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WiGaN:広い負荷範囲で高効率のワイヤレス・パワーにおけるeGaN FET

実用的なワイヤレス・パワー・システムは、このようなシステムの利便性の要素に対応する必要があります。A4WPクラス3などの規格は、利便性の要素に対応しており、アンプの特性を比較するための出発点として使うことができるように、コイルのインピーダンスを広い範囲で定義しています。WiGaNの今回の記事で、ZVSのD級アンプとE級アンプの両方がA4WPクラス3規格に対して6.78 MHzでテストされます。

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eGaN FET対シリコンのパワー決戦Volume 14、パート1:eGaN FETの小信号RF特性

eGaN FETは、パワー・スイッチング・デバイスとして設計され、最適化されましたが、良好なRF特性も備えています。この記事は、RF特性に対する2回シリーズの第1弾で、周波数範囲200 MHz~2.5 GHzのRF特性に焦点を当てています。

著者:Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
Matthew Meiller、米Peak Gain Wireless社の社長

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