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太陽光発電用マイクロインバータやパワー・オプティマイザにおけるGaNデバイスの寿命予測

太陽光発電用マイクロインバータやパワー・オプティマイザにおけるGaNデバイスの寿命予測

マイクロインバータとパワー・オプティマイザは、エネルギーの効率と変換を最大化するために、最新のソーラー・パネルで広く採用されています。このような回路構成と実装には通常、最低25年の耐用年数が必要ですが、これは市場での採用にとって重要な課題となっています。低電圧窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイス(VDSの定格<200 V)は有望なソリューションであり、ますます多くの太陽光発電メーカーによって、広く使われています。

この記事では、GaNトランジスタの本質的な基礎となる疲労メカニズムを調査するために、故障するまでのテストのアプローチを採用し、適用しています。この調査によって、太陽光発電用途におけるさまざまなミッション・プロファイルの固有の要求の下で寿命を正確に予測できる物理ベースの寿命モデルの開発が可能になります。

米How2Power誌
2023年8月
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Efficient Power Conversion(EPC)、フットプリント互換のパッケージ封止のGaNファミリーを150 Vに拡張へ、高電力密度用途の柔軟な設計が可能に

Efficient Power Conversion(EPC)、フットプリント互換のパッケージ封止のGaNファミリーを150 Vに拡張へ、高電力密度用途の柔軟な設計が可能に

Efficient Power Conversion(EPC)は、耐圧150 V、オン抵抗6 mΩのGaN FETであるEPC2308を発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用 オプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動などの高電力密度用途向けの高性能で小型のソリューション・サイズに貢献します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は10月20日、150 Vの「EPC2308」を製品化し、熱的に強化したQFNパッケージの市販の GaN FETの選択肢を拡大したと発表しました。この製品は、電動工具やロボットのモーター駆動、産業用途向けの 80 Vと100 Vの間の高密度 DC-DC、充電器、アダプタ、電源向けの28 V入力、54 V出力の同期整流、スマートフォンのUSB 高速充電器、太陽光発電のオプティマイザとマイクロインバータ向けに設計しました。

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パッケージ封止のGaN FETは、フットプリント互換のソリューションを提供し、費用対効果を最適化します

パッケージ封止のGaN FETは、フットプリント互換のソリューションを提供し、費用対効果を最適化します

熱的に強化されたQFNパッケージ封止のGaN FETは、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度用途向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

米Power Electronics News誌
2022年9月
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