窒化ガリウム（GaN）FETは、パワー・エレクトロニクス業界に革命をもたらし、従来のシリコンMOSFETと比べて、小型サイズ、高速スイッチング、高効率、低コストなどの利点を提供します。ただし、GaN技術の急速な進化は、GaN専用のゲート・ドライバとコントローラの開発を上回る場合があります。したがって、回路設計者は、シリコンMOSFET向けに設計された汎用ゲート・ドライバを利用することが多く、最適な性能を確保するためにさまざまな要素を慎重に検討する必要があります。

独Bodo’s Power Systems
2024年2月
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LLC共振コンバータは、その高効率、高電力密度、優れた動的応答によって、中間の48 V から12 Vへの変換に推奨される回路構成として浮上しています。この回路構成とGaNトランジスタの組み合わせから得られる優れた性能は、これまでに実証されています。この記事では、EPCの製品などの最新世代のGaNデバイスが、どのように限界を一段と押し広げ続けているかを紹介します。

独Bodo’s Power Systems
2023年11月
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GaNデバイスは、過去15年間で、初期の研究開発段階から主流の設計に移行しました。残念ながら、これらの初期段階のバイポーラ駆動回路の開発、または行き止まりの技術分岐からの多くの誤解が残っています。最も有害なものの1つは、バイポーラ駆動の話題です。実際には、ユニポーラ駆動がeGaN^® FETを駆動する最良の方法です。

英オンライン・ニュースPower Electronics Tips
2022年10月
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