より多くの処理電力で、より複雑な負荷が、軌道上または深宇宙ミッションに配置されると、場合によっては、2つ以上のパワー・スイッチを並列にする必要があります。 ただし、FSMD-A/B/C/Dなどの従来のパワー・デバイス・パッケージと、そのI/Oパッドの準備では、性能を意識した方法で、これらのデバイスの並列接続を実現することが困難です。これらのパッケージ上のゲートとソースの検出パッドは、並列接続されると、ドレインとソースの接続、またはゲートとソースの検出パッドのパッケージ間での最も高効率／最短の相互接続を阻害することになります。したがって、並列構成では、最適化されたドレイン-ソース間負荷回路の性能とゲート-ソース間の検出駆動ループの性能の間には常に妥協点が存在します。この記事では、FSMD-GディスクリートHEMTパッケージを紹介し、GaN HEMTを並列接続するときに、I/Oパッドの再構成によって、これらの制限をどのように克服するかについて説明します。

米How2Power誌
2023年9月
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2010年3月にGaNオン・シリコンのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタが発売されて以来、シリコン・ベースのパワーMOSFETの採用と置き換えに向けて、ゆっくりですが単調なシフトがありました。最初の採用は、Lidar（光による検出と距離の測定）、ハイエンドのオーディオ・アンプ、ロボット、車両のヘッドランプ、高性能DC-DCコンバータなどのアプリケーションのリスクを冒す先見の明のある人々によってもたらされました。電力変換用のGaNの拡大が初期の採用者たちを以外にも広がるためには、WLCP（ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ）よりも使いやすい形を開発する必要がありました。ただし、この形にするためには、小型、低オン抵抗RDS(on)、高速、優れた熱伝導率、および低コストという重要な属性を維持する必要がありました。言い換えれば、最良のパッケージは、技術的に可能な最小容量のパッケージということになります。PQFNを入力してください・・・

独Bodo’s Power Systems
2023年3月
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ビデオ・インタビュ：Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、窒化ガリウム（GaN）の将来、GaNの採用率、および電源やその他の技術でのその使用について米Electronic Design誌と話しました。

米Electronic Design誌
2022年3月
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EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、APEC 2019のRidley Engineeringブースで、シリコンが死んだというタイトルのプレゼンテーションを行いました。

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問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか？
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか？
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか？
4. パッケージの熱効率を高めることができますか？
5. より低価格で製品を売ることができますか？
6. パッケージの信頼性の高くできますか？

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。

より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN ^®FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。

Bodo’s Power Systems誌
2016年10月
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より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN^® FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。

Bodo’s Power Systems誌
David Reusch博士、Alex Lidow博士
2016年6月1日
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スイッチング周波数10MHz以上での電力変換には、高速トランジスタと、高周波特性の良いパッケージの両方が必要です。eGaN FETは、パッケージと同様に、匹敵するもののないデバイス特性を提供することによって、成熟したパワーMOSFETと比べて、高周波での電力変換特性を改善する能力が実証されています。

Bodo’s Power Systems
寄稿者：Alex Lidow
2013年11月

EPCのDavid Reuschは、エンハンスメント・モードGaN、および、損失を低減することに貢献するパッケージ不要のパッケージについて語ります。

Electronic Products誌
2013年10月
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パッケージには、欠点があります。すなわち、抵抗やインダクタンスが余分に増えることによって、特性を劣化させると同時に、実装面積を大きくし、パワーMOSFETの価格を上昇させます。GaN HEMTにおける最善の解決策は、現在主流のシリコンとのコスト競争を可能にする1つのステップとしてパッケージを捨てることだ、とEfficient Power Conversion CorporationのAlex Lidow（アレックス・リドウ）は主張しています。

米Compound Semiconductor誌
2013年6月