最良の設計手法は、プリント回路基板のレイアウトや熱管理も含めて、eGaN FETの利点を利用しています。GaNトランジスタのスイッチング電荷が削減され続けるにつれて、システムの寄生要素も低減されなければなりません。これによって、最大スイッチング速度が得られ、パワー・コンバータで一般的な寄生のリンギングを最小化できます。

米Power Electronics誌
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eGaN FET ベースのPOL（負荷点）バック・コンバータ用プリント回路基板のレイアウトを最適化することは、寄生成分を低減するので、従来のMOSFETベースの設計に比べて、効率の向上、スイッチング速度の高速化、デバイスの電圧オーバーシュートの低減につながります。

By David Reusch博士、Efficient Power Conversionのアプリケーション部門ディレクタ

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シリコンMOSFETが可能とするよりも効率とスイッチング周波数を高くできるeGaN® FETのようなエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスの能力が、さまざまな用途で使われています。eGaN FETによって提供されるスイッチングの性能指数（FOM：figure of merit）の改善によって、高い性能を得るためには、パッケージやプリント回路基板のレイアウトの寄生成分が重要になります。この記事の最初のパートでは、スイッチング周波数1 MHz、入力電圧12 V、出力電圧1.2 V、最大出力電流20 Aで動作するeGaN FETおよびMOSFETに基づくPOL（負荷点）コンバータに対して、特性に及ぼす寄生インダクタンスの影響を検討します。

By David Reusch博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門ディレクタ

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最初の決戦の記事は、eGaN^® FETがシリコン・デバイスと同様に動作し、同じ基準の特性を使って評価できることを示しました。eGaN FETは、多くの基準で非常に良好な特性が得られますが、eGaN FETの「ボディ・ダイオード」の順方向電圧は、MOSFETの対応品よりも大きく、デッドタイム期間の大きな損失成分になります。ボディ・ダイオードの順方向導通損失だけが、デッドタイムに依存するすべての損失を構成するわけではありません。ダイオードの逆回復と出力容量の損失も重要です。この記事では、デッドタイム管理とデッドタイムのすべての損失を最小化する必要性について議論します。

By Johan Strydom博士、アプリケーション部門バイス・プレジデント、EPCのパワー・エレクトロニクス技術

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