低電圧GaN FETはサイズを小型化し、冷却要件を最小限に抑え、効率を向上させています。

低電圧GaN FET（すなわち100 V）は、多くの従来のSiベース・パワーMOSFETのアプリケーションのサイズを小型化し、冷却要件を最小限に抑え、効率を向上させています。この記事では、これらのデバイスの動的性能の再現性と信頼性の高い特性評価に対する課題について説明します。カスタマイズされたGaNの治具とテスト基板の慎重かつ細心の機械的および電気的設計によって、これらの課題の多くを克服でき、パワー・コンバータ設計で、これらの新しいWBGデバイスを、確信を持って使えるようになります。

米Power Electronics News誌
2023年7月
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このホワイト・ペーパーでは、電気マイクロモビリティの分野におけるモーター駆動用途向けの最新世代の低電圧（最大80 V）窒化ガリウム（GaN）・デバイスの用途について説明します。電力が1500 Wの軽い電動牽引（電動キックボードなど）向けの2レベル・インバータ構成が検討されています。インバータのレッグの各スイッチに2個のGaN FETを並列接続した実験用基板を用意しました。デバイス固有のパラメータの広がりと、回路とプリント回路基板の両方の漏れインダクタンスによる過渡状態と定常状態の両方での電流配分への影響を評価しました。この論文では、いくつかのシミュレーションを実行し、説明します。さらに、インバータの実験基板を使って、さまざまな負荷条件での相の電圧と電流を評価しました。最後に、温度制限対相電流の変動を評価しました。

IEEE 2022 AEIT International Annual Conference (AEIT)
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