EPCは、面積3 mm×5 mmの小型QFNパッケージに封止した耐圧100 V、オン抵抗1 mΩのGaN FETであるEPC2361を製品化し、DC-DC変換、高速充電、モーター駆動、ソーラーMPPT（最大電力点追従）に、高い電力密度を提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月27日、耐圧100 V、オン抵抗1 mΩの「EPC2361」を製品したと発表しました。これは、市場で最も低いオン抵抗のGaN FETであり、当社の前世代品と比べて、電力密度が2倍になっています。

Efficient Power Conversion（EPC）は、フットプリントの互換性があるePower™ Stage IC のファミリーを拡張して、電力密度を高め、DC-DC用途、モーター駆動、D級オーディオ・アンプのさまざまな電力要件に対応する設計を簡素化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月21日、定格が15 Aの「EPC23104」と25 Aの「EPC23103」の 2種の新しい耐圧100 Vのパワー段 ICを製品化したと発表しました。この2種のデバイスは、EPCが提供する100 V、35 Aのパワー段ICであるEPC23102のシリーズに加わります。