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Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETを使った最高密度のDC-DCコンバータで最高スイッチング周波数2 MHzを実現、米アナログ・デバイセズと協力

Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETを使った最高密度のDC-DCコンバータで最高スイッチング周波数2 MHzを実現、米アナログ・デバイセズと協力

EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを製品化しました。アナログ・デバイセズの新しい同期GaNバック(降圧型)・コントローラLTC7890とEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、最高2 MHzのスイッチング周波数が可能になり、高電力密度で低コストのDC-DC変換が実現できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月9日、入力電圧9 V~24 Vを3.3 V~5 Vの出力電圧に変換し、最大15 Aの連続電流を2つの出力に供給するスイッチング周波数2 MHzのデュアル出力同期バック(降圧型)・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9160」を製品化したと発表しました。スイッチング周波数が高いため、コンバータのサイズは非常に小さく、2出力で面積は、わずか23 mm×22 mmであり、コイルの高さは、わずか3 mmです。

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Efficient Power Conversion(EPC)、GaNパワー・モジュールを製品化、48 V入力、12 V出力のDC-DC向けに電力密度1400 W / 立方インチ以上を実現、POL(負荷点)変換で最高10 MHzで動作

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNパワー・モジュールを製品化、48 V入力、12 V出力のDC-DC向けに電力密度1400 W / 立方インチ以上を実現、POL(負荷点)変換で最高10 MHzで動作

Efficient Power Conversionのパワー・モジュールEPC9204EPC9205は、高周波でスイッチングできるeGaN®パワー・トランジスタと集積回路を使ったDC-DC電力変換で実現された超小型化と効率向上を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月6日、48 V入力からPOL(負荷点)電源アーキテクチャへの効率を高められるDC-DC変換用の新しいGaNパワー・モジュール2品種を発表しました。その1品種の「EPC9205」は、48 V入力から12 V出力に変換する用途向けの高電力密度のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、もう1品種の「EPC9204」は、超薄型のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、20 V入力からPOLへの変換に対応しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、48 V入力、12 V出力のGaNベースの安定化した電源開発基板を製品化、1立方インチ当たり1250 W以上で効率96%以上を実現

Efficient Power Conversion(EPC)、48 V入力、12 V出力のGaNベースの安定化した電源開発基板を製品化、1立方インチ当たり1250 W以上で効率96%以上を実現

Efficient Power Conversionの5相開発基板EPC9130は、高速でスイッチングできるeGaN®パワー・トランジスタを使って実現された電力変換で超小型化と効率向上を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月5日、48 V入力、12 V出力の完全に安定化された非絶縁型開発基板「EPC9130」を製品化しました。この開発基板は、1相当たりの出力電流が12 Aの5相構成で、最大出力電流は60 Aなので、出力電力は700 W以上が得られます。EPC9130は、1250 W /立方インチを超える極めて高い電力密度と96%以上の効率を実現しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN技術を使って5 nsの狭いパルスを供給できる150 A出力の LiDAR開発基板を製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN技術を使って5 nsの狭いパルスを供給できる150 A出力の LiDAR開発基板を製品化

今回の開発基板EPC9126HCで使われる超高速遷移のeGaN FETは、150 Aの大電流で、パルス幅がわずか5 nsと狭い高速なパルスを出力できるので、高精度、高解像度、高速のLiDAR(光による検出と距離の測定)システムが検出する情報の質を向上させます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年11月30日、大電流パルス・レーザー・ダイオードを最大電流150 Aで駆動できる耐圧100 Vの評価基板「EPC9126HC」を製品化しました。自動運転車の用途で3次元マップを作成するために使うLiDAR(光による検出と距離の測定)システムでは、対象物を検出する速度と精度が重要です。この基板で実証されているように、eGaN FETの高速遷移能力は、同等のMOSFETよりも最大10倍高速に、レーザーを駆動するパワー・パルスを出力できるので、LiDARシステムの全体的な性能を向上させることができます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、最高10 MHzまで高効率で動作する開発基板を製品化、高周波POL(負荷点)のDC-DC変換向け

Efficient Power Conversion(EPC)、最高10 MHzまで高効率で動作する開発基板を製品化、高周波POL(負荷点)のDC-DC変換向け

高効率ハーフブリッジ開発基板のEPC9086は、最近製品化された米Peregrine Semiconductor社の高速ゲート・ドライバEPC2111と組み合わせた耐圧30 VのeGaN®ハーフブリッジPE29102を搭載し、最高10 MHzまで動作します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年10月19日、最高10 MHzまで動作可能な高効率ハーフブリッジ開発基板「EPC9086」を製品化しました。EPC9086の基板の大きさは、2インチ×2インチ(1インチは2.54cm)で、米Peregrine Semiconductor社が最近製品化したゲート・ドライバEPC2111と組み合わせた耐圧30 V、最大出力電流15 Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウムのハーフブリッジPE29102を搭載しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、卓上灯からノート・パソコンまでのあらゆる電子機器に電力供給するシステムの設計に使えるデモ・キットを製品化、ワイヤレス・パワーの全範囲に対応

Efficient Power Conversion(EPC)、卓上灯からノート・パソコンまでのあらゆる電子機器に電力供給するシステムの設計に使えるデモ・キットを製品化、ワイヤレス・パワーの全範囲に対応

今回のデモ・キットで使った低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンスで小型のeGaN®FETとICの優れた特性は、GaN FETとICが高共鳴のAirFuel™アライアンス規格と互換性があるワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に理想的です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年10月2日、10 Wでクラス2のアンプ、カテゴリー3の受電器を含む完全なワイヤレス・パワー・キット「EPC9127」と、16 Wでクラス3のアンプ、2つの受電器(カテゴリー3と4)から成るワイヤレス・パワー・キット「EPC9128」の2品種のデモ・キットを製品化しました。これらのシステムは、カテゴリー3対応のAirFuelクラス 2規格、または互換性のある受電器を備えたQi(A6)/ PMA規格のいずれかで動作し、すでに製品化した33 Wでクラス4のEPC9120、マルチモード・キットのEPC9121も含めれば、ワイヤレス・パワーの全範囲に対応し、広範囲にわたって完全な実装が可能なデモ・キットのシリーズになります。

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Efficient Power Conversion(EPC)、最新世代の耐圧200 VのeGaN FETを搭載した60 WのE級アンプ開発基板を製品化、 最大15 MHzまでの高効率化を実現可能

Efficient Power Conversion(EPC)、最新世代の耐圧200 VのeGaN FETを搭載した60 WのE級アンプ開発基板を製品化、 最大15 MHzまでの高効率化を実現可能

EPCの新しい開発基板EPC9083によって、電源システム設計者は、ワイヤレス・パワー、LiDAR(光による検出と距離の測定)、電流モードのD級、およびプッシュプル・コンバータの最大15 MHzで動作するE級アンプで使う高性能で200 Vの窒化ガリウム・トランジスタで実現できる高効率化を簡単かつ迅速に評価できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年8月22日、電源システム設計者が窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を評価し、迅速に量産対応するための扱いやすい方法を提供するために、高効率で柔軟性のあるGaNベースの差動モード開発基板「EPC9083」を製品化しました。ワイヤレス・パワー用途で一般的な6.78 MHzを含めて、最大15 MHzまで動作可能です。

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Efficient Power Conversion(EPC)、同等の定格のMOSFETよりも面積が1/12と小さい耐圧200Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、同等の定格のMOSFETよりも面積が1/12と小さい耐圧200Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

GaNパワー・トランジスタのEPC2046は、ワイヤレス・パワー、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロ・インバータなどの電源システム設計者向けで、同等の定格のシリコンMOSFETよりも面積が1/12と小さい耐圧200 V、オン抵抗25 mΩのパワー・トランジスタです。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年5月25日、ワイヤレス・パワー、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロ・インバータなどのアプリケーションで使えるパワー・トランジスタ「EPC2046」を発売しました。EPC2046の定格電圧は200 V、最大オン抵抗RDS(on) は25 mΩで、パルス出力電流55 Aを処理できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETと高速同期ブートストラップ構成を利用した15 MHz動作のハーフブリッジ開発基板を製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETと高速同期ブートストラップ構成を利用した15 MHz動作のハーフブリッジ開発基板を製品化

EPC社の新しい開発基板は、バック(降圧型)・コンバータ、またはZVSのD級アンプのいずれかに構成することができ、eGaN FETの同期ブートストラップで強化されたゲート駆動を利用して高周波での損失の低減を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年3月30日、開発基板3品種(EPC9066EPC9067EPC9068)を製品化しました。いずれもバック(降圧型)・コンバータ、またはZVS(ゼロ電圧スイッチング)のD級アンプとして構成できます。これらの基板は、電源システムの設計者が、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価する方法を提供するので、設計者は、自分の製品を迅速に量産に移行することができます。今回の3種の基板はすべて、最高15 MHzまでの高周波動作時の効率を高めるために、逆回復電荷(QRR)がゼロの同期ブートストラップ整流器で強化されたゲート・ドライバを備えていることが特徴です。各基板は、バック型やZVSのD級アンプの構成において、最大で2.7 Aの出力電流を供給することができます。損失の低減は、全電流範囲にわたって実現されます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、100 Wで効率92%のeGaN FET開発基板を製品化、6.78 MHzのワイヤレス・パワー規格AirFuel向け

Efficient Power Conversion(EPC)、100 Wで効率92%のeGaN FET開発基板を製品化、6.78 MHzのワイヤレス・パワー規格AirFuel向け

開発基板EPC9065は、eGaN® FETを搭載し、ワイヤレス・パワー規格AirFuel™の6.78 MHzで最高の電力と最高の効率が得られます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年2月16日、AirFuel™アライアンスのクラス4規格とクラス5規格のワイヤレス・パワー伝送用途向け増幅段として機能する開発基板「EPC9065」を製品化しました。この基板は、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)の差動モードD級アンプ構成の開発基板ですが、6.78 MHz(最も低いISM帯)に限定されるものではありません。

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Efficient Power Conversion(EPC)、50 A、1 MHzの開発基板を製品化、POL(負荷点)コンバータを小型化可能

Efficient Power Conversion(EPC)、50 A、1 MHzの開発基板を製品化、POL(負荷点)コンバータを小型化可能

開発基板のEPC9059は、電力密度を高めるために大電流化、高周波化したPOL(負荷点)コンバータの用途向けに、業界で初めてモノリシックのハーフブリッジ・エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)集積回路を搭載しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年1月27日、電力変換回路のサイズを小型化するために、eGaN ICを使って大電流化、高周波化したPOL(負荷点)コンバータ用のハーフブリッジ開発基板「EPC9059」を製品化しました。開発基板EPC9059は、最大デバイス電圧が30 Vで、最大出力電流は50 Aです。大きな出力電流を得るために、基板上の1個のゲート・ドライバで、2個の30 VのeGaN IC(EPC2100)を並列動作させています。GaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた電流分割能力を備えているので、並列動作に向いています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FET搭載の開発基板を製品化、30 MHzまで高効率

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FET搭載の開発基板を製品化、30 MHzまで高効率

EPC社の新しい開発基板によって、電源システムの設計者は、最高30 MHzまで動作するE級アンプ、電流モードD級アンプ、およびプッシュプル・コンバータにおいて、200 Vの窒化ガリウム・トランジスタによって達成できる高効率を簡単かつ迅速に評価することができます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年1月15日、最高30 MHzまで動作するGaNベースで高効率の差動モード開発基板を製品化しました。この基板は、電源システムの設計者に、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を評価し、自分の製品を迅速に量産化するための使いやすい方法を提供します。

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Efficient Power Conversion(EPC)、無線充電用途向けに超小型で低コストのFET を発売、eGaN製品のファミリーを拡張

Efficient Power Conversion(EPC)、無線充電用途向けに超小型で低コストのFET を発売、eGaN製品のファミリーを拡張

100 V、1 A、550 mΩのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタEPC2037は、デジタル論理ICで直接駆動でき、無線充電のD級アンプやE級アンプの用途において、優れた高周波スイッチング特性を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年10月6日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ(eGaN® FET)・ファミリーの最新の製品として「EPC2037」を発売しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、非常に高速な窒化ガリウム・パワー・トランジスタの小型モノリシック・ハーフブリッジを発売、2 MHz 以上で動作、D級オーディオに最適

Efficient Power Conversion(EPC)、非常に高速な窒化ガリウム・パワー・トランジスタの小型モノリシック・ハーフブリッジを発売、2 MHz 以上で動作、D級オーディオに最適

GaNパワー・トランジスタのEPC2106は、2 MHz以上でスイッチングするソリューションを電源システムの設計者に提供します。この結果、AM帯域との干渉がなく、フィルタリングのためのコストを削減できるので、低歪みのD級オーディオ向けに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年8月4日、エンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2106」を発売しました。2個のeGaN®パワーFETを集積して単一のデバイスにすることによって、デバイス間の相互接続インダクタンスやプリント回路基板上に必要な間隔が排除されます。エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、効率(特により高い周波数で)と電力密度の両方を向上できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、ワイヤレス給電のA4WP Rezence規格向けに、高効率で低コストの新しいベンチマークに貢献するeGaNパワー集積回路を製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、ワイヤレス給電のA4WP Rezence規格向けに、高効率で低コストの新しいベンチマークに貢献するeGaNパワー集積回路を製品化

新しいeGaN®パワー集積回路である EPC2107EPC2108は、ワイヤレス給電の業界団体A4WPの規格クラス2およびクラス3準拠のソリューション向けに、ハーフブリッジとブートストラップ機能を集積化したモノリシックICです。さらに、これらの部品を素早く、簡単に評価するために、開発基板と、完全なワイヤレス・パワー(無線充電)のソリューション、すなわち送信デバイスと受信デバイスも用意しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年7月14日、ブートストラップFET も集積したeGaNのハーフブリッジ・パワー集積回路の「EPC2107(耐圧100 V)」と「EPC2108 (60 V)」を製品化しました。ハイサイド・クランプの必要がなく、逆回復損失を生じるゲート・ドライバも不要です。eGaNパワー回路にブートストラップFETも集積したデバイスは今回が初めてです。

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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・トランジスタを発売、シリコンがこれまで実現できなかったコスト・速度の壁を破る

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・トランジスタを発売、シリコンがこれまで実現できなかったコスト・速度の壁を破る

eGaN®パワー・トランジスタの新しいファミリーは、優れた性能、小型化、高い信頼性を提供します――しかもMOSFETの価格で。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年4月29日、シリコンの性能を上回ると同時に、価格で競合できるように設計したeGaNパワー・トランジスタ2品種(耐圧60 Vの「EPC2035」と耐圧100 Vの「EPC2036」)を発売しました。価格、すなわち、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタ普及への最後の壁が崩壊しました。これらの製品は、窒化ガリウムが、シリコン半導体を置き換えることが可能で、この業界がムーアの法則の成長曲線に戻ることに貢献できることを実証しています。

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電力効率96%でプロ品質のサウンド:Efficient Power Conversion(EPC)、省スペース設計で高品質オーディオ特性を実現したeGaN FET搭載デモ・ボードを製品化

電力効率96%でプロ品質のサウンド:Efficient Power Conversion(EPC)、省スペース設計で高品質オーディオ特性を実現したeGaN FET搭載デモ・ボードを製品化

高周波スイッチング可能な窒化ガリウム・パワー・トランジスタを使ったD級オーディオ・アンプのリファレンス設計EPC9106は、プロシューマ品質のサウンドを実現すると同時に、高効率化、小型化が可能で、ヒートシンクが不要です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年2月5日、150 W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス設計「EPC9106」を製品化しました

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウムのモノリシック・ハーフブリッジを製品化、28 V入力、1V出力のPOLで効率87%以上を実現

GaNパワーのモノリシック・ハーフブリッジEPC2101は、パワー・システムの設計者に、効率と電力密度を高めるためのソリューションを提供します。完全なバック(降圧型)・コンバータの場合、ディスクリート(個別部品)のソリューションと比べて、トランジスタが占める基板面積を50%削減できると同時に、スイッチング周波数500 kHzで28 Vから1 Vに変換するときに、システム効率は14 Aでほぼ87%、30 Aのときは82%以上です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年11月18日、耐圧60 Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジEPC2101」を製品化しました。単一のデバイスに2個のeGaN®パワーFETを集積化することによって、デバイスを2個使ったときの配線のインダクタンスやプリント回路基板上に必要な面積が削減できます。この結果、トランジスタによって占有される基板面積を半分にできます。これは、エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、(特により高い周波数における)効率と電力密度の両方を向上できます。EPC2101は、高周波DC-DC変換に最適です。

ハーフブリッジEPC2101 に集積した各デバイスの耐圧は60 Vです。上側のFETのオン抵抗RDS(on) は標準値で8.4mΩ、下側のFETのRDS(on) は標準2mΩです。VIN / VOUT比が高いバック(降圧型)・コンバータにおけるDC-DC変換効率を最適化するために、ハイサイドFETのサイズは、ローサイド・デバイスの約1/4にしてあります。EPC2101は、スイッチング速度と熱特性を改善するために、チップスケール・パッケージで提供され、電力密度を高めるために、面積は6.05 mm×2.3 mmと小型です。

開発基板

開発基板「EPC9037」は、面積2インチ×1.5インチ(1インチは2.54cm)で、1個の集積化されたハーフブリッジEPC2101に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバLM5113、電源回路、バイパス・コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。

価格と購入方法

モノリシック・ハーフブリッジEPC2101 の1000個購入時の単価は6.92米ドルです。

開発基板EPC9037の単価は137.75ドルです(いずれも米国での参考価格)。

いずれも、Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウムのモノリシック・ハーフブリッジを製品化、48 V入力、12 V出力で効率97%以上を実現

GaNハーフブリッジのEPC2105は、完全なバック・コンバータ・システムの効率と電力密度を改善するソリューションを提供します。スイッチング300 kHzで48 Vから12 Vへの変換時に10 Aで効率がほぼ98%、スイッチング300 kHzで48 Vから1.0 Vへの変換時に14 Aで効率84%が得られます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年11月13日、耐圧80 Vのモノリシック・ハーフブリッジのエンハンスメント・モードGaNトランジスタ「EPC2105」を製品化しました。単一デバイスに2個のeGaN®パワーFETを統合することによって、相互接続インダクタンスとプリント回路基板上に必要な間隔が除去されます。エンド・ユーザーの電力変換システムのアセンブリ・コストを削減すると同時に、(特により高い周波数での)効率と電力密度の両方を向上できます。EPC2105は、高周波DC-DC変換に最適であり、48 Vから直接、1 Vのシステム負荷への1段の変換が高効率で実現できます。

ハーフブリッジ部品EPC2105内の各デバイスは、耐圧80 Vです。上側のFETのオン抵抗RDS(on)は標準値で10 mΩ、下側のFETは2.3 mΩ(標準値)です。ハイサイドFETの面積は、VIN / VOUT比が大きいバック・コンバータにおいて、効率的なDC-DC変換を最適化するために、ローサイド・デバイスの1/4の面積です。EPC2105は、スイッチング速度や熱特性の改善のためにチップスケール•パッケージで提供され、電力密度を高めるために、面積は、わずか6.05 mm×2.3 mmです。

開発基板

開発基板「EPC9041」は、面積2インチ×1.5インチ(1インチは2.54cm)で、集積化された1個のハーフブリッジEPC2105に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバLM5113、電源回路、バイパス・コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。

価格と購入方法

モノリシック・ハーフブリッジEPC2105の1000個購入時の単価は7.17米ドルです。

開発基板EPC9041の単価は137.75ドルです(いずれも米国での参考価格)。

いずれも、Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, In 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、高周波用途向けに耐圧300Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

GaNパワー・トランジスタのEPC2025は、高周波DC-DCコンバータや医療診断機器向けで、立ち上がり時間が2nsと短い耐圧300 Vのパワー・トランジスタです。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年9月30日、効率と電力密度を高めるために、高周波スイッチングが必要な用途で使うための耐圧300 Vのパワー・トランジスタ「EPC2025」を発売しました。スイッチング速度の高速化によって性能が向上する用途には、超高周波DC-DCコンバータ、医療診断機器、パワー・インバータ、LED(発光ダイオード)照明などがあります。

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