窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、これらの材料の電子を価電子帯から伝導帯にシフトするために必要なエネルギーに基づいて、ワイド・バンドギャップ（WBG）半導体と呼ばれます。SiCは約3.2 eV、GaNは約3.4 eVですが、シリコンでは、わずか1.1 eVです。WBGの特性によって、適用可能なブレークダウン電圧が高くなり、一部のアプリケーションでは最大1700 Vに達することがあります。5月に開催された今年のデジタルのみのPCIMヨーロッパでは、いくつかの企業がGaNとSiCの最新のイノベーションを示し、WBG技術の方向性についての洞察を提供しました。

米EE Times誌の欧州版
2021年7月
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著者らの長年の豊富な経験に基づいたワイド・バンドギャップ（WBG）・デバイス特性の権威ある概論です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年9月21日、英国工学技術学会（The Institution of Engineering and Technology）が出版した書籍Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices をEPCのシニア・アプリケーション・エンジニアのEdward A. Jones博士が共著したと発表しました。この本は、特に、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）のパワー半導体の利用に基づくワイド・バンドギャップ（WBG）・デバイスの静特性と動特性の両方に関心がある研究者、専門とする学生、および実践する技術者を支援するために不可欠な内容を提供します。この本では、実際のアプリケーションの実践的な考察を説明し、記述された方法論の適用例も示します。

バンド・ギャップ材料のGaNとSiCは、世界的な大きなうねりを起こしています。勢いよく成長すると予想されるパワー・エレクトロニクス用途で使われるGaNデバイスの需要。

http://www.compoundsemiconductor.net/csc/news-details/id/19736817/name/GaN-in-power-electronics-application.html

By: Andy Extance、米Power Dev’誌
2013年4月

Efficient Power Conversion（EPC）社、米フェアチャイルドセミコンダクター社、米GeneSiC Semiconductor社、ローム、米トランスフォーム社が米Power Dev’誌のAndy Extance氏に語り、モジュールやシステムのメーカーをワイド・バンドギャップ・デバイスに向かわせる方法が掲載されました。

http://www.bluetoad.com/publication/?i=157700&p=6

By: Steve Taranovich、米EDN誌
2013年3月15日

パワー素子におけるリーダーシップを狙ったレースが進化し続けると、2013年半ばから、約半ダースのGaN、Si、SiCのサプライヤが、プロセスの強化、新しいアーキテクチャ、および、新しい選択肢とツールを業界にもたらすだろう最新の機能を明らかにすると業界の専門家は、述べています。 http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

Wide-bandgap materials, such as GaN and SiC, are enabling a new generation of power switching devices that switch faster and with fewer losses than the venerable silicon MOSFET, resulting in smaller, more efficient power supplies.

By Margery Conner
EDN
August 25, 2011

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