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独Bodo’s Power Systemsが主催するGaN業界のエキスパートとのラウンド・テーブル。以下のゲストが参加します:
- Alex Lidow(アレックス・リドウ)、Efficient Power ConversionのCEOで共同創立者
- Doug Bailey、米パワー・インテグレーションズのマーケティング・アンド・アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
- Dilder Chowdhury、オランダNexperiaのストラテジック・マーケティング、パワーGaN技術部門ディレクタ
- Tom Ribarich、アイルランドNavitas Semiconductorのストラテジック・マーケティング部門シニア・ディレクタ
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窒化ガリウム(GaN)は、次世代のパワー・トランジスタとして、シリコンMOSFETを十分に置き換えることができる技術の1つです。シリコンが、その性能限界に近づくと同時に、GaNデバイスは、より優れた導通特性と、より高速なスイッチング特性で注目されるでしょう。この短いポッドキャストで、Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、GaNパワー・デバイスとシリコン・パワー・デバイスとの違いについて語っています。
米Power Electronic TIPS誌
2014年9月
EPC社CEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)による新たな毎月のコラムの第1回は、GaNオン・シリコンのパワー・デバイスが成熟したパワーMOSFETの優れた代替品になることができるという考察が紹介されます。
米EEWeb.com誌
By: Alex Lidow
2013年6月
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我们对功率半导体最基本的要求是性能、可靠性、管控性及成本效益。它的高频率性能,可切合稳压器系统于体积及瞬态响应方面的需要而具更高价值,并为D类功率放大器提供高保真度。一个新器件结构如果不高效、不可靠的话,根本不可能商品化。市场上有很多新结构及原料可选择,但是接受度有限。不过,现在有氮化镓(Gallium Nitride/GaN)增强型功率管控器件问世,具有高导电性、极快开关、硅器件之成本结构及基本操作模式等优异性能,其代表就是宜普公司的新产品。
Stephen Colino, Robert Beach
今日电子
2010年9月
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Due to its advantages GaN will probably become the dominant technology. GaN has a much higher critical electric field than silicon which enables this new class of devices to withstand much greater voltage from drain to source with much less penalty in on-resistance.
By Alex Lidow, PhD
Bodo’s Power Systems
June, 2010
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Recent breakthroughs by EPC in processing gallium nitride (GaN) have produced enhancement-mode devices with high conductivity and hyper-fast switching, with a silicon-like cost structure and fundamental operating mechanism.
By Robert Beach, Steve Colino
Electronic Design
April 29, 2010
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