであることです。

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